Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
| — | TEXAS INSTRUMENTS | — |
1 236 грн.
|
|
— | DSP, FIX PT, 160-MIPS, 144LQFP; Series:TMS320; DSP Type:Fixed Point; MMAC:160; Frequency, Core Typ:160MHz; Memory Size, RAM:256KB; Memory, External Supported:Async; Interface Type:SPI; Voltage, Supply Min:2.7V; Voltage, Supply Max:3.6V; Termination Type:SMD; Case Style:LQFP; Pins, No. of:144; Temperature, Operating Range:-40°C to +100°C; Base Number:320; Frequency:160MHz; IC Generic Number:TMS320VC5416P. | 4.5 | LQFP144 | — | — | SMD | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема UPD78F9116AC
#11573
|
30018 | NEC | — |
66 грн.
|
|
— | 2 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод СВЧ АА112Б
#11584
|
23815 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Предназначены для применения в преобразователях частоты сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок. | 0.03 | — | — | — | DIP | КД-1 | — | — | — | СВЧ | — | — | — | 150мВт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
| 23834 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Основные характеристики микросхемы КР142ЕН5А (КРЕН5А) Выходное напряжение 5В Выходной ток 1,5 А Максимальное входное напряжение 15 В Разность напряжения вход-выход 2,5 В Мощность рассеивания (с теплоотводом) 10 Вт Точность выходного напряжения ±0.2 В Диапазон рабочих температур -45…+70 °C | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема УПЧЗ-2
#11609
|
23835 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | УПЧЗ-2 - усилитель напряжения промежуточной частоты звука 6,5 МГц. Применяется в телевизорах, может найти применение в качестве законченного узла ПЧ звука, имеет электронную регулировку звука на выходе. Может применяться радиолюбителями для разнообразных схемных решений узлов УКВ ЧМ приемников. | 2.5 | ZIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП303Д Ni
#11617
|
23848 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП303В Ni
#11618
|
23849 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Диод силовой Д161-200-12
#11684
|
23913 | СНГ | — |
160 грн.
|
|
— | Д161-200-12 Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибким выводом, прямой и обратной (со знаком Х) полярностей. У диодов прямой полярности анодом является основание корпуса, обратной полярности - гибкий вывод. Средний прямой ток - 200 А Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. | 270 | — | — | — | DIP | — | 1200V | 200А | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Транзистор КТ3107В
#11685
|
23914 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 140 | — | — | — | ||||||||
Диодный столб Д1005А
#11690
|
23919 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Столб из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. | 34 | — | — | — | Винт | — | 4kV | 50mA | — | Высоковольтный | — | — | — | — | 24шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
| 23974 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Неоновая лампа ТН-0,3-3 применяется в качестве индикаторных, сигнальных элементов в различных электротехнических и радиотехнических устройствах. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема 533КП15 Au
#11789
|
24018 | СНГ | — |
34 грн.
|
|
— | Восьмивходовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями. | 0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т625АМ-2
#11805
|
24034 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. | 1.6 | — | — | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 1Вт | 100шт. | 40В | 1А | 200МГц | 120 | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т331В-1
#11807
|
24036 | СНГ | — |
38 грн.
|
|
— | Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы. | 1.6 | — | — | Биполярный | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | — | 50шт. | — | — | — | 180 | — | — | — | |||||||
Микросхема 218ГГ1-Н
#11811
|
224041 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Автоколебательный мультивибратор. | 3 | — | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема 129НТ1Б-1
#11814
|
24044 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Дифференциальная пара транзисторов. | 2.5 | — | — | — | SMD | — | — | — | Транзисторная сборка | — | — | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор П701
#11874
|
24126 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 20шт. | 40В | 500мА | 20МГц | 40 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ3107Г
#11876
|
24129 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3107Л
#11877
|
24130 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 20В | 200мА | 200МГц | 800 | — | — | — | ||||||||
Транзистор П702
#11878
|
24131 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Транзисторы П702 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 40Вт | 20шт. | 60В | 2А | 4МГц | 25 | — | — | — | |||||||
Диод Д226
#11880
|
24133 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д226: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 400 В. | 2 | — | — | — | DIP | — | 400V | 300mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод Д104А
#11881
|
24134 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д104А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 30 мА; • fд - Рабочая частота диода: 150 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 1 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,5 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,7 пФ при Uoбp 0,3 В. | 0.5 | — | — | — | DIP | D104 | 100V | 30mA | — | Импульсный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод КД522Б
#11882
|
24135 | СНГ | — |
1 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода КД522Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс; • Сд - Общая емкость: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 50V | 100mA | — | Импульсный | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Стабилитрон Д815Г
#11883
|
24136 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабилитрон кремниевый средней мощности, 10В Основные технические параметры стабилитрона Д815Г: • Разброс напряжения стабилизации: 9... 11 В при Iст 500 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,08 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 1,8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 800 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 4.2 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 10V | ks620 | — | |||||||
Диод Д303
#11884
|
24137 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Диод германиевый сплавный. | 10.5 | — | — | — | Винт | — | 150V | 3.0A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод Д103А
#11888
|
24141 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды кремниевые Д103А, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. | 0.4 | — | — | — | DIP | D104 | 30V | 30mA | — | Высокочастотный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Транзистор П308
#11954
|
24243 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзисторы П308 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 120В | 30мА | 20МГц | 90 | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т602Б (=КТ602Б)
#11955
|
24244 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | КТ602Б Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. | 3.2 | — | КТЮ-3-9 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 2.8Вт | 100шт. | 100В | 75мА | 150МГц | 220 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ608Б
#11956
|
24245 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 160 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ604АМ
#11957
|
24246 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | КТ604АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. | 1 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 3Вт | 200шт. | 250В | 200мА | 40МГц | 40 | — | — | — |
