Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
22285 СНГ 211 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Однокристальный буферный 8-разрядный регистр (D-регистр "защелка" с тремя состояниями на выходе) инвертирующий. 2 DIP20 DIP Логика 70шт.
23538 СНГ 211 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Основные технические параметры стабилитрона КС533А: • Номинальное напряжение стабилизации: 33 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 29,7... 36,3 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 100 Ом при Iст 3 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 17 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,64 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +125 °С. 0.4 DIP 640мВт 200шт. 33V
24700 СНГ 211 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 Биполярный DIP PNP 11,5Вт 20шт. 55В 0,15МГц 150
23574 СНГ 210 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 15В 350мА 120
28501 СНГ 210 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Диодная сборка, состоящая каждая из двух кремниевых планарно-эпитаксиальных импульсных диодов с раздельными выводами. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. 0.25 SMD 50V 20mA 200mA Импульсный 100шт. сборка
21885 СНГ 209 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Четыре логических элемента 2И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
23484 INTEGRAL 209 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 150мВт 1000шт. 60В 100мА 250МГц 350
21669 СНГ 206 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Преобразователь логических уровней, содержит пять инверторов. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22267 СНГ 205 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 250мВт 1000шт. 50В 200мА 250
26147 СНГ 205 шт
5 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
250+3,75 грн.
Основные технические параметры стабилитрона КС447А: • Номинальное напряжение стабилизации: 4,7 В при Iст 43 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 4,23... 5,17 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,08...+0,03 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 18 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 159 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С 0.8 DIP 1Вт 200шт. 4V7 kd-8
28713 СНГ 205 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 12В, 1А 2.8 TO-220 DIP Питание 100шт.
21347 СНГ 204 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
4 D-триггера с прямыми и инверсными выходами. 1.2 DIP16 DIP Логика 100шт.
20165 VISHAY 203 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
30+5,40 грн.
50+4,80 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 68V
29398 ST MICROELECTRONICS 203 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
0.06 UDFN-6(1x1.5) SMD Микроконтроллеры 3000шт.
24596 СНГ 202 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом разветвления на выходе. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22421 СНГ 201 шт
12 грн.
Максимальное обратное напряжение,В 200 Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В 200 Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А 2 Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А 30 Максимальное напряжение в открытом состоянии,В 2 Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А 0.1 Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А 0.35 Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В 6 Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному импульсному повторяющемуся отпирающему току,В 10 Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс 5 Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии,А/мкс 3 Время включения,мкс 10 Время выключения,мкс 100 Рабочая температура,C -60…85 Особенности незапираемый 11 Винт 200V 30A 40шт.
21670 СНГ 200 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Четыре логических элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным выходом. 1.2 DIP14 DIP Логика 100шт.
20164 VISHAY 200 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
30+8,10 грн.
50+7,20 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 82V
22489 Panjit 200 шт
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 SMD DO-214AC, SMA 40V 1A Шотки 1800шт. одиночный
26514 СНГ 200 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Три элемента ИЛИ-НЕ. 1.2 DIP16 DIP Логика 90шт.
20448 SEMTECH ELECTRONICS 198 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 DIP 1Вт 500шт. 15V DO-41
27770 СНГ 198 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Основные технические параметры стабилитрона 2С482А: • Номинальное напряжение стабилизации: 8.2 В при Iст 5 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,4... 9 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0.08 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 96 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 0.5 DIP 1Вт 200шт. 8V2 kd-8
22350 СНГ 197 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Устройство управления и стабилизации частоты вращения вала низковольтных коллекторных микродвигателей постоянного тока с возбуждением от постоянных магнитов. 0.5 DIP8 DIP Драйверы 200шт.
24925 TEXAS INSTRUMENTS 196 шт
29 грн.
10+27,55 грн.
50+26,10 грн.
100+23,20 грн.
0.4 SSOP-16 SMD Интерфейсы 2500шт.
26709 СНГ 196 шт
15 грн.
50+13,50 грн.
200+12 грн.
500+10,50 грн.
Диоды КД219А кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки. Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц. Основные технические характеристики диода 2КД219А: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 15 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 10 А; • fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц. 5.2 Винт КД-11 15V 10A Шотки 100шт. одиночный
25722 СНГ 195 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Двухканальный восьмиразрядный формирователь с тремя состояниями на выходе. 1.5 DIP20 DIP Логика 80шт.
20411 TOSHIBA 192 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 400мВт 1000шт. 50В 150мА 400
20195 VISHAY 192 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
30+8,10 грн.
50+7,20 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 91V
26135 СНГ 192 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс 2 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 250В 10МГц 10
21921 СНГ 191 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Шесть логических элементов НЕ с блокировкой и запретом. 1.1 DIP16 DIP Логика 200шт.