Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Конструкция диода |
|---|
Диод EC10QS04 (=S4)
#12763
|
25119 | Nihon | — |
1 грн.
|
|
— | 0.25 | — | — | — | SMD | SMA | 40V | 1A | — | — | Шотки | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
Микросхема LPC1768FBD100
#12765
|
25122 | NXP | — |
216 грн.
|
|
— | 2.1 | LQFP100 | — | — | SMD | — | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 25127 | PHILIPS | — |
216 грн.
|
|
— | Микросхема TDA9345PS/N3/3 (прош. Beko шасси E1). | 10 | SDIP64 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 25130 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 3Вт | 40шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 120 | — | — | ||||||||||
Транзистор ГТ701А
#12774
|
25131 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ701А германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. | 22 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 50Вт | 20шт. | 100В | 12А | — | 75 | — | — | |||||||||
Тиристор КУ101Г
#12775
|
25132 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | Основные технические параметры тиристора КУ101Г: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 80 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 80 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс. | 2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод СВЧ Д605
#12776
|
25133 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Диод СВЧ Д605 кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен для детектирования импульсных амплитудно-модулированных сигналов, индикации импульсной мощности в диапазоне волн 3,2..10см. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | СВЧ | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод СВЧ Д408
#12777
|
25134 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Диод Д408 кремниевый точечный смесительный. Предназначен для применения в преобразователях частоты в диапазоне длин волн 4,5..10 с. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | СВЧ | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод СВЧ 2А511А
#12778
|
25135 | СНГ | — |
90 грн.
|
|
— | Основные технические параметры СВЧ диода 2А511А: • Общая емкость: 0,55...0,75 пФ; • Прямое сопротивление потерь: не более 2 Ом; • Накопленный заряд диода: не более 350 нКл; • Постоянное обратное напряжение: 50...200 В; • Постоянный прямой ток: 700 мА; • Значение допустимого статического потенциала: 100 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | СВЧ | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод СВЧ ДК-В2
#12779
|
25136 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Диоды СВЧ ДК-В2 кремниевые, точечные, детекторные. Предназначены для детектирования сигналов на длине волны 10 см. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | СВЧ | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод 1Д507А (=ГД507А)
#12780
|
25137 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды 1Д507А германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов. Основные технические характеристики диода 1Д507А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 20 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,5 В при Inp 5 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 20 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,1 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,8 пФ. | 0.25 | — | — | — | DIP | КД-121 | 20V | 16mA | 200mA | — | Импульсный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод Д311
#12781
|
25138 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Германиевый, мезадиффузионный, импульсный. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 30V | 40mA | — | — | Импульсный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
| 25139 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С133А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 3...81 мА. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 200шт. | — | — | — | — | 3V3 | — | ||||||||||
Микросхема LM2902DG
#12808
|
25166 | ON SEMICONDUCTOR | — |
6 грн.
|
|
— | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема LA78045
#12809
|
25167 | SANYO | — |
18 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220-7 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема LA78141
#12810
|
25168 | SANYO | — |
18 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220-7 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема LM2901D (=2901)
#12811
|
25169 | ST MICROELECTRONICS | — |
5 грн.
|
|
— | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема LM2904D (=LM2904)
#12812
|
25171 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
5 грн.
|
|
— | 0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема LM317LZ
#12813
|
25172 | WS | — |
4 грн.
|
|
— | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема 88E1543-LKJ2
#12850
|
25202 | MARVELL | — |
198 грн.
|
|
— | Микросхема 88E1543-LKJ2 | 2 | QFP128 | — | — | SMD | — | — | — | — | Ethernet | — | — | — | 72шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Радиолампа 6С52Н-В
#12952
|
25223 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | 6C52H-В Сверхминиатюрный металлокерамический триод повышенной надежности и механической прочности. Предназначен для усиления и генерирования слабых сигналов в устройствах широкого применения. Катод оксидный косвенного накала. Работает в любом положении. Долговечность не менее 5000 ч. Масса не более 3 г. Расположение штырьков РШ8. | 3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
|
25224 | СНГ | — |
120 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами. | 22 | — | КТЮ-3-20 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 50Вт | 10шт. | 100В | 10А | 50МГц | 60 | — | — | |||||||||
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
|
25225 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзисторы 1Т305Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. | 0.4 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 75мВт | 100шт. | 15В | 6mA | 20МГц | 180 | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
|
25229 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 60 | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
|
25230 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 120 | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
|
25231 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 100 | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
|
25232 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 200 | — | — | |||||||||
Микросхема 78L10
#12965
|
25237 | WS | — |
3 грн.
|
|
— | Стабилизатоp 10V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 25239 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 75Вт | 50шт. | 400В | 4А | — | — | — | — | |||||||||||
| 25392 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Микросхемы КР1434УД1Б представляют собой малошумящие двухканальные операционные усилители средней точности. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — |
