Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
22740 TOSHIBA 62 шт
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
0.3 SO4 SMD 500шт.
23093 ON SEMICONDUCTOR 62 шт
4,40 грн.
50+3,96 грн.
100+3,52 грн.
250+3,30 грн.
1 DIP 5Вт 500шт. 56V do201
25880 Taychipst 62 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 13V
29389 TEXAS INSTRUMENTS 62 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.43 TSSOP14 SMD Логика 2000шт.
29130 СНГ 61 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 120мА 120МГц 75
23365 Taychipst 61 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 18V
26292 СНГ 61 шт
7 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
250+5,25 грн.
Стабилитроны КС515Г кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 15 В в диапазоне токов стабилизации 3 до 31 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне температур -60...+100 °С. Основные технические параметры стабилитрона КС515Г: • Номинальное напряжение стабилизации: 15 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 14,25... 15,75 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 25 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 31 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С. 0.6 DIP 500мВт 50шт. 15V
21926 СНГ 60 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Микросхемы КР142ЕН1Б представляют собой стабилизаторы напряжения компенсационного типа с регулируемым выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки 150 мА. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрузок и схему дистанционного выключения внешним сигналом. Для регулировки выходного напряжения применяется внешний делитель. 1 DIP14 DIP Питание 100шт.
21150 NXP 60 шт
15 грн.
10+13,50 грн.
50+12 грн.
2.8 DIP TO-220AB 600V 8A 50шт.
22217 СНГ 60 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Адресный мультиплексор и счетчик восстановления динамической памяти. 4 DIP28 DIP Логика 36шт.
22045 СНГ 60 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Четырехразрядный универсальный регистр сдвига. 1.2 DIP16 DIP Логика 100шт.
22422 СНГ 60 шт
10 грн.
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 100 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С 11 Винт 100V 30A 40шт.
26832 СНГ 60 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. 3.5 Биполярный DIP PNP 6Вт 50шт. 65В 30МГц 100
23354 Taychipst 59 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 6.8V
24628 СНГ 59 шт
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
Основные технические характеристики диода Д242А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 100 В. 13 Винт КДЮ-11 100V 10A Выпрямительный 50шт. одиночный
21408 СНГ 58 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561СА1 представляет собой двенадцатиразрядную схему сравнения (контроллер четности 12-разрядного числа). Содержит 224 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-1, масса не более 1,5 г. 1.1 DIP16 DIP Логика 90шт.
21138 ST MICROELECTRONICS 58 шт
56 грн.
10+50,40 грн.
50+44,80 грн.
7 DIP TO-3P 600V 40A 30шт.
23334 Holtek 58 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.12 SOT23-5 SMD Питание 2500шт.
26692 СНГ 58 шт
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
ОЗУ емкостью 576 бит (64х9р). 4 DIP28 DIP Память 40шт.
27722 СНГ 58 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Амплитудная схема сравнения. 1 ZIP-9 DIP Аудио 100шт.
29140 СНГ 58 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 30
22220 СНГ 57 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Усилитель низкой частоты. 1 DIP14 DIP Усилители 100шт.
22125 СНГ 57 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхема К174ГФ1 представляет собой задающий (импульсный) генератор строчной развертки с автоподстройкой частоты и фазы. 1 DIP14 DIP TV 100шт.
20168 VISHAY 57 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
30+5,40 грн.
50+4,80 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 300V
21903 СНГ 57 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логический элемент 4-2-3-2И-4ИЛИ-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
25222 СНГ 57 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10. 34 Биполярный DIP PNP 45Вт 10шт. 45В 12А 10
27717 СНГ 57 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы П306М германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 10Вт 100шт. 60В 400мА 1МГц 25
22000 СНГ 56 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Усилитель яркости 1.2 DIP16 DIP TV 90шт.
22312 INTEGRAL 56 шт
19 грн.
10+18,05 грн.
50+17,10 грн.
100+15,20 грн.
6 логических элементов И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26145 СНГ 56 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабилитроны КС456А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...139 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС456А: • Номинальное напряжение стабилизации: 5,6 В при Iст 36 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 5.04... 6,16 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0...0,05 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 10 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 139 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С 0.8 DIP 1Вт 200шт. 5V6 kd-8