Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Микросхема TNY275GN
#13662
|
25828 | Power Integrations | 99 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 24599 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс. | 2 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 20В | 120мА | 120МГц | 120 | — | — | |||||||||||
Микросхема КМ555ИР15
#9763
|
21285 | СНГ | 98 шт |
6 грн.
|
|
Регистр четырехразрядный с буферной шиной и тремя состояниями выходов. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2N5962
#10480
|
22514 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,20 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 625мВт | 1000шт. | 45В | 100мА | — | 1400 | — | — | |||||||||||
| 23394 | BL Galaxy Electrical | 98 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 250V | — | ||||||||||||
Транзистор МП10
#13698
|
25858 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | — | — | ||||||||||
Диод 1N4448WS-7-F
#16861
|
29108 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,50 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | SOD123 | 75V | 250mA | — | Быстрый | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
Транзистор YGW40N65F1
#17177
|
29427 | luxin-semi | 98 шт |
95 грн.
|
|
6.5 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | 188Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | |||||||||||
| 20167 | VISHAY | 97 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 75V | — | |||||||||||
| 23388 | VISHAY | 97 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||||
| 20181 | VISHAY | 96 шт |
4 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 51V | — | |||||||||||
| 25881 | Taychipst | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 82V | — | ||||||||||||
| 23390 | VISHAY | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 150V | — | ||||||||||||
Микросхема КР559ИП2
#887
|
21320 | СНГ | 95 шт |
6 грн.
|
|
Микросхема предназначена для обмена информацией между устройствами и блоками систем и для передачи данных на периферийные устройства, устройства отображения и индикации, для интерфейсов, изготовленных по биполярной технологии (ТТЛШ). Микросхема КР559ИП2 представляет собой четыре магистральных приемника. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КМ555КП15
#4061
|
22014 | СНГ | 95 шт |
5 грн.
|
|
Цифровая микросхема серии ТТЛ. Микросхемы КМ555КП15 представляют собой восьмивходовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями. Содержат 148 интегральных элементов. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20198 | VISHAY | 95 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 440V | — | |||||||||||
Микросхема И1533ЛЕ1
#9814
|
21397 | СНГ | 95 шт |
21 грн.
|
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23384 | Taychipst | 95 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 75V | — | ||||||||||||
| 23387 | VISHAY | 95 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||||
| 26556 | СНГ | 95 шт |
6 грн.
|
|
Четыре логических элемента 2И-НЕ с высокой нагрузочной способностью. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Диод MUR4100ERLG
#17234
|
29487 | ON SEMICONDUCTOR | 95 шт |
20 грн.
|
|
1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 1000V | 4А | — | Быстрый | — | — | 1500шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
Транзистор КТ807Б
#11375
|
23486 | СНГ | 94 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. | 2.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 10Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 100 | — | — | ||||||||||
| 20160 | MIC | 93 шт |
10 грн.
|
|
1.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 2A | — | Быстрый | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||||
Микросхема TNY279GN
#13666
|
25834 | Power Integrations | 93 шт |
36 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема К155РЕ23
#958
|
21288 | СНГ | 92 шт |
6 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155РЕ23 представляют собой постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) емкостью 1024 бит (с организацией 256x4) с использованием в качестве преобразователя двоичного кода в код арифметических знаков и цифр. Содержит 1620 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации К155РЕ23: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Память | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К155РЕ24
#959
|
21287 | СНГ | 92 шт |
8 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155РЕ24 представляют собой постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) емкостью 1024 бит (с организацией 256 х 4) с использованием в качестве преобразователя двоичного кода в код дополнительных знаков. Содержит 1620 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации К155РЕ24: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Память | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема TL494IN
#3267
|
21122 | TEXAS INSTRUMENTS | 92 шт |
20 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема 88E3083-LKJ1
#4144
|
20636 | MARVELL | 92 шт |
290 грн.
|
|
3 | QFP128 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | — | 72шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ3107К
#6836
|
22261 | СНГ | 92 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | — | — | |||||||||||
Диодный мост W10M
#10481
|
22520 | SEP | 92 шт |
4 грн.
|
|
0.9 | — | — | — | DIP | — | 1000V | 1A | — | Диодный мост | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — |
