Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Напряжение сток-исток	Ток стока	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Конструкция диода

Транзистор КТ639Д

#11958

24247

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.

TO126

Биполярный

DIP

—

PNP

—

1Вт

100шт.

60В

1.5А

80МГц

160

—

Транзистор КТ611АМ

#11959

24248

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

КТ611АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах.

TO126

Биполярный

DIP

—

NPN

—

3Вт

100шт.

180В

100мА

60МГц

—

Транзистор 2Т607А-4

#11960

24249

СНГ

—

160 грн.

10+	152 грн.
50+	144 грн.
100+	128 грн.

—

Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре.

0.4

—

Биполярный

SMD

—

NPN

—

1.5Вт

8шт.

35В

150мА

0,7МГц

—

Транзистор 2П903В (=КП903В)

#11966

24255

СНГ

—

35 грн.

10+	33,25 грн.
50+	31,50 грн.
100+	28 грн.

—

Транзисторы 2П903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.

4.5

КТ-4-2

Полевой

Винт

—

МОП n-канальный

20В

700мА

6Вт

20шт.

—

Тиристор силовой Т50-11-133

#11971

24260

СНГ

—

120 грн.

—

Тиристоры Т50-11 предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок частотой до 500 Гц, а также в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, бесконтактных коммутационных устройствах.

180

—

Охладитель

—

1100V

50A

—

1шт.

—

Диод Д106

#11981

24270

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Микросплавные, кремниевые, универсальные. Предназначены для применения в системах АРУ, дискриминаторах, видеоусилителях.

0.3

—

DIP

D104

30V

30mA

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Лампа модуляторная ГМИ-6

#11983

24272

—

120 грн.

10+	108 грн.
20+	102 грн.
50+	96 грн.

—

Импульсный модуляторный двойной тетрод ГМИ-6 для работы в импульсных модуляторах стационарных и передвижных устройств.

—

Лампа 6П45С

#11984

24273

—

200 грн.

10+	180 грн.
20+	170 грн.
50+	160 грн.

—

Выходной лучевой тетрод.

—

Диод КД503Б

#11986

24275

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

0.25

—

DIP

КД-121

30V

20mA

—

Импульсный

—

100шт.

—

одиночный

Радиолампа 6Ж4П

#12157

24450

СНГ

—

28 грн.

10+	25,20 грн.
20+	23,80 грн.
50+	22,40 грн.

—

6Ж4П Высокочастотный пентод. Предназначен для усиления напряжения высокой частоты.

—

DIP

—

100шт.

—

Диод Д214

#12160

24452

СНГ

—

25 грн.

50+	22,50 грн.
200+	20 грн.
500+	17,50 грн.

—

Диоды Д214 кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц.

—

Винт

КДЮ-11

100V

10A

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Транзистор КП327А (=BF961)

#12172

24464

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистор КП327А кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа

0.3

КТ-29

Полевой

SMD

—

МОП n-канальный

14В

30мА

200мВт

100шт.

—

Транзистор FIR150N06P

#12214

24591

First

—

22 грн.

10+	20,90 грн.
50+	19,80 грн.
100+	17,60 грн.

—

2.5

TO220

Полевой

DIP

—

МОП n-канальный

60В

150А

220Вт

50шт.

—

Тиристор КУ202И

#12215

24592

СНГ

—

20 грн.

—

Тиристоры кремниевые КУ202И планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

—

Винт

—

200V

10A

—

40шт.

—

Тиристор 2У201Л (=КУ201Л)

#12217

24594

СНГ

—

15 грн.

—

Основные технические параметры тиристора 2У201Л: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 300 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

—

Винт

—

300V

—

30A

—

40шт.

—

Тиристор 2У201И (=КУ201И)

#12218

24595

СНГ

—

20 грн.

—

Основные технические параметры тиристора 2У201И: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 200 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

—

Винт

—

200V

—

30A

—

40шт.

—

Тиристор силовой Т25-7

#12222

24601

СНГ

—

90 грн.

—

Т25-7 Тиристор низкочастотный штыревого исполнения. Тиристоры Т25-7 предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок частотой до 500 Гц. Выпускаются в корпусе с гибким выводом. Максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии - 25 А Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 700 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. Обозначение типономинала приводятся на корпусе. Габаритные размеры: - общая длина - 150 мм - длина шпильки - 16 мм - резьба - М10.

135

—

Винт

—

700V

25A

—

1шт.

—

Диод Д232А

#12223

24602

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д232А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 400 В.

—

Винт

КДЮ-11

400V

10A

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Диод 2Д202Д (=КД202Д)

#12226

24605

СНГ

—

9 грн.

50+	8,10 грн.
200+	7,20 грн.
500+	6,30 грн.

—

Основные технические характеристики диода 2Д202Д: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 200 В.

—

Винт

КДЮ-11

200V

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Транзистор 2Т809А (=КТ809А)

#12230

24609

СНГ

—

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом.

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

—

40Вт

20шт.

400В

5А

—

100

—

Транзистор П210А

#12231

24610

СНГ

—

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 15.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

—

60Вт

10шт.

65В

12А

—

Транзистор КТ816В

#12237

24616

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистор КТ816В кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный.

0.7

TO126

Биполярный

DIP

—

PNP

—

25Вт

200шт.

60В

3А

3МГц

—

Микросхема К574УД1Б Au

#12238

24618

СНГ

—

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

—

К574УД1Б Микросхемы изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии (BIFET). Микросхемы К574УД1Б представляют собой быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением. Предназначены для построения схем выборки и хранения, высокоомных широкополосных усилителей и компараторов, широкополосных генераторов с большим выходным напряжением. Не имеют внутренней частотой коррекции.

—

DIP

—

Усилители

—

50шт.

—

Стабилитрон Д814Д

#12240

24620

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.
250+	2,25 грн.

—

Стабилитроны Д814Д кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 11,5-14,0 В в диапазоне токов стабилизации 3...24 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе.

0.8

—

DIP

—

340мВт

200шт.

—

13V

—

Стабилитрон 2С133А (=КС133А)

#12241

24621

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

—

Стабилитроны 2С133А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 3...81 мА.

0.8

—

DIP

—

300мВт

200шт.

—

3V3

—

Стабилитрон 2С168А (=КС168А) мет.

#12242

24624

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.
250+	3 грн.

—

Стабилитроны 2С168А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8 В в диапазоне токов стабилизации 3...45 мА.

0.2

—

DIP

—

300мВт

500шт.

—

6V8

—

Стабилитрон 2С156А ОС(=КС156А)

#12243

24625

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
100+	32 грн.
250+	30 грн.

—

Стабилитроны 2С156А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...55 мА. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

5V6

—

Стабилитрон Д818Д

#12244

24626

СНГ

—

20 грн.

50+	18 грн.
100+	16 грн.
250+	15 грн.

—

Основные технические параметры стабилитрона Д818Д: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,002 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

kd-8

—

Микросхема К142ЕН6А (К16) Au

#12246

27628

СНГ

—

270 грн.

10+	256,50 грн.
50+	243 грн.
100+	216 грн.

—

Микросхема К142ЕН6А представляет собой двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением ±15 В и током нагрузки 200 мА. При эксплуатации допускается подключение нагрузки к какому-либо одному или одновременно к двум входам (каналам) микросхемы.

2.5

—

SMD

—

Питание

—

5шт.

—

Транзистор КТ812В

#12261

24643

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

kt-9

Биполярный

DIP

—

NPN

—

50Вт

20шт.

200В

8А

3МГц

—