Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
21443 SEP 54 шт
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
1 — — — SMD — 1000V 1A — Выпрямительный — — — — 2000шт. — — — — — — — —
21932 СНГ 54 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561ИР9 представляет собой четырехразрядный последовательно-параллельный регистр. Содержит 207 интегральных элементов. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — — —
21282 СНГ 54 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхемы КМ155ИП4 представляют собой блок ускоренного переноса для арифметического узла. 1.2 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — — —
23095 ON SEMICONDUCTOR 54 шт
4,40 грн.
50+3,96 грн.
100+3,52 грн.
250+3,30 грн.
1 — — — DIP — — — — — — — — 5Вт 500шт. — — — — 68V do201 — —
21865 СНГ 53 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Сдвоенный четырехразрядный статический регистр сдвига. 1 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — — —
23379 Taychipst 53 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — — — 600Вт 1000шт. — — — — — — 39V —
26644 TSL 53 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Счетверенный D-триггер со сбросом. 1.2 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — — —
28396 СНГ 53 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Диоды Д102 кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. 0.3 — — — DIP D104 50V 30mA — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — — одиночный
20359 ROHM SEMICONDUCTOR 52 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
0.2 SSOP5 — — SMD — — — Питание — — — — — 100шт. — — — — — — — —
25730 СНГ 52 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Три элемента ИЛИ-НЕ. 1.2 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — — —
29176 СНГ 52 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. 11 — — Биполярный DIP — — — — — PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц — — — — —
22986 СНГ 51 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Три логических элемента 3И. 1 DIP14 — — DIP — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — — —
23330 ST MICROELECTRONICS 51 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Интегральный стабилизатоp напряжения 10V/0.5A. 0.4 DPAK — — SMD — — — Питание — — — — — 2500шт. — — — — — — — —
23331 CJ 50 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
78M12 | Линейный стабилизатор фиксированного положительного напряжения +12 В | TO-252 (DPAK) / TO-220 | 0.5 А / до 35 В | Vdrop ~2 В, тепловая защита и защита от КЗ 0.4 DPAK — — SMD — — — Питание — — — — — 2500шт. — — — — — — — —
22726 ON SEMICONDUCTOR 50 шт
32 грн.
10+28,80 грн.
50+25,60 грн.
0.4 DIP6 — — DIP — — — — — — — — — 50шт. — — — — — — — —
21128 NXP 50 шт
14 грн.
10+12,60 грн.
50+11,20 грн.
2.8 — — — DIP TO-220AB 600V 16A — — — — — — 50шт. — — — — — — — —
21130 ST MICROELECTRONICS 50 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
2.8 — — — DIP TO-220 600V 10A — — — — — — 50шт. — — — — — — — —
21351 СНГ 50 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. Транзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 24 г. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Технические условия: аА0.336.341 ТУ. 30 — kt-282 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 30Вт 20шт. 60В 5А 20МГц 15 — — — —
21680 СНГ 50 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Два элемента 4И-НЕ с возможностью перевода выхода в высокоимпедансное состояние при подаче на вход Е лог. 1 1 DIP14 — — DIP — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — — —
23374 Taychipst 50 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — — — 600Вт 1000шт. — — — — — — 30V —
26290 СНГ 50 шт
15 грн.
Варикапы КВ106Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные, умножительные. Предназначены для применения в схемах умножения частоты и частотной модуляции. Основные технические параметры варикапа КВ106Б: • Сд min - Общая емкость минимальная: 15 пФ при Uобр 4 В; • Сд max - Общая емкость максимальная: 35 пФ при Uобр 4 В; • Qв - Добротность варикапа: 60; • Iобр - Постоянный обратный ток: 20 мкА при Uобр 90 В; • Uo6p - Постоянное обратное напряжение: 90 В; • Pnp - Прямая рассеиваемая мощность: 5 Вт; • Токр - Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С. 6.5 — — — Винт КД-11 — — — — — — — 5Вт 10шт. — — — — — — — —
26572 СНГ 50 шт
45 грн.
Сборка двух однофазных диодных мостов. Предназначена для выпрямления переменного тока частотой до 5 кГц. 11 — — — DIP — 600V 1A — Диодный мост — — — — 100шт. — — — — — — — —
29429 EVERLIGHT 50 шт
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
0.4 DIP6 — — DIP — — — — — — — — — 65шт. — — — — — — — —
29430 EVERLIGHT 50 шт
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
0.4 SMD-6P — — SMD — — — — — — — — — 3000шт. — — — — — — — —
29483 LITE-ON 50 шт
15 грн.
10+13,50 грн.
50+12 грн.
0.4 DIP6 — — DIP — — — — — — — — — 65шт. — — — — — — — —
22198 СНГ 49 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Шесть повторителей. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — — —
23396 VISHAY 49 шт
3,50 грн.
10+3,32 грн.
30+3,15 грн.
50+2,80 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — — — 600Вт 1000шт. — — — — — — 300V —
26305 СНГ 49 шт
10 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
250+7,50 грн.
Стабилитроны КС531В кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 31 В в диапазоне токов стабилизации 3 до 15 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне температур -60...+100 °С. Основные технические параметры стабилитрона КС531В: • Номинальное напряжение стабилизации: 31 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 29,45... 32,55 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 50 Ом при Iст10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 15 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С. 0.5 — — — DIP — — — — — — — — 500мВт 50шт. — — — — 31V — — —
29026 NXP 49 шт
37 грн.
10+35,15 грн.
50+33,30 грн.
100+29,60 грн.
5Mbps SOIC-8 CAN Transceivers. 0.2 SOIC-8 — — SMD — — — Интерфейсы — — — — — 2500шт. — — — — — — — —
29098 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 49 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 — SO8 Полевой SMD — — — — — МОП р-канальный 30В 8.8А 2.5Вт 2500шт. — — — — — — — —