Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Тиристор КУ202Д1
#12262
|
24644 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ202Д1 планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. | 2.1 | — | — | — | DIP | 100V | 10A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР544УД1А
#12263
|
24645 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Микросхемы КР544УД1А представляют собой операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и низким уровнем входных токов, с внутренней частотной коррекцией, обеспечивающей устойчивую работу при любых режимах отрицательной обратной связи, включая режимы интеграторов и повторителей напряжения. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Усилители | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ940Б
#12264
|
24646 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 200шт. | 250В | 100мА | 90МГц | 25 | |||||||
Транзистор КТ817А
#12265
|
24647 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 40В | 3А | 3МГц | 40 | |||||||
Транзистор КТ817В
#12266
|
24648 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 40 | |||||||
Транзистор КП303Е Au
#12267
|
24649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ3102А
#12269
|
24651 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. | 0.34 | — | КТ-1 | — | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 300МГц | 250 | |||||||
Транзистор П27
#12270
|
24652 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 100 | |||||||
Транзистор П28
#12271
|
24653 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы П28 - германиевые, усилительные, малой мощности низкочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1КГц, структуры - p-n-p. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 5МГц | 200 | |||||||
Транзистор МП37
#12272
|
24654 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы МП37 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | |||||||
Транзистор КТ601А Au
#12273
|
24655 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 16; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс. | 2 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 100В | 30мА | 40МГц | 25 | |||||||
Транзистор КТ603Б Au
#12274
|
24656 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | |||||||
Транзистор КТ808А с крепежом
#12276
|
24658 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. | 30 | — | КТЮ-3-20 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 10шт. | 120В | 10А | — | 50 | |||||||
Тиристор 2У202Л (=КУ202Л)
#12278
|
24660 | СНГ | — |
35 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые 2У202Л планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. | 11 | — | — | — | Винт | 300V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К140УД1Б Au
#12279
|
24661 | СНГ | — |
48 грн.
|
|
— | Микросхемы представляют собой операционые усилители средней точности без частотной коррекции. | 1.3 | — | — | — | DIP | — | — | Усилители | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | |||||||
Транзистор П422
#12280
|
24662 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 50МГц | 100 | |||||||
Микросхема STM8L151C6T6
#12287
|
30001 | ST MICROELECTRONICS | — |
54 грн.
|
|
— | 8-bit ultra-low-power MCU, up to 32 KB Flash, 1 KB Data EEPROM, RTC, LCD, timers, USART, I2C, SPI, ADC, DAC, comparators. | 0.5 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема STM8L151G6U6TR
#12288
|
30003 | ST MICROELECTRONICS | — |
90 грн.
|
|
— | 8-bit ultra-low-power MCU, up to 32 KB Flash, 1 KB Data EEPROM, RTC, LCD, timers, USART, I2C, SPI, ADC, DAC, comparators. | 0.2 | UFQFPN32 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема STM32F105RCT6
#12289
|
30006 | ST MICROELECTRONICS | — |
150 грн.
|
|
— | ARM Cortex-M3 32-bit, Flash: 64K, RAM: 20K, UART 5, ЦАП: 2 x 12bit. | 4 | LQFP64 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема STM32F030F4P6
#12290
|
30012 | ST MICROELECTRONICS | — |
38 грн.
|
|
— | 48 МГц, 16 Кбайт Flash, 4 Кбайта SRAM, 4 таймера 16 бит, 11 каналов 12-битного АЦП, по 1 интерфейсу SPI, I2C и USART. | 1 | TSSOP20 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 37шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема PIC18LF6527-I/PT
#12291
|
30013 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
227 грн.
|
|
— | MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP. | 1.5 | TQFP64 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема STM32F030C8T6
#12292
|
30015 | ST MICROELECTRONICS | — |
36 грн.
|
|
— | ARM Microcontrollers - MCU Value-Line ARM MCU 64kB 48 MHz. | 0.9 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема PIC16F676-I/SL
#12293
|
30016 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
36 грн.
|
|
— | 14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontroller. | 0.34 | SO14 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 57шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема STM8L051F3P6
#12294
|
30020 | ST MICROELECTRONICS | — |
28 грн.
|
|
— | Ядро: STM8, 8-бит; FLASH: 8 КБайт; EEPROM: 256 Байт; RAM: 1 КБайт. | 1 | TSSOP20 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 74шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема ATmega324PA-AU
#12295
|
30026 | ATMEL | — |
82 грн.
|
|
— | IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44TQFP. | 1.5 | TQFP44 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема STM32F030R8T6
#12296
|
30030 | ST MICROELECTRONICS | — |
66 грн.
|
|
— | ARM Microcontrollers - MCU Value-Line ARM MCU 64kB 48 MHz. | 1.5 | LQFP64 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема PIC16F1824-I/SL
#12297
|
30032 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
41 грн.
|
|
— | 8-bit Microcontrollers - MCU 7 KB Flash 256b RAM 32 MHz. | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 57шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема AT90S2323-10PI
#12298
|
30036 | ATMEL | — |
36 грн.
|
|
— | 8-Bit Microcontroller with 2K Bytes of In-System Programmable Flash. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема ATMEGA88PA-MU
#12299
|
30037 | ATMEL | — |
66 грн.
|
|
— | 8-bit Microcontrollers - MCU 1.8V - 5.5V 20MHz 8KB Programmable Flash. | 0.4 | QFN32 | — | — | SMD | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 490шт. | — | — | — | — | |||||||
Микросхема MC68HC908GP32CP
#12300
|
30039 | NXP | — |
53 грн.
|
|
— | IC MCU 8BIT 32KB FLASH 40DIP. | 3.5 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — |