Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
22327 DIOTEC SEMICONDUCTOR 239 шт
6,50 грн.
50+5,85 грн.
100+5,20 грн.
250+4,87 грн.
1.5 DIP 5Вт 500шт. 150V do201
26550 СНГ 239 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Арифметическое логическое устройство. 3 DIP24 DIP Логика 36шт.
21342 СНГ 238 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
20216 Rectron Semiconductor 238 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    3.9V  0.5W  (BZX55C 3V9) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 3V9 DO-35
20403 CHINA 237 шт
2,50 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
250+1,87 грн.
0.3 DIP 700мВт 500шт. 37V TO-92
21814 PHILIPS 236 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Octal D-type flip-flop; positive edge-trigger; 3-state / Восемь D триггеров 1 SO20 SMD Логика 1000шт.
23060 MIC 236 шт
0,75 грн.
100+0,67 грн.
200+0,60 грн.
500+0,52 грн.
0.25 DIP DO-41 20V 1A Шотки 1000шт. одиночный
20213 Rectron Semiconductor 235 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    2.2V  0.5W  (BZX55C 2V2) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 2V2 DO-35
22296 СНГ 235 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21681 СНГ 234 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Один восьмивходовый элемент И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
28533 СНГ 232 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основные технические характеристики диода КД203А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 420 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 600 В. 12 Винт 420V 10A 30A Выпрямительный 25шт. одиночный
21271 СНГ 231 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ТВ1 представляют собой J-K триггер с логикой на входе ЗИ. Содержат 55 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 Биполярный DIP PNP 10Вт 20шт. 55В 0,15МГц 60
21885 СНГ 229 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Четыре логических элемента 2И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000
25849 СНГ 228 шт
10 грн.
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 11 Винт 50V 30A 40шт.
28763 Nexperia 228 шт
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.043 SMD SOT-23 40V 500mA Шотки 3000шт. одиночный
25721 СНГ 227 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
24839 СНГ 227 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления. 0.4 КТ-1 Биполярный DIP PNP 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150
26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 Биполярный DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30
21835 СНГ 226 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 10.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN 5Вт 25шт. 60В 10МГц 30
28041 СНГ 224 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Диоды Д101А кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. 0.9 DIP 75V 30mA Выпрямительный 500шт. одиночный
21387 СНГ 222 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Четыре логических элемента 2И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21874 СНГ 222 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 D-триггера с установкой в нуль. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
29322 DAXIN 222 шт
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Транзистор DXG40N65HSEU. 6 TO247 IGBT DIP 30шт. 650В 40А
20131 DC COMPONENTS 221 шт
1,60 грн.
100+1,44 грн.
200+1,28 грн.
500+1,12 грн.
Диод 2А 1000В 0.4 DIP DO-15 1000V 2A Выпрямительный 1000шт. одиночный
22232 СНГ 218 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2-4. 1.5 DIP16 DIP Логика 100шт.
25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120
25869 СНГ 216 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Диоды Д206 кремниевые, сплавные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц Основные технические характеристики диода Д206: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 100 В. 1 DIP КД-9 100V 50mA Выпрямительный 100шт. одиночный
21263 СНГ 214 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Микросхемы К155АГ3 представляют собой сдвоенный одновибратор с повторным запуском. 1.3 DIP16 DIP Логика 90шт.