Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
21814 PHILIPS 236 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Octal D-type flip-flop; positive edge-trigger; 3-state / Восемь D триггеров 1 SO20 — — SMD — — — — Логика — — — — — 1000шт. — — — — — — —
22296 СНГ 235 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
20602 NXP 232 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
0.1 — SOT23 Полевой SMD — — — — — — МОП р-канальный 50В 130мА 250мВт 3000шт. — — — — — — —
26928 СНГ 232 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом. 10 — — Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 11,5Вт 20шт. 40В 5А 0,15МГц 50 — — —
21271 СНГ 231 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ТВ1 представляют собой J-K триггер с логикой на входе ЗИ. Содержат 55 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
20504 SEMTECH ELECTRONICS 230 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 — — — DIP — — — — — — — — — 1Вт 500шт. — — — — 3V0 DO-41 —
26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — — Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 60 — — —
20213 Rectron Semiconductor 229 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    2.2V  0.5W  (BZX55C 2V2) 0.12 — — — DIP — — — — — — — — — 500мВт 500шт. — — — — 2V2 DO-35 —
26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 — SOT23 Биполярный SMD — — — — — — NPN — — 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000 — — —
28763 Nexperia 228 шт
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.043 — — — SMD SOT-23 40V 500mA — — Шотки — — — — 3000шт. — — — — — — одиночный
25721 СНГ 227 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — — Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30 — — —
23060 MIC 224 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 — — — DIP DO-41 20V 1A — — Шотки — — — — 1000шт. — — — — — — одиночный
28041 СНГ 224 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Диоды Д101А кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. 0.9 — — — DIP — 75V 30mA — — Выпрямительный — — — — 500шт. — — — — — — одиночный
28533 СНГ 223 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основные технические характеристики диода КД203А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 420 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 600 В. 12 — — — Винт — 420V 10A 30A — Выпрямительный — — — — 25шт. — — — — — — одиночный
21835 СНГ 220 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 10.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 — КТЮ-3-9 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 5Вт 25шт. 60В 2А 10МГц 30 — — —
20439 SEMTECH ELECTRONICS 220 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 — — — DIP — — — — — — — — — 1Вт 500шт. — — — — 6V2 DO-41 —
22232 СНГ 218 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2-4. 1.5 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120 — — —
24839 СНГ 217 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления. 0.4 — КТ-1 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150 — — —
25869 СНГ 216 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Диоды Д206 кремниевые, сплавные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц Основные технические характеристики диода Д206: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 100 В. 1 — — — DIP КД-9 100V 50mA — — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — одиночный
21874 СНГ 215 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
2 D-триггера с установкой в нуль. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
21263 СНГ 214 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Микросхемы К155АГ3 представляют собой сдвоенный одновибратор с повторным запуском. 1.3 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — —
21906 СНГ 214 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Синхронный четырехзарядный декадный реверсивный счетчик. 1 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — —
21681 СНГ 214 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Один восьмивходовый элемент И-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
21879 СНГ 213 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
2 триггера J-K типа. 1 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — —
25849 СНГ 213 шт
10 грн.
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 11 — — — Винт — 50V — 30A — — — — — — 40шт. — — — — — — —
21696 СНГ 212 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Сдвоенный дешифратор-мультиплексор 2-4. 1.2 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
26217 СНГ 212 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
200+6,40 грн.
500+5,60 грн.
Диоды КД202К кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Основные технические характеристики диода КД202К: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 400 В 4.5 — — — Винт КДЮ-11 280V 5A — — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — одиночный
22285 СНГ 211 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Однокристальный буферный 8-разрядный регистр (D-регистр "защелка" с тремя состояниями на выходе) инвертирующий. 2 DIP20 — — DIP — — — — Логика — — — — — 70шт. — — — — — — —