Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение пробоя Конструкция диода
25828 Power Integrations 99 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
0.5 SMD-8B — — SMD — — — Питание — — — 50шт. — — — — — —
21246 СНГ 98 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхемы К155ИЕ7 представляют собой четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик. 1.2 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — 100шт. — — — — — —
25873 СНГ 98 шт
5 грн.
50+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
Диоды Д226Б кремниевые, сплавные. Основные технические характеристики диода Д226Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 300 В. 1 — — — DIP КД-8 400V 300mA — Выпрямительный — — 200шт. — — — — — одиночный
21285 СНГ 98 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Регистр четырехразрядный с буферной шиной и тремя состояниями выходов. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — 100шт. — — — — — —
22514 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 98 шт
1,20 грн.
10+1,14 грн.
50+1,08 грн.
100+0,96 грн.
500+0,84 грн.
0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — NPN 625мВт 1000шт. 45В 100мА — 1400 — —
23394 BL Galaxy Electrical 98 шт
3,50 грн.
10+3,32 грн.
30+3,15 грн.
50+2,80 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 250V —
25858 СНГ 98 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30 — —
29108 DIOTEC SEMICONDUCTOR 98 шт
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.1 — — — SMD SOD123 75V 250mA — Быстрый — — 3000шт. — — — — — одиночный
20167 VISHAY 97 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
30+4,50 грн.
50+4 грн.
DO-201 1.1 — — — DIP DO-201AD — — — Защитный — 1.5кВт 200шт. — — — — 75V —
23388 VISHAY 97 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 100V —
20181 VISHAY 96 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
DO-201 1.1 — — — DIP DO-201AD — — — Защитный — 1.5кВт 200шт. — — — — 51V —
25881 Taychipst 96 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 82V —
23390 VISHAY 96 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 150V —
21320 СНГ 95 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхема предназначена для обмена информацией между устройствами и блоками систем и для передачи данных на периферийные устройства, устройства отображения и индикации, для интерфейсов, изготовленных по биполярной технологии (ТТЛШ). Микросхема КР559ИП2 представляет собой четыре магистральных приемника. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — 90шт. — — — — — —
22014 СНГ 95 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Цифровая микросхема серии ТТЛ. Микросхемы КМ555КП15 представляют собой восьмивходовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями. Содержат 148 интегральных элементов. 1.3 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — 100шт. — — — — — —
20198 VISHAY 95 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
30+8,10 грн.
50+7,20 грн.
DO-201 1.1 — — — DIP DO-201AD — — — Защитный — 1.5кВт 200шт. — — — — 440V —
22960 СНГ 95 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Основные технические характеристики диода Д226Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 100 В 2 — — — DIP КД-8 100V 300mA — Выпрямительный — — 200шт. — — — — — одиночный
21397 СНГ 95 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ. 0.5 SO14 — — SMD — — — Логика — — — 200шт. — — — — — —
23360 Taychipst 95 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 11V —
23384 Taychipst 95 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 75V —
23387 VISHAY 95 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — 600Вт 1000шт. — — — — 100V —
26556 СНГ 95 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Четыре логических элемента 2И-НЕ с высокой нагрузочной способностью. 1.2 DIP14 — — DIP — — — Логика — — — 100шт. — — — — — —
29487 ON SEMICONDUCTOR 95 шт
20 грн.
100+18 грн.
200+16 грн.
500+14 грн.
1.1 — — — DIP DO-201AD 1000V 4А — Быстрый — — 1500шт. — — — — — одиночный
26345 СНГ 94 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. 2.5 — — Биполярный DIP — — — — — NPN 10Вт 20шт. 100В 500мА 5МГц 45 — —
20160 MIC 93 шт
10 грн.
100+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
1.6 — — — DIP DO-201AD 600V 2A — Быстрый — — 250шт. — — — — — одиночный
23486 СНГ 93 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. 2.5 — — Биполярный DIP — — — — — NPN 10Вт 100шт. 100В 500мА 5МГц 100 — —
25834 Power Integrations 93 шт
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
0.5 SMD-8B — — SMD — — — Питание — — — 50шт. — — — — — —
21288 СНГ 92 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155РЕ23 представляют собой постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) емкостью 1024 бит (с организацией 256x4) с использованием в качестве преобразователя двоичного кода в код арифметических знаков и цифр. Содержит 1620 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации К155РЕ23: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP16 — — DIP — — — Память — — — 90шт. — — — — — —
21287 СНГ 92 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155РЕ24 представляют собой постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) емкостью 1024 бит (с организацией 256 х 4) с использованием в качестве преобразователя двоичного кода в код дополнительных знаков. Содержит 1620 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации К155РЕ24: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP16 — — DIP — — — Память — — — 90шт. — — — — — —
20636 MARVELL 92 шт
290 грн.
10+275,50 грн.
50+261 грн.
100+232 грн.
3 QFP128 — — SMD — — — Ethernet — — — 72шт. — — — — — —