Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
| 21681 | СНГ | 234 шт |
6 грн.
|
|
Один восьмивходовый элемент И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диод 1N5817
#11093
|
23060 | MIC | 234 шт |
1 грн.
|
|
0.25 | — | — | — | DIP | DO-41 | 20V | 1A | — | — | Шотки | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Транзистор П213
#14710
|
26928 | СНГ | 232 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 11,5Вт | 20шт. | 40В | 5А | 0,15МГц | 50 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К155ТВ1
#955
|
21271 | СНГ | 231 шт |
6 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ТВ1 представляют собой J-K триггер с логикой на входе ЗИ. Содержат 55 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон 1N4727A (3V)
#8708
|
20504 | SEMTECH ELECTRONICS | 230 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 3V0 | DO-41 | — | |||||||||
Транзистор П214
#14712
|
26930 | СНГ | 230 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 55В | 5А | 0,15МГц | 60 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3130Г9
#14527
|
26743 | INTEGRAL | 229 шт |
4 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 1000шт. | 15В | 100мА | 150МГц | 1000 | — | — | — | |||||||||
Диод PMEG4005ET
#16515
|
28763 | Nexperia | 228 шт |
4 грн.
|
|
0.043 | — | — | — | SMD | SOT-23 | 40V | 500mA | — | — | Шотки | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
| 25721 | СНГ | 227 шт |
6 грн.
|
|
2 логических элемента 4И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон TL431A
#8692
|
20403 | CHINA | 227 шт |
2,50 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 700мВт | 500шт. | — | — | — | — | 37V | TO-92 | — | |||||||||
Транзистор П216В
#14716
|
26934 | СНГ | 227 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП40А
#3440
|
24735 | СНГ | 226 шт |
5 грн.
|
|
Транзисторы МП40А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 30В | 30мА | 1МГц | 40 | — | — | — | ||||||||
| 20436 | SEMTECH ELECTRONICS | 225 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 4V7 | DO-41 | — | ||||||||||
Диод Д101А плоские выводы
#15804
|
28041 | СНГ | 224 шт |
3 грн.
|
|
Диоды Д101А кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. | 0.9 | — | — | — | DIP | — | 75V | 30mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод КД203А
#16286
|
28533 | СНГ | 223 шт |
35 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД203А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 420 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 600 В. | 12 | — | — | — | Винт | — | 420V | 10A | 30A | — | Выпрямительный | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема К555ЛИ1
#797
|
21387 | СНГ | 222 шт |
5 грн.
|
|
Четыре логических элемента 2И. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор DXG40N65HSEU
#17079
|
29322 | DAXIN | 222 шт |
80 грн.
|
|
Транзистор DXG40N65HSEU. | 6 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ801Б
#3436
|
21835 | СНГ | 220 шт |
15 грн.
|
|
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 10.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 | 3.5 | — | КТЮ-3-9 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 5Вт | 25шт. | 60В | 2А | 10МГц | 30 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К176ТМ1
#918
|
21874 | СНГ | 219 шт |
5 грн.
|
|
2 D-триггера с установкой в нуль. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КМ155ИД4
#4074
|
22232 | СНГ | 218 шт |
6 грн.
|
|
Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2-4. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП113А
#13537
|
25665 | СНГ | 218 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП113А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 120 | — | — | — | ||||||||
Транзистор ГТ346А
#12505
|
24839 | СНГ | 217 шт |
7 грн.
|
|
Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления. | 0.4 | — | КТ-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 1000шт. | 15В | 10мА | 700МГц | 150 | — | — | — | ||||||||
Диод Д206
#13706
|
25869 | СНГ | 216 шт |
4 грн.
|
|
Диоды Д206 кремниевые, сплавные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц Основные технические характеристики диода Д206: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 100 В. | 1 | — | — | — | DIP | КД-9 | 100V | 50mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема К155АГ3
#942
|
21263 | СНГ | 214 шт |
12 грн.
|
|
Микросхемы К155АГ3 представляют собой сдвоенный одновибратор с повторным запуском. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21906 | СНГ | 214 шт |
6 грн.
|
|
Синхронный четырехзарядный декадный реверсивный счетчик. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К176ЛП4
#919
|
21884 | СНГ | 213 шт |
6 грн.
|
|
Два трех-входовых элемента ИЛИ-НЕ и один одно-входовой инвертор. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К176ТВ1
#9507
|
21879 | СНГ | 213 шт |
5 грн.
|
|
2 триггера J-K типа. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ201В
#13690
|
25849 | СНГ | 213 шт |
10 грн.
|
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 11 | — | — | — | Винт | — | 50V | — | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КМ555ИД4
#7380
|
21696 | СНГ | 212 шт |
5 грн.
|
|
Сдвоенный дешифратор-мультиплексор 2-4. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод КД202К
#14038
|
26217 | СНГ | 212 шт |
8 грн.
|
|
Диоды КД202К кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Основные технические характеристики диода КД202К: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 400 В | 4.5 | — | — | — | Винт | КДЮ-11 | 280V | 5A | — | — | Выпрямительный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный |
