Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
23848 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
— Транзисторы КП303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 — КТ-1 Полевой DIP — — — — — МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — — — — —
23849 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
— Транзисторы КП303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 — КТ-1 Полевой DIP — — — — — МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — — — — —
23913 СНГ —
160 грн.
50+144 грн.
200+128 грн.
500+112 грн.
— Д161-200-12 Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибким выводом, прямой и обратной (со знаком Х) полярностей. У диодов прямой полярности анодом является основание корпуса, обратной полярности - гибкий вывод. Средний прямой ток - 200 А Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. 270 — — — DIP — 1200V 200А — Выпрямительный — — — — 1шт. — — — — — — одиночный
23914 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 140 — — —
23919 СНГ —
25 грн.
50+22,50 грн.
200+20 грн.
500+17,50 грн.
— Столб из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. 34 — — — Винт — 4kV 50mA — Высоковольтный — — — — 24шт. — — — — — — одиночный
23974 СНГ —
10 грн.
10+9 грн.
20+8,50 грн.
50+8 грн.
— Неоновая лампа ТН-0,3-3 применяется в качестве индикаторных, сигнальных элементов в различных электротехнических и радиотехнических устройствах. 2.5 — — — DIP — — — — — — — — — 100шт. — — — — — — —
24018 СНГ —
34 грн.
10+32,30 грн.
50+30,60 грн.
100+27,20 грн.
— Восьмивходовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями. 0.7 SO16 — — SMD — — — Логика — — — — — 30шт. — — — — — — —
24034 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
— Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. 1.6 — — Биполярный SMD — — — — — NPN — — 1Вт 100шт. 40В 1А 200МГц 120 — — —
24036 СНГ —
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
— Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы. 1.6 — — Биполярный — — — — — — NPN — — — 50шт. — — — 180 — — —
224041 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— Автоколебательный мультивибратор. 3 — — — DIP — — — Логика — — — — — 30шт. — — — — — — —
24044 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Дифференциальная пара транзисторов. 2.5 — — — SMD — — — Транзисторная сборка — — — — — 120шт. — — — — — — —
24126 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств. 10 — — Биполярный DIP — — — — — NPN — — 10Вт 20шт. 40В 500мА 20МГц 40 — — —
24129 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220 — — —
24130 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 300мВт 1000шт. 20В 200мА 200МГц 800 — — —
24131 СНГ —
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
— Транзисторы П702 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. 22 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 40Вт 20шт. 60В 2А 4МГц 25 — — —
24133 СНГ —
6 грн.
50+5,40 грн.
200+4,80 грн.
500+4,20 грн.
— Основные технические характеристики диода Д226: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 400 В. 2 — — — DIP — 400V 300mA — Выпрямительный — — — — 200шт. — — — — — — одиночный
24134 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Основные технические характеристики диода Д104А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 30 мА; • fд - Рабочая частота диода: 150 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 1 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,5 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,7 пФ при Uoбp 0,3 В. 0.5 — — — DIP D104 100V 30mA — Импульсный — — — — 100шт. — — — — — — одиночный
24135 СНГ —
1 грн.
50+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
— Основные технические характеристики диода КД522Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс; • Сд - Общая емкость: 4 пФ. 0.2 — — — DIP КД-2 50V 100mA — Импульсный — — — — 500шт. — — — — — — одиночный
24136 СНГ —
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
— Стабилитрон кремниевый средней мощности, 10В Основные технические параметры стабилитрона Д815Г: • Разброс напряжения стабилизации: 9... 11 В при Iст 500 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,08 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 1,8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 800 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 4.2 — — — Винт — — — — — — — — 8Вт 100шт. — — — — 10V ks620 —
24137 СНГ —
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
— Диод германиевый сплавный. 10.5 — — — Винт — 150V 3.0A — Выпрямительный — — — — 30шт. — — — — — — одиночный
24141 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Диоды кремниевые Д103А, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. 0.4 — — — DIP D104 30V 30mA — Высокочастотный — — — — 200шт. — — — — — — одиночный
24243 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— Транзисторы П308 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. 1.5 — КТЮ-3-6 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 250мВт 100шт. 120В 30мА 20МГц 90 — — —
24244 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— КТ602Б Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. 3.2 — КТЮ-3-9 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 220 — — —
24245 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Транзисторы КТ608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 — КТЮ-3-6 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160 — — —
24246 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— КТ604АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. 1 — TO126 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 40 — — —
24247 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. 1 — TO126 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 1Вт 100шт. 60В 1.5А 80МГц 160 — — —
24248 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— КТ611АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах. 1 — TO126 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 3Вт 100шт. 180В 100мА 60МГц 40 — — —
24249 СНГ —
160 грн.
10+152 грн.
50+144 грн.
100+128 грн.
— Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре. 0.4 — — Биполярный SMD — — — — — NPN — — 1.5Вт 8шт. 35В 150мА 0,7МГц — — — —
24255 СНГ —
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
— Транзисторы 2П903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. 4.5 — КТ-4-2 Полевой Винт — — — — — МОП n-канальный 20В 700мА 6Вт 20шт. — — — — — — —
24260 СНГ —
120 грн.
— Тиристоры Т50-11 предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок частотой до 500 Гц, а также в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, бесконтактных коммутационных устройствах. 180 — — — Охладитель — 1100V 50A — — — — — — 1шт. — — — — — — —