Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Конструкция диода |
|---|
| 24171 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
64 грн.
|
|
— | 7 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 306Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | — | |||||||||
| 24170 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
85 грн.
|
|
— | 7 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 333Вт | 30шт. | 600В | 50А | — | — | — | |||||||||
| 24161 | ON SEMICONDUCTOR | — |
235 грн.
|
|
— | 8 | — | TO264 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 180Вт | 25шт. | 1кВ | 60А | — | — | — | |||||||||
| 24160 | Silan Semiconductor | — |
63 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 290Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | — | |||||||||
| 24159 | TOSHIBA | — |
65 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 230Вт | 25шт. | 600В | 50А | — | — | — | |||||||||
| 24158 | Silan Semiconductor | — |
76 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 321Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | — | |||||||||
| 24157 | FUJI | — |
39 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 500В | 23А | 315Вт | 25шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор 2SK2370 (=K2370)
#12598
|
24156 | NEC | — |
46 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 500В | 20А | 140Вт | 30шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор SVF3878PN (=3878)
#12599
|
24153 | Silan Semiconductor | — |
45 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 900В | 9А | 150Вт | 30шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод MUR3020WT
#12600
|
24152 | ON SEMICONDUCTOR | — |
40 грн.
|
|
— | 6.5 | — | — | — | DIP | TO-247 | 200V | 2x15A | — | Быстрый | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | двойной общий катод | ||||||||
Диод STTH3003CW
#12601
|
24151 | ST MICROELECTRONICS | — |
72 грн.
|
|
— | 4.5 | — | — | — | DIP | TO-247 | 300V | 2x15A | — | Быстрый | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | двойной общий катод | ||||||||
Диод RHRG30120
#12602
|
24150 | ON SEMICONDUCTOR | — |
48 грн.
|
|
— | 5 | — | — | — | DIP | TO247-2 | 1200V | 30A | — | Быстрый | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод STTH6012W
#12603
|
24149 | ST MICROELECTRONICS | — |
120 грн.
|
|
— | 5 | — | — | — | DIP | TO247-2 | 1200V | 60A | — | Быстрый | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
| 24089 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
54 грн.
|
|
— | 5 | — | — | — | DIP | TO-3P | 300V | 2x30A | — | Быстрый | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | двойной общий катод | |||||||||
| 24090 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
48 грн.
|
|
— | 5 | — | — | — | DIP | TO-3P | 600V | 2x15A | — | Быстрый | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | двойной общий катод | |||||||||
Микросхема К174ХА34
#12621
|
24927 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | ЧМ тракт радиоприемного устройства для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией УКВ диапазона, а также усиления сигналов низкой частоты. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Радиоприем | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема КС561ИД1
#12622
|
24935 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Двоично-десятичный дешифратор. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема TDA7021
#12623
|
24940 | СНГ | — |
36 грн.
|
|
— | ЧМ тракт радиоприемного устройства для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией УКВ диапазона, а также усиления сигналов низкой частоты. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Радиоприем | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема A277D (=К1003ПП1)
#12624
|
24941 | Telefunken | — |
30 грн.
|
|
— | Предназначена для индикации уровня сигнала на светодиодных линейках. | 1.2 | DIP18 | — | — | DIP | — | — | — | Драйверы | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор BSP17
#12627
|
24949 | PHILIPS | — |
12 грн.
|
|
— | 0.3 | — | SOT223 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 50В | 3.2А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод MUR1660AC
#12639
|
24991 | HKZ | — |
16 грн.
|
|
— | TO220-2pin(16A; 600В; 35ns). | 2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 600V | 16A | — | Быстрый | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод SF28
#12641
|
24994 | MIC | — |
1 грн.
|
|
— | 0.3 | — | — | — | DIP | DO-15 | 600V | 2A | — | Быстрый | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
#12642
|
24998 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 120МГц | 250 | — | |||||||
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
#12643
|
24999 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 80МГц | 100 | — | |||||||
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
#12644
|
25000 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 120МГц | 100 | — | |||||||
| 25001 | СНГ | — |
52 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 80 | — | ||||||||
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
#12646
|
25002 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 0.4 | — | КТ-1-7 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 100шт. | 50В | 350мА | 200МГц | 120 | — | |||||||
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
|
25003 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. | 1.2 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 12В | 50мА | 300МГц | 30 | — | |||||||
Фототранзистор ФТ-1К гр.1
#12650
|
25005 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Основные технические параметры фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк. | 0.3 | — | — | Фото | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||
| 25007 | TOSHIBA | — |
342 грн.
|
|
— | 9.2 | SDIP64 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — |
