Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Микросхема К145ИК11П
#14425
|
26634 | СНГ | 122 шт |
20 грн.
|
|
Схема управления запоминающими устройствами (ЗУ). | 3.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22776 | СНГ | 121 шт |
55 грн.
|
|
Назначение - дифференциальная система для аппаратуры цифровой системы ИКМ-30-4. | 2 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Телефония | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема К176РУ2
#828
|
21880 | СНГ | 120 шт |
6 грн.
|
|
Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) на 256 бит с управлением. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К170АА7
#5697
|
26313 | СНГ | 120 шт |
8 грн.
|
|
Формирователь втекающих токов. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К176ПУ3
#8382
|
21911 | СНГ | 120 шт |
6 грн.
|
|
Преобразователь логических уровней. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 26100 | СНГ | 120 шт |
700 грн.
|
|
Фотоэлектронный умножитель с электростатической фокусировкой электронов для измерения предельно малых световых потоков в широкой области спектра. Применяется в астрономии, астрофизике и при спектральном анализе. Фотокатод — сурьмяно-натриево-калиево-цезиевый. Оптический вход — торцевой. Диаметр рабочей площади катода 6 мм. Число каскадов усиления 11. | 200 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 22521 | TOSHIBA | 119 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | — | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 1Вт | 200шт. | 30В | 2А | 120МГц | 320 | — | — | ||||||||||||
Транзистор 2N2222A
#9670
|
20876 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 119 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 625мВт | 1000шт. | 40В | 600мА | 300МГц | 100 | — | — | |||||||||||
Микросхема К176ЛЕ10
#824
|
22295 | СНГ | 118 шт |
6 грн.
|
|
3 логических элемента 3ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема IP113C LF
#4129
|
20068 | ICPLUS | 118 шт |
72 грн.
|
|
0.7 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор МП111
#11391
|
23502 | СНГ | 118 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 0,5МГц | 25 | — | — | ||||||||||
Микросхема К155ИЕ1
#4070
|
21233 | СНГ | 117 шт |
8 грн.
|
|
Микросхемы К155ИЕ1 представляют собой декадный счетчик с фазоимпульсным представлением информации. Содержит 105 интегральных элементов. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20187 | VISHAY | 117 шт |
7 грн.
|
|
DO201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 6.8V | — | |||||||||||
STK0260
#4379
|
20971 | AUK | 116 шт |
12 грн.
|
|
скачать datasheet STK0260 pdf,477 КБ | 2 | — | TO220F | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 600В | 600мА | 1.3Вт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 26549 | СНГ | 116 шт |
10 грн.
|
|
Быстрый умножитель 2х4. | 3 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема К555ЛА9
#899
|
21425 | СНГ | 115 шт |
6 грн.
|
|
Четыре логических элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным выходом. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 25893 | СНГ | 115 шт |
6 грн.
|
|
Схема контроля четности. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор П216Б
#14715
|
26933 | СНГ | 115 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 10 | — | — | ||||||||||
Транзистор МП102
#16894
|
29141 | СНГ | 115 шт |
7 грн.
|
|
Транзисторы МП102 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 45 | — | — | ||||||||||
Транзистор 2SB892
#2376
|
22523 | SANYO | 114 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 1Вт | 200шт. | 60В | 2А | 150МГц | 560 | — | — | |||||||||||
Варикап КВ109Б
#11393
|
23504 | — | 113 шт |
2,50 грн.
|
Емкость номинальная при обратном напряжении 25 V 2.15 pF Емкость минимальная при обратном напряжении 25 V 2 pF Емкость максимальная при обратном напряжении 25 V 2.3 pF Добротность при частоте 50 MHz, обратном напряжении 3 V 300 Коэффициент перекрытия по емкости при напряжении 3 ... 25 V 4.5 ... 6.5 Обратный ток при обратном напряжении 28 V 0.5 μA | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема КР572ПВ1
#695
|
22306 | СНГ | 112 шт |
20 грн.
|
|
12-разрядный аналого-цифровой преобразователь последовательного приближения. | 7 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2SA970
#2368
|
22510 | TOSHIBA | 112 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 200шт. | 120В | 100мА | 100МГц | 375 | — | — | |||||||||||
Диод 1N5399
#1004
|
20133 | MIC | 111 шт |
1 грн.
|
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В1000 Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А1.5 КорпусDO15 Рабочая температура,С-65…150 | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 1000V | 1A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
| 20184 | VISHAY | 111 шт |
8 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 20V | — | |||||||||||
Транзистор 2SB764
#10484
|
22527 | TOSHIBA | 111 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 900мВт | 200шт. | 60В | 1А | 150МГц | 320 | — | — | |||||||||||
Микросхема К511ЛА4
#847
|
21426 | СНГ | 110 шт |
6 грн.
|
|
Два логических элемента 4И-НЕ с расширением по И. | 1.5 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П210Б
#12950
|
25221 | СНГ | 110 шт |
60 грн.
|
|
П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А. • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10 | 34 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 45Вт | 10шт. | 65В | 12А | — | 10 | — | — | ||||||||||
Микросхема К176ЛП12
#832
|
21671 | СНГ | 109 шт |
6 грн.
|
|
2 логических элемента 4И-НЕ и логический элемент НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21337 | СНГ | 109 шт |
8 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ЛИ5 представляют собой 2 логических элемента 2И с мощным открытым коллекторным выходом. Содержат 20 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — |
