Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Диодный мост КЦ405АТ
#13929
|
26108 | СНГ | 64 шт |
10 грн.
|
Диодный мост 1.2А 400В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 1.2A | — | — | Диодный мост | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диодная сборка КД205БТ
#13978
|
26158 | СНГ | 64 шт |
16 грн.
|
Диодные сборки КД205БТ, состоящие каждая из двух кремниевых, диффузионных диодов, с раздельными выводами. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц в блоках электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Основные технические характеристики диода КД205БТ: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 400 В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | — | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | сборка | |||||||||
Микросхема LM5010ASD/NOPB
#16853
|
29099 | TEXAS INSTRUMENTS | 64 шт |
180 грн.
|
|
0.34 | WSON-10 | — | — | SMD | — | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КМ155ЛА7
#757
|
21330 | СНГ | 63 шт |
6 грн.
|
|
Микросхемы КМ155ЛА7 представляют собой 2 логических элемента 4И-НЕ с открытым коллекторным выходом и большим коэффициентом разветвления по выходу (элемент индикации). | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема TNY253PN
#3270
|
25815 | Power Integrations | 63 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
BSP295
#5456
|
20354 | INFINEON TECHNOLOGIES | 63 шт |
8 грн.
|
|
скачать datasheet BSP295 pdf,453 КБ | 0.3 | — | SOT223 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 60В | 1.8А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25944 | СНГ | 63 шт |
8 грн.
|
|
4-разрядный параллельный сдвиговый регистр на D-триггерах. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П216Г
#16926
|
29173 | СНГ | 63 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Г : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | — | — | — | — | ||||||||
Диод Д242А
#17037
|
24628 | СНГ | 63 шт |
30 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода Д242А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 100 В. | 13 | — | — | — | Винт | КДЮ-11 | 100V | 10A | — | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
| 22740 | TOSHIBA | 62 шт |
10 грн.
|
|
0.3 | SO4 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 25880 | Taychipst | 62 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | 13V | — | ||||||||||
Микросхема SN74HC14PWR
#17139
|
29389 | TEXAS INSTRUMENTS | 62 шт |
17 грн.
|
|
0.43 | TSSOP14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 29130 | СНГ | 61 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 120мА | 120МГц | 75 | — | — | — | |||||||||
| 23365 | Taychipst | 61 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | 18V | — | ||||||||||
Стабилитрон КС515Г
#14114
|
26292 | СНГ | 61 шт |
7 грн.
|
|
Стабилитроны КС515Г кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 15 В в диапазоне токов стабилизации 3 до 31 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне температур -60...+100 °С. Основные технические параметры стабилитрона КС515Г: • Номинальное напряжение стабилизации: 15 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 14,25... 15,75 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 25 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 31 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С. | 0.6 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 50шт. | — | — | — | — | 15V | — | — | ||||||||
Микросхема КР142ЕН1Б
#927
|
21926 | СНГ | 60 шт |
12 грн.
|
|
Микросхемы КР142ЕН1Б представляют собой стабилизаторы напряжения компенсационного типа с регулируемым выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки 150 мА. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрузок и схему дистанционного выключения внешним сигналом. Для регулировки выходного напряжения применяется внешний делитель. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20139 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 60 шт |
3 грн.
|
|
3A. 40V | 0.2 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 40V | 3.0A | — | — | Шотки | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Симистор BTA41-600B
#5625
|
21138 | ST MICROELECTRONICS | 60 шт |
56 грн.
|
|
7 | — | — | — | DIP | TO-3P | 600V | 40A | — | — | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Симистор BT137-600E
#5635
|
21150 | NXP | 60 шт |
15 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 600V | 8A | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР580ВТ42
#7451
|
22217 | СНГ | 60 шт |
10 грн.
|
|
Адресный мультиплексор и счетчик восстановления динамической памяти. | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КМ555ИР11А
#10166
|
22045 | СНГ | 60 шт |
7 грн.
|
|
Четырехразрядный универсальный регистр сдвига. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ201Д
#10411
|
22422 | СНГ | 60 шт |
10 грн.
|
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 100 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 11 | — | — | — | Винт | — | 100V | — | 30A | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23334 | Holtek | 60 шт |
4 грн.
|
|
0.12 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 1Т905А
#14616
|
26832 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. | 3.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 6Вт | 50шт. | 65В | 3А | 30МГц | 100 | — | — | — | ||||||||
| 23354 | Taychipst | 59 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | 6.8V | — | ||||||||||
Микросхема К561СА1
#3948
|
21408 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561СА1 представляет собой двенадцатиразрядную схему сравнения (контроллер четности 12-разрядного числа). Содержит 224 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-1, масса не более 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР185РУ9
#14480
|
26692 | СНГ | 58 шт |
31 грн.
|
|
ОЗУ емкостью 576 бит (64х9р). | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К224СА3
#15482
|
27722 | СНГ | 58 шт |
12 грн.
|
|
Амплитудная схема сравнения. | 1 | ZIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | — | Аудио | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП101А
#16893
|
29140 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 30 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К157УН1Б
#705
|
22220 | СНГ | 57 шт |
20 грн.
|
|
Усилитель низкой частоты. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |
