Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Диодный мост MB6S
#4656
|
20066 | — | 69 шт |
2 грн.
|
|
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диод Д223Б
#8892
|
22787 | СНГ | 69 шт |
3 грн.
|
|
Кремниевый, сплавной. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 150V | 50mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
| 20190 | VISHAY | 68 шт |
4 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 200V | — | |||||||||
Тиристор BT152-800R
#8973
|
20538 | NXP | 68 шт |
20 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 13A | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 22301 | INTEGRAL | 68 шт |
20 грн.
|
|
2 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод КД202М
#13736
|
25904 | СНГ | 68 шт |
8 грн.
|
|
Диоды КД202М кремниевые, диффузионные. Основные технические характеристики диода КД202М: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 500 В | 4.5 | — | — | — | Винт | КД-11 | 350V | 5A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Оптопара ET1102
#1724
|
22710 | VISHAY | 67 шт |
7 грн.
|
|
0.3 | DIP4 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема AT89C51-24PC
#2710
|
21855 | ATMEL | 67 шт |
62 грн.
|
|
5.7 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23395 | VISHAY | 67 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 300V | — | ||||||||||
Микросхема TNY254GN
#13653
|
25816 | Power Integrations | 67 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | SMD-8 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема TNY280GN
#13667
|
25835 | Power Integrations | 67 шт |
44 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон 1SMB5931BT3G
#16285
|
28532 | ON SEMICONDUCTOR | 67 шт |
9 грн.
|
|
0.25 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | 3Вт | 2500шт. | — | — | — | — | 18V | SMB | — | — | |||||||||
Микросхема К174ХА1М
#904
|
21982 | СНГ | 66 шт |
10 грн.
|
|
Микросхемы К174ХА1М представляют собой синхронные демодуляторы цветовой поднесущей. Выполняют функции коммутации и ограничения сигнала СЕКАМ, выделения цветоразностного сигнала и запирания канала цветности при приеме черно-белого изображения. Предназначены для работы в декодирующем устройстве СЕКАМ цветного телевизора. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20186 | VISHAY | 66 шт |
4 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 120V | — | |||||||||
Стабилитрон 1N5344B(8V2)
#11055
|
23075 | ON SEMICONDUCTOR | 66 шт |
4,40 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 500шт. | — | — | — | — | 8V2 | do201 | — | — | |||||||||
Диод КД213А
#8883
|
22967 | СНГ | 65 шт |
25 грн.
|
|
Диод кремниевый, диффузионный. | 4 | — | — | — | DIP | КД-23 | 200V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
| 23359 | Taychipst | 65 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 10V | — | ||||||||||
| 26553 | СНГ | 65 шт |
6 грн.
|
|
Логический элемент "12И-НЕ" с тремя состояниями на выходе. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 65 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ837У
#16662
|
28901 | INTEGRAL | 65 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 80 | — | — | — | — | ||||||||
| 20179 | VISHAY | 64 шт |
8 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 400V | — | |||||||||
| 23373 | VISHAY | 64 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 27V | — | ||||||||||
Диодный мост КЦ405АТ
#13929
|
26108 | СНГ | 64 шт |
10 грн.
|
Диодный мост 1.2А 400В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 1.2A | — | Диодный мост | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диодная сборка КД205БТ
#13978
|
26158 | СНГ | 64 шт |
16 грн.
|
Диодные сборки КД205БТ, состоящие каждая из двух кремниевых, диффузионных диодов, с раздельными выводами. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц в блоках электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Основные технические характеристики диода КД205БТ: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 400 В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | сборка | |||||||||
Микросхема LM5010ASD/NOPB
#16853
|
29099 | TEXAS INSTRUMENTS | 64 шт |
180 грн.
|
|
0.34 | WSON-10 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КМ155ЛА7
#757
|
21330 | СНГ | 63 шт |
6 грн.
|
|
Микросхемы КМ155ЛА7 представляют собой 2 логических элемента 4И-НЕ с открытым коллекторным выходом и большим коэффициентом разветвления по выходу (элемент индикации). | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема TNY253PN
#3270
|
25815 | Power Integrations | 63 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
BSP295
#5456
|
20354 | INFINEON TECHNOLOGIES | 63 шт |
8 грн.
|
|
скачать datasheet BSP295 pdf,453 КБ | 0.3 | — | SOT223 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 60В | 1.8А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25944 | СНГ | 63 шт |
8 грн.
|
|
4-разрядный параллельный сдвиговый регистр на D-триггерах. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П216Г
#16926
|
29173 | СНГ | 63 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Г : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | — | — | — | — | — |
