Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
24598 СНГ 128 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логических элемента 3И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
25117 GALAXY ELECTRICAL 128 шт
3 грн.
100+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.3 SMD DO-214AB 100V 5A Шотки 2000шт. одиночный
24627 СНГ 126 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Основные технические параметры стабилитрона Д818В: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,010 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 9V kd-8
26654 СНГ 126 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). 1.3 SO24 SMD Память 140шт.
25902 СНГ 125 шт
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
Основные технические характеристики диода КД213А ОС: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 550 пФ при Uoбp 100 В 3.5 DIP КД-23 200V 10A Выпрямительный 50шт. одиночный
20217 Rectron Semiconductor 123 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    2.0V  0.5W  (BZX55C 2V0) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 2V0 DO-35
22385 СНГ 123 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабилитрон кремниевый, планарный, малой мощности. 0.2 DIP 125мВт 100шт. 22V kd2
21697 СНГ 122 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Логический элемент 8И-НЕ. 1.1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22322 СНГ 122 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Электронный номеронабиратель с внутренним ОЗУ на 22 цифры для кнопочных телефонных аппаратов с импульсным набором номера. 2.1 DIP22 DIP Телефония 100шт.
26634 СНГ 122 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Схема управления запоминающими устройствами (ЗУ). 3.2 DIP Интерфейсы 32шт.
22295 СНГ 121 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логических элемента 3ИЛИ-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22776 СНГ 121 шт
55 грн.
10+52,25 грн.
50+49,50 грн.
100+44 грн.
Назначение - дифференциальная система для аппаратуры цифровой системы ИКМ-30-4. 2 DIP28 DIP Телефония 25шт.
21880 СНГ 120 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) на 256 бит с управлением. 1.1 DIP16 DIP Память 90шт.
26313 СНГ 120 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Формирователь втекающих токов. 1.2 DIP16 DIP Логика 90шт.
21911 СНГ 120 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Преобразователь логических уровней. 1 DIP16 DIP Логика 90шт.
26100 СНГ 120 шт
700 грн.
10+630 грн.
20+595 грн.
50+560 грн.
Фотоэлектронный умножитель с электростатической фокусировкой электронов для измерения предельно малых световых потоков в широкой области спектра. Применяется в астрономии, астрофизике и при спектральном анализе. Фотокатод — сурьмяно-натриево-калиево-цезиевый. Оптический вход — торцевой. Диаметр рабочей площади катода 6 мм. Число каскадов усиления 11. 200 1шт.
22521 TOSHIBA 119 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L DIP NPN 1Вт 200шт. 30В 120МГц 320
20068 ICPLUS 118 шт
72 грн.
10+68,40 грн.
50+64,80 грн.
100+57,60 грн.
0.7 LQFP48 SMD Ethernet 250шт.
23502 СНГ 118 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 25
21233 СНГ 117 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Микросхемы К155ИЕ1 представляют собой декадный счетчик с фазоимпульсным представлением информации. Содержит 105 интегральных элементов. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
20187 VISHAY 117 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
30+6,30 грн.
50+5,60 грн.
DO201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 6.8V
20971 AUK 116 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачать datasheet STK0260 pdf,477 КБ 2 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 600В 600мА 1.3Вт 50шт.
26549 СНГ 116 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Быстрый умножитель 2х4. 3 DIP24 DIP Логика 36шт.
21425 СНГ 115 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Четыре логических элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным выходом. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
25893 СНГ 115 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Схема контроля четности. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 Биполярный DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10
29141 СНГ 115 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы МП102 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 45
22523 SANYO 114 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP PNP 1Вт 200шт. 60В 150МГц 560
23504 113 шт
2,50 грн.
Емкость номинальная при обратном напряжении 25 V 2.15 pF Емкость минимальная при обратном напряжении 25 V 2 pF Емкость максимальная при обратном напряжении 25 V 2.3 pF Добротность при частоте 50 MHz, обратном напряжении 3 V 300 Коэффициент перекрытия по емкости при напряжении 3 ... 25 V 4.5 ... 6.5 Обратный ток при обратном напряжении 28 V 0.5 μA
22306 СНГ 112 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
12-разрядный аналого-цифровой преобразователь последовательного приближения. 7 DIP40 DIP Логика 10шт.