Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
| 25722 | СНГ | 195 шт |
8 грн.
|
|
Двухканальный восьмиразрядный формирователь с тремя состояниями на выходе. | 1.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20411 | TOSHIBA | 192 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 400мВт | 1000шт. | 50В | 150мА | — | 400 | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20195 | VISHAY | 192 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 91V | — | |||||||||||
Транзистор КТ857А
#13955
|
26135 | СНГ | 192 шт |
17 грн.
|
|
Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс | 2 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 250В | 7А | 10МГц | 10 | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К144ИР1П
#7367
|
22100 | СНГ | 190 шт |
6 грн.
|
|
Квазистатический последовательный регистр сдвига на 21 разряд , состоящий из трех регистров с числом разрядов 1, 4, 16 с раздельными входами, с общими цепями сдвига и питания . | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод 1N4448
#1003
|
28488 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 189 шт |
1,50 грн.
|
|
200мА 100В DO-35. | 0.12 | — | — | — | DIP | DO-35 | 100V | 200mA | — | — | Импульсный | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
| 23389 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 189 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 130V | — | ||||||||||||
Диодная сборка КД205Б
#14359
|
26571 | СНГ | 189 шт |
16 грн.
|
Диодные сборки КД205Б, состоящие каждая из двух кремниевых, диффузионных диодов, с раздельными выводами. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц в блоках электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Основные технические характеристики диода КД205Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 400 В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | сборка | |||||||||||
Микросхема К176ЛЕ6
#838
|
21877 | СНГ | 188 шт |
6 грн.
|
|
Два логических элемента 4ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиранзистор КТ681А
#10110
|
21849 | СНГ | 186 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 25В | 600мА | 120МГц | 85 | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема КР145ИР1
#14429
|
26638 | СНГ | 186 шт |
20 грн.
|
|
Динамический регистр сдвига 1024/1008 бит. | 2.8 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор 2У201К (=КУ201К)
#16287
|
28534 | СНГ | 186 шт |
20 грн.
|
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 300 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 11 | — | — | — | Винт | — | 300V | 2A | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ818А
#10793
|
22982 | СНГ | 185 шт |
14 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 60Вт | 100шт. | 40В | 10А | 3МГц | 15 | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема SD4842P
#13673
|
25809 | Silan Semiconductor | 185 шт |
20 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор МП113
#13681
|
25840 | СНГ | 185 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП113 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||||
Стабилитрон BZT52C4V7
#17009
|
29260 | DIODES INCORPORATED | 185 шт |
2 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 3000шт. | — | — | — | — | 4V7 | SOD-123 | — | — | |||||||||||
Микросхема КР580ВК28
#9539
|
22202 | СНГ | 184 шт |
10 грн.
|
|
Системный контроллер и шинный формирователь. | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К561ТВ1А
#9817
|
21406 | СНГ | 182 шт |
4 грн.
|
|
Два JK-триггера с асинхронными RS-входами и динамическим управлением записи. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП25Б
#10816
|
23009 | СНГ | 182 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор МП25Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 40В | 150мА | — | 80 | — | — | — | — | ||||||||||
| 25915 | СНГ | 180 шт |
20 000 грн.
|
Датчик линейных ускорений микроминиатюрный ДЛУММ предназначен для преобразования линейных ускорений, действующих по оси чувствительности датчика, в электрический сигнал в виде напряжения постоянного тока, величина которого пропорциональна линейному ускорению, а знак соответствует направлению действия линейного ускорения. | 43 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 3шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20170 | VISHAY | 179 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 43V | — | |||||||||||
Микросхема К555АП3
#10157
|
22034 | СНГ | 179 шт |
6 грн.
|
|
Два четырехканапьных формирователя с тремя состояниями на выходе с инверсией сигнала. | 1.6 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П216
#14713
|
26931 | СНГ | 179 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 20 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ837Е
#10809
|
22999 | INTEGRAL | 178 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 100шт. | 55В | 7,5A | 1МГц | 150 | — | — | — | — | ||||||||||
| 26198 | СНГ | 178 шт |
8 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 6,8В Основные технические параметры стабилитрона Д815Б: • Разброс напряжения стабилизации: 6,1... 7,5 В при Iст 1 А; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 0,8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 1,15 А; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 2.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 6V8 | ks620 | — | — | |||||||||||
Симистор BT139-800E
#5616
|
21129 | NXP | 176 шт |
16 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 800V | 16A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Симистор BTA12-800B
#5619
|
21132 | ST MICROELECTRONICS | 176 шт |
21 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 12A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема К131ЛА1
#5650
|
22110 | СНГ | 176 шт |
6 грн.
|
|
Два логических элемента 4И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К176ЛП1
#831
|
21913 | СНГ | 175 шт |
6 грн.
|
|
Логический элемент универсальный. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К131ЛА3
#3925
|
21938 | СНГ | 175 шт |
5 грн.
|
|
Микросхема К131ЛА3 представляет собой 4 логических элемента 2И-НЕ. Содержит 56 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1 г. Общие рекомендации по применению: Температура пайки (235 ±5)С, расстояние от корпуса до места пайки (1 ± 0,5) мм, продолжительность пайки (2 ±0,5)с. Число допускаемых перепаек при проведении монтажных операций 1. На микросхемах вместо индекса «К» может стоять точка. Допустимое значение статического потенциала 30 В. Не рекомендуется подведение каких-либо электрических сигналов (в том числе шин «питания» и «земля») к выводам микросхемы. При ремонте аппаратуры смену микросхемы следует производить только при отключенных источниках питания. Свободные входы необходимо подключать к источнику постоянного напряжения 5 В ±10% через резистор сопротивлением 1 кОм или к источнику постоянного напряжения 4,5 В ±10%. При этом допускается подключение к одному резистору до 20 выводов микросхем. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
