Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение пробоя Конструкция диода
24156 NEC
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
5.7 TO3P Полевой DIP МОП n-канальный 500В 20А 140Вт 30шт.
24153 Silan Semiconductor
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
5.7 TO3P Полевой DIP МОП n-канальный 900В 150Вт 30шт.
24152 ON SEMICONDUCTOR
40 грн.
100+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
6.5 DIP TO-247 200V 2x15A Быстрый 30шт. двойной общий катод
24151 ST MICROELECTRONICS
72 грн.
100+64,80 грн.
200+57,60 грн.
500+50,40 грн.
4.5 DIP TO-247 300V 2x15A Быстрый 30шт. двойной общий катод
24150 ON SEMICONDUCTOR
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
5 DIP TO247-2 1200V 30A Быстрый 30шт. одиночный
24149 ST MICROELECTRONICS
120 грн.
100+108 грн.
200+96 грн.
500+84 грн.
5 DIP TO247-2 1200V 60A Быстрый 30шт. одиночный
24089 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
54 грн.
100+48,60 грн.
200+43,20 грн.
500+37,80 грн.
5 DIP TO-3P 300V 2x30A Быстрый 30шт. двойной общий катод
24090 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
5 DIP TO-3P 600V 2x15A Быстрый 30шт. двойной общий катод
24927 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
ЧМ тракт радиоприемного устройства для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией УКВ диапазона, а также усиления сигналов низкой частоты. 1.1 DIP16 DIP Радиоприем 90шт.
24935 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Двоично-десятичный дешифратор. 1.3 DIP16 DIP Логика 90шт.
24940 СНГ
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
ЧМ тракт радиоприемного устройства для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией УКВ диапазона, а также усиления сигналов низкой частоты. 1.2 DIP16 DIP Радиоприем 90шт.
24941 Telefunken
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Предназначена для индикации уровня сигнала на светодиодных линейках. 1.2 DIP18 DIP Драйверы 25шт.
24949 PHILIPS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.3 SOT223 Полевой SMD МОП n-канальный 50В 3.2А 1.8Вт 1000шт.
24991 HKZ
16 грн.
100+14,40 грн.
200+12,80 грн.
500+11,20 грн.
TO220-2pin(16A; 600В; 35ns). 2.5 DIP TO-220 600V 16A Быстрый 50шт. одиночный
24994 MIC
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 DIP DO-15 600V 2A Быстрый 500шт. одиночный
24998 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
24999 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы 2Т312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
25000 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
25001 СНГ
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
25002 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы 2Т313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 0.4 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
25003 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. 1.2 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
25005 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Основные технические параметры фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк. 0.3 Фото DIP 100шт.
25007 TOSHIBA
342 грн.
10+324,90 грн.
50+307,80 грн.
100+273,60 грн.
9.2 SDIP64 DIP TV 10шт.
25111 ST MICROELECTRONICS
469 грн.
10+445,55 грн.
50+422,10 грн.
100+375,20 грн.
ARM® Cortex®-M4 STM32 F4 Microcontroller IC 32-Bit 180MHz 1MB (1M x 8) FLASH. 2.5 LQFP100 SMD Микроконтроллеры 90шт.
25116 ST MICROELECTRONICS
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 SO16 SMD Интерфейсы 2000шт.
25118 VISHAY
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.5 SMD SMB Защитный 600Вт 750шт. 28V одиночный
25119 Nihon
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 SMD SMA 40V 1A Шотки 2000шт. одиночный
25122 NXP
216 грн.
10+205,20 грн.
50+194,40 грн.
100+172,80 грн.
2.1 LQFP100 SMD Микроконтроллеры 90шт.
25127 PHILIPS
216 грн.
10+205,20 грн.
50+194,40 грн.
100+172,80 грн.
Микросхема TDA9345PS/N3/3 (прош. Beko шасси E1). 10 SDIP64 DIP TV 10шт.
25130 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 10 Биполярный DIP PNP 3Вт 40шт. 40В 1.5А 30МГц 120