Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
22510 TOSHIBA 112 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 200шт. 120В 100мА 100МГц 375
20133 MIC 111 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Максимальное постоянное обратное напряжение,В1000 Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А1.5 КорпусDO15 Рабочая температура,С-65…150 0.4 DIP DO-15 1000V 1A Выпрямительный 500шт. одиночный
20184 VISHAY 111 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
30+7,20 грн.
50+6,40 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 20V
22527 TOSHIBA 111 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP PNP 900мВт 200шт. 60В 150МГц 320
21426 СНГ 110 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Два логических элемента 4И-НЕ с расширением по И. 1.5 DIP14 DIP Логика 100шт.
25221 СНГ 110 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А. • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10 34 Биполярный DIP PNP 45Вт 10шт. 65В 12А 10
21671 СНГ 109 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ и логический элемент НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21337 СНГ 109 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ЛИ5 представляют собой 2 логических элемента 2И с мощным открытым коллекторным выходом. Содержат 20 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
25851 СНГ 109 шт
20 грн.
Тиристоры кремниевые КУ102Г, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов малой мощности. Основные технические параметры тиристора КУ102Г: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 5 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 200 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 5 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 0,05 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: не менее 0,2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Запирающий импульсный ток управления: 20 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 12 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 200 В/мкс; • Время включения: 5 мкс; • Время выключения: 20 мкс. • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С 1.2 DIP 200V 5A 100шт.
22529 TOSHIBA 108 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP NPN 900мВт 200шт. 50В 100МГц 240
22405 СНГ 107 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Три трехвходовых элемента ИЛИ-НЕ. 0.5 SO14 SMD Логика 100шт.
20201 Rectron Semiconductor 106 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    3.0V  0.5W  (BZX55C 3V0) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 3V0 DO-35
28393 СНГ 106 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Диоды Д101А кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. 0.3 DIP D104 75V 30mA Выпрямительный 100шт. одиночный
20196 VISHAY 105 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
30+8,10 грн.
50+7,20 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 250V
21186 ST MICROELECTRONICS 105 шт
41 грн.
10+38,95 грн.
50+36,90 грн.
100+32,80 грн.
0.4 SO8 SMD Интерфейсы 50шт.
26640 СНГ 105 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Устройство ввода. 3.5 DIP Интерфейсы 32шт.
23868 СНГ 104 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. 2 Биполярный SMD PNP x2 20мВт 200шт. 15В 20мА 500МГц 140
26345 СНГ 104 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. 2.5 Биполярный DIP NPN 10Вт 20шт. 100В 500мА 5МГц 45
26552 СНГ 104 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Два JK-тригтера с входами установки и сброса 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21964 СНГ 103 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Микросхема К174АФ4А предназначена для получения R-G-B цветовых сигналов из двух цветоразностных и яркостного сигналов, а также сигнала для регулировки насыщенности. Основное функциональное назначение; регулировка цветовой насыщенности, формирование сигналов R, G, В в телевизионных приемниках цветного изображения совместно с микросхемами К174УП1 и К174ХА1. 1.2 DIP16 DIP TV 90шт.
24928 СНГ 103 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Преобразователь высокого уровня в низкий: два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением по И. 1.2 DIP14 DIP Логика 100шт.
20218 Rectron Semiconductor 103 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон   15V    0.5W  (BZX55C 15V) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 15V DO-35
25698 СНГ 103 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
16-разрядая схема контроля по коду Хэмминга. 2.5 DIP28 DIP Логика 60шт.
22985 СНГ 102 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Восьмиразрядный сдвигающий регистр. 2.5 DIP24 DIP Логика 120шт.
26704 СНГ 102 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
5 Приемка. Многорежимный буферный регистр и предназначена для подключения различных внешних устройств микропроцессорного вычислительного устройства с помощью единой магистрали данных. 3.7 DIP24 DIP Логика 36шт.
22195 СНГ 101 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Строенный мажоритарно-мультиплексорный элемент. 1.1 DIP16 DIP Логика 90шт.
21838 СНГ 101 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Стабилизатор напряжения 15В; 1,0А Корпус: КТ28-2 (TO220) 2.5 TO-220 DIP Питание 200шт.
25873 СНГ 100 шт
5 грн.
50+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
Диоды Д226Б кремниевые, сплавные. Основные технические характеристики диода Д226Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 300 В. 1 DIP КД-8 400V 300mA Выпрямительный 200шт. одиночный
22960 СНГ 100 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Основные технические характеристики диода Д226Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 100 В 2 DIP КД-8 100V 300mA Выпрямительный 200шт. одиночный
22449 СНГ 100 шт
23 грн.
10+21,85 грн.
50+20,70 грн.
100+18,40 грн.
Четыре RS-триггера (асинхронных) с третьим состоянием на входе. 0.7 SO16 SMD Логика 100шт.