Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
| 29130 | СНГ | 61 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 120мА | 120МГц | 75 | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР142ЕН1Б
#927
|
21926 | СНГ | 60 шт |
12 грн.
|
|
Микросхемы КР142ЕН1Б представляют собой стабилизаторы напряжения компенсационного типа с регулируемым выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки 150 мА. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрузок и схему дистанционного выключения внешним сигналом. Для регулировки выходного напряжения применяется внешний делитель. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20169 | VISHAY | 60 шт |
7 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 56V | — | |||||||||
Симистор BT137-600E
#5635
|
21150 | NXP | 60 шт |
15 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 600V | 8A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР580ВТ42
#7451
|
22217 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Адресный мультиплексор и счетчик восстановления динамической памяти. | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КМ555ИР11А
#10166
|
22045 | СНГ | 60 шт |
10 грн.
|
|
Четырехразрядный универсальный регистр сдвига. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ201Д
#10411
|
22422 | СНГ | 60 шт |
10 грн.
|
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 100 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 11 | — | — | — | Винт | — | 100V | — | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема MAX3232CSE+
#13557
|
25691 | Maxim Integrated | 60 шт |
29 грн.
|
|
0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор 1Т905А
#14616
|
26832 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. | 3.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 6Вт | 50шт. | 65В | 3А | 30МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||
| 23354 | Taychipst | 59 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 6.8V | — | ||||||||||
Диод Д242А
#17037
|
24628 | СНГ | 59 шт |
30 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода Д242А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 100 В. | 13 | — | — | — | Винт | КДЮ-11 | 100V | 10A | — | — | Выпрямительный | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема К561СА1
#3948
|
21408 | СНГ | 58 шт |
10 грн.
|
|
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561СА1 представляет собой двенадцатиразрядную схему сравнения (контроллер четности 12-разрядного числа). Содержит 224 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-1, масса не более 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23334 | Holtek | 58 шт |
6 грн.
|
|
0.12 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КР185РУ9
#14480
|
26692 | СНГ | 58 шт |
31 грн.
|
|
ОЗУ емкостью 576 бит (64х9р). | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Память | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К224СА3
#15482
|
27722 | СНГ | 58 шт |
15 грн.
|
|
Амплитудная схема сравнения. | 1 | ZIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | — | Аудио | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП101А
#16893
|
29140 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К157УН1Б
#705
|
22220 | СНГ | 57 шт |
20 грн.
|
|
Усилитель низкой частоты. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К561ИЕ8
#778
|
24930 | СНГ | 57 шт |
15 грн.
|
|
Десятичный счетчик делитель. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К174ГФ1
#802
|
22125 | СНГ | 57 шт |
10 грн.
|
|
Микросхема К174ГФ1 представляет собой задающий (импульсный) генератор строчной развертки с автоподстройкой частоты и фазы. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20168 | VISHAY | 57 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 300V | — | |||||||||
| 21903 | СНГ | 57 шт |
10 грн.
|
|
Логический элемент 4-2-3-2И-4ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП42А
#12255
|
24637 | СНГ | 57 шт |
6 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом. | 1.6 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 50 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П210В
#12951
|
25222 | СНГ | 57 шт |
60 грн.
|
|
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10. | 34 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 45Вт | 10шт. | 45В | 12А | — | 10 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П306М
#15477
|
27717 | СНГ | 57 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы П306М германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 100шт. | 60В | 400мА | 1МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К174УП1
#804
|
22000 | СНГ | 56 шт |
10 грн.
|
|
Усилитель яркости | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
IN74AC34N (=КР1554ЛИ9)
#10326
|
22312 | INTEGRAL | 56 шт |
19 грн.
|
|
6 логических элементов И. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон КС456А
#13965
|
26145 | СНГ | 56 шт |
8 грн.
|
|
Стабилитроны КС456А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...139 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС456А: • Номинальное напряжение стабилизации: 5,6 В при Iст 36 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 5.04... 6,16 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0...0,05 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 10 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 139 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 5V6 | kd-8 | — | — | ||||||||
| 21033 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 55 шт |
50 грн.
|
|
2.8 | TO220F-5 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КР531ЛА17
#9833
|
21439 | СНГ | 55 шт |
10 грн.
|
|
Два элемента 4И-НЕ с возможностью перевода выхода в высокоимпедансное состояние при подаче на вход Е лог. 1 | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КМ555ЛА1
#14349
|
26557 | СНГ | 55 шт |
10 грн.
|
|
Два логических элемента 4И-НЕ. | 1.3 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
