Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Микросхема 78L10
#12965
|
25237 | WS | — |
3 грн.
|
|
— | Стабилизатоp 10V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | |||||||||
| 25239 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 75Вт | 50шт. | 400В | 4А | — | — | |||||||||||
| 25392 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Микросхемы КР1434УД1Б представляют собой малошумящие двухканальные операционные усилители средней точности. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | ||||||||||
| 25456 | CHINA | — |
30 грн.
|
— | Термопара K-типа 0,5 метра в экранированном проводе крепление - болт М6. | 13 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 2шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25457 | CHINA | — |
35 грн.
|
— | Термопара K-типа 1 метр в экранированном проводе крепление - болт М6. | 19 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25458 | CHINA | — |
52 грн.
|
— | Термопара K-типа 2 метра в экранированном проводе крепление - болт М6. | 30 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25459 | CHINA | — |
70 грн.
|
— | Термопара K-типа 3 метра в экранированном проводе крепление - болт М6. | 43 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25464 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
24 грн.
|
|
— | 7 | — | TO3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 130Вт | 30шт. | 400В | 12А | 4МГц | 30 | |||||||||||
| 25534 | CHINA | — |
3 грн.
|
— | Фоторезистор GL5528 является простейшим датчиком света. В зависимости от силы освещения, а точнее от силы света падающих на датчик лучей, изменяется внутреннее сопротивление фоторезистора. | 0.5 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25535 | CHINA | — |
3 грн.
|
— | Фоторезистор GL5537 является простейшим датчиком света. В зависимости от силы освещения, а точнее от силы света падающих на датчик лучей, изменяется внутреннее сопротивление фоторезистора. | 0.5 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25536 | CHINA | — |
3,50 грн.
|
— | Фоторезистор GL5549 является простейшим датчиком света. В зависимости от силы освещения, а точнее от силы света падающих на датчик лучей, изменяется внутреннее сопротивление фоторезистора. | 0.5 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема TL072CP
#13534
|
25660 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
10 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ603Б
#13540
|
25671 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | |||||||||
Транзистор ГТ321А
#13541
|
25672 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ321А германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 60 | |||||||||
Транзистор ГТ322Б
#13544
|
25675 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ322Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 6В | 10мА | 80МГц | 120 | |||||||||
Транзистор ГТ322В
#13545
|
25676 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 50МГц | 200 | |||||||||
| 25677 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 50мА | 600МГц | 100 | ||||||||||
Транзистор МП36А
#13547
|
25679 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор германиевый сплавной n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным и нормированным на частоте 1 кГц коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 45 | |||||||||
Транзистор МП20
#13549
|
25682 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП20 германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 30В | 50мА | 2МГц | 150 | |||||||||
Микросхема К176ИЕ5А
#13551
|
25684 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | 15-разрядный двоичный делитель частоты. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К176ИЕ10
#13552
|
25685 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Сдвиговый регистр. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема OB2358AP
#13556
|
25690 | LITE-ON | — |
12 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема TM1650
#13558
|
25692 | TITAN | — |
7 грн.
|
|
— | Драйвер четырехразрядного семисегментного индикатора I2C. | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Драйверы | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема 74HC04D (=74HC04)
#13559
|
25693 | NXP | — |
6 грн.
|
|
— | Логическая ИС, 6 инверторов. | 0.3 | SO14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема 74HC164D
#13560
|
25694 | NXP | — |
5 грн.
|
|
— | 8-битный сдвиговый регистр с последовательным входом, параллельным выходом. | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема TTP223-BA6
#13561
|
25695 | CHINA | — |
6 грн.
|
|
— | Микросхема сенсорный датчик. | 0.1 | SOT23-6 | — | — | SMD | — | — | — | Датчики | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема PAM8403
#13562
|
25696 | PAM | — |
6 грн.
|
|
— | Микросхема усилитель низкой частоты D-класса 2х3 ватта. | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Усилители | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Диодный мост MB10M
#13575
|
25720 | LUGUANG ELECTRONIC | — |
1,50 грн.
|
|
— | 0.3 | — | — | — | DIP | 1000V | 800mA | 30A | — | Диодный мост | — | — | 100шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КР159НТ1Е
#13579
|
25725 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Матрица из двух n-p-n транзисторов. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Транзисторная сборка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР574УД1Б
#13581
|
25727 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — |
