Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
|
Транзистор 2SA970
#2368
|
22510 | TOSHIBA | 112 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 200шт. | 120В | 100мА | 100МГц | 375 | — | — | — | — | |||||||||||
|
Диод 1N5399
#1004
|
20133 | MIC | 111 шт |
1 грн.
|
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В1000 Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А1.5 КорпусDO15 Рабочая температура,С-65…150 | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 1000V | 1A | — | — | Выпрямительный | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
| 20184 | VISHAY | 111 шт |
8 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 20V | — | |||||||||||
|
Транзистор 2SB764
#10484
|
22527 | TOSHIBA | 111 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 900мВт | 200шт. | 60В | 1А | 150МГц | 320 | — | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема К511ЛА4
#847
|
21426 | СНГ | 110 шт |
6 грн.
|
|
Два логических элемента 4И-НЕ с расширением по И. | 1.5 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор П210Б
#12950
|
25221 | СНГ | 110 шт |
60 грн.
|
|
П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А. • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10 | 34 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 45Вт | 10шт. | 65В | 12А | — | 10 | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема К176ЛП12
#832
|
21671 | СНГ | 109 шт |
6 грн.
|
|
2 логических элемента 4И-НЕ и логический элемент НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21337 | СНГ | 109 шт |
8 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ЛИ5 представляют собой 2 логических элемента 2И с мощным открытым коллекторным выходом. Содержат 20 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Тиристор КУ102Г
#13691
|
25851 | СНГ | 109 шт |
20 грн.
|
Тиристоры кремниевые КУ102Г, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов малой мощности. Основные технические параметры тиристора КУ102Г: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 5 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 200 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 5 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 0,05 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: не менее 0,2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Запирающий импульсный ток управления: 20 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 12 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 200 В/мкс; • Время включения: 5 мкс; • Время выключения: 20 мкс. • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 1.2 | — | — | — | DIP | — | 200V | — | 5A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор 2SC2655Y
#2172
|
22529 | TOSHIBA | 108 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 900мВт | 200шт. | 50В | 2А | 100МГц | 240 | — | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема К564ЛЕ10 (ник.)
#10396
|
22405 | СНГ | 107 шт |
8 грн.
|
|
Три трехвходовых элемента ИЛИ-НЕ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон BZX55C 3V0
#4186
|
20201 | Rectron Semiconductor | 106 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон    3.0V  0.5W  (BZX55C 3V0) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 3V0 | DO-35 | — | — | ||||||||||
|
Диод Д101А
#16152
|
28393 | СНГ | 106 шт |
3 грн.
|
|
Диоды Д101А кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 75V | 30mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
| 20196 | VISHAY | 105 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 250V | — | |||||||||||
| 21186 | ST MICROELECTRONICS | 105 шт |
41 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Микросхема К145ХК3П
#14431
|
26640 | СНГ | 105 шт |
20 грн.
|
|
Устройство ввода. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23868 | СНГ | 104 шт |
22 грн.
|
|
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. | 2 | — | — | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP x2 | 20мВт | 200шт. | 15В | 20мА | 500МГц | 140 | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор КТ807А
#14151
|
26345 | СНГ | 104 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. | 2.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 10Вт | 20шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||||
| 26552 | СНГ | 104 шт |
6 грн.
|
|
Два JK-тригтера с входами установки и сброса | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема К174АФ4А
#784
|
21964 | СНГ | 103 шт |
15 грн.
|
|
Микросхема К174АФ4А предназначена для получения R-G-B цветовых сигналов из двух цветоразностных и яркостного сигналов, а также сигнала для регулировки насыщенности. Основное функциональное назначение; регулировка цветовой насыщенности, формирование сигналов R, G, В в телевизионных приемниках цветного изображения совместно с микросхемами К174УП1 и К174ХА1. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема К511ПУ1
#844
|
24928 | СНГ | 103 шт |
6 грн.
|
|
Преобразователь высокого уровня в низкий: два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением по И. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон BZX55C 15V
#4204
|
20218 | Rectron Semiconductor | 103 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон   15V    0.5W  (BZX55C 15V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 15V | DO-35 | — | — | ||||||||||
| 25698 | СНГ | 103 шт |
8 грн.
|
|
16-разрядая схема контроля по коду Хэмминга. | 2.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема К561ИР6
#10796
|
22985 | СНГ | 102 шт |
12 грн.
|
|
Восьмиразрядный сдвигающий регистр. | 2.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема 589ИР12
#14489
|
26704 | СНГ | 102 шт |
30 грн.
|
|
5 Приемка. Многорежимный буферный регистр и предназначена для подключения различных внешних устройств микропроцессорного вычислительного устройства с помощью единой магистрали данных. | 3.7 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема К561ИК1
#4057
|
22195 | СНГ | 101 шт |
6 грн.
|
|
Строенный мажоритарно-мультиплексорный элемент. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21838 | СНГ | 101 шт |
10 грн.
|
|
Стабилизатор напряжения 15В; 1,0А Корпус: КТ28-2 (TO220) | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Диод Д226Б
#8878
|
25873 | СНГ | 100 шт |
5 грн.
|
|
Диоды Д226Б кремниевые, сплавные. Основные технические характеристики диода Д226Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 300 В. | 1 | — | — | — | DIP | КД-8 | 400V | 300mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
|
Диод Д226Д
#8879
|
22960 | СНГ | 100 шт |
4 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода Д226Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 100 В | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 100V | 300mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
|
Микросхема К564ТР2 (ник.)
#10437
|
22449 | СНГ | 100 шт |
23 грн.
|
|
Четыре RS-триггера (асинхронных) с третьим состоянием на входе. | 0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |