Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Стабилитрон КС533А
#11421
|
23538 | СНГ | 211 шт |
6 грн.
|
|
Основные технические параметры стабилитрона КС533А: • Номинальное напряжение стабилизации: 33 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 29,7... 36,3 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 100 Ом при Iст 3 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 17 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,64 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +125 °С. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 640мВт | 200шт. | — | — | — | — | 33V | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П214Б
#12365
|
24700 | СНГ | 211 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 11,5Вт | 20шт. | 55В | 5А | 0,15МГц | 150 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ209Б
#11446
|
23574 | СНГ | 210 шт |
5 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 15В | 350мА | — | 120 | — | — | — | — | |||||||||||
Диодная сборка КДС523АМ
#16254
|
28501 | СНГ | 209 шт |
2 грн.
|
|
Диодная сборка, состоящая каждая из двух кремниевых планарно-эпитаксиальных импульсных диодов с раздельными выводами. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. | 0.25 | — | — | — | SMD | — | 50V | 20mA | 200mA | — | Импульсный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | сборка | ||||||||||
Стабилитрон TL431A
#8692
|
20403 | WS | 205 шт |
3 грн.
|
|
Регулируемый стабилитрон 2.5 В | TO-92 | ±1% | 2.5...36 В | 100 мА | -40...+85°C | WS (Winsound / Wuxi Shidai) | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 700мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2.5-36V | TO-92 | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ361К-2
#11373
|
23484 | INTEGRAL | 205 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 1000шт. | 60В | 100мА | 250МГц | 350 | — | — | — | — | |||||||||||
Стабилитрон КС447А
#13967
|
26147 | СНГ | 205 шт |
5 грн.
|
|
Основные технические параметры стабилитрона КС447А: • Номинальное напряжение стабилизации: 4,7 В при Iст 43 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 4,23... 5,17 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,08...+0,03 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 18 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 159 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 4V7 | kd-8 | — | — | ||||||||||
| 28713 | СНГ | 205 шт |
10 грн.
|
|
Стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 12В, 1А | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема КМ155ТМ7
#971
|
21347 | СНГ | 204 шт |
10 грн.
|
|
4 D-триггера с прямыми и инверсными выходами. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема STM6519AUARUB6F
#17148
|
29398 | ST MICROELECTRONICS | 203 шт |
30 грн.
|
|
Специализированная микросхема аппаратного сброса (Smart Reset™ IC) от компании STMicroelectronics, предназначенная для безопасной и корректной перезагрузки портативной электроники при зависании системы. | 0.06 | UDFN-6(1x1.5) | — | — | SMD | — | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К131ЛА6
#12219
|
24596 | СНГ | 202 шт |
10 грн.
|
|
2 логических элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом разветвления на выходе. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор КУ201И
#3403
|
22421 | СНГ | 201 шт |
12 грн.
|
Максимальное обратное напряжение,В 200 Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В 200 Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А 2 Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А 30 Максимальное напряжение в открытом состоянии,В 2 Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А 0.1 Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А 0.35 Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В 6 Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному импульсному повторяющемуся отпирающему току,В 10 Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс 5 Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии,А/мкс 3 Время включения,мкс 10 Время выключения,мкс 100 Рабочая температура,C -60…85 Особенности незапираемый | 11 | — | — | — | Винт | — | 200V | — | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема КМ555ЛА9
#827
|
21670 | СНГ | 200 шт |
10 грн.
|
|
Четыре логических элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным выходом. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20164 | VISHAY | 200 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 82V | — | |||||||||||
Микросхема LM317T
#8739
|
20462 | ST MICROELECTRONICS | 200 шт |
14 грн.
|
|
LM317T | Регулируемый линейный стабилизатор напряжения | TO-220 | 1.5 А / 1.2...37 В | Vref 1.25 В, Vdrop ~2 В, защита от КЗ и перегрева | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 26514 | СНГ | 200 шт |
12 грн.
|
|
Три элемента ИЛИ-НЕ. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20448 | SEMTECH ELECTRONICS | 198 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 15V | DO-41 | — | — | ||||||||||||
Стабилитрон 2С482А (=КС482А)
#15531
|
27770 | СНГ | 198 шт |
6 грн.
|
|
Основные технические параметры стабилитрона 2С482А: • Номинальное напряжение стабилизации: 8.2 В при Iст 5 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,4... 9 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0.08 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 96 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 8V2 | kd-8 | — | — | ||||||||||
| 22350 | СНГ | 197 шт |
6 грн.
|
|
Устройство управления и стабилизации частоты вращения вала низковольтных коллекторных микродвигателей постоянного тока с возбуждением от постоянных магнитов. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Драйверы | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор МП40А
#3440
|
24735 | СНГ | 196 шт |
5 грн.
|
|
Транзисторы МП40А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 30В | 30мА | 1МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К176ПУ1
#9503
|
21669 | СНГ | 196 шт |
10 грн.
|
|
Преобразователь логических уровней, содержит пять инверторов. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема MAX3232CDBR
#12620
|
24925 | TEXAS INSTRUMENTS | 196 шт |
29 грн.
|
|
0.4 | SSOP-16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Диод Е115А (=КД219А)
#14494
|
26709 | СНГ | 196 шт |
15 грн.
|
|
Диоды КД219А кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки. Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц. Основные технические характеристики диода 2КД219А: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 15 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 10 А; • fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц. | 5.2 | — | — | — | Винт | КД-11 | 15V | 10A | — | — | Шотки | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
| 20436 | SEMTECH ELECTRONICS | 195 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 4V7 | DO-41 | — | — | ||||||||||||
| 25722 | СНГ | 195 шт |
10 грн.
|
|
Двухканальный восьмиразрядный формирователь с тремя состояниями на выходе. | 1.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор DXG40N65HSEU
#17079
|
29322 | DAXIN | 195 шт |
80 грн.
|
|
Транзистор DXG40N65HSEU. | 6 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20165 | VISHAY | 193 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 68V | — | |||||||||||
| 20411 | TOSHIBA | 192 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 400мВт | 1000шт. | 50В | 150мА | — | 400 | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20195 | VISHAY | 192 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 91V | — | |||||||||||
Транзистор КТ857А
#13955
|
26135 | СНГ | 192 шт |
17 грн.
|
|
Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс | 2 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 250В | 7А | 10МГц | 10 | — | — | — | — |
