Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
22125 СНГ 57 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхема К174ГФ1 представляет собой задающий (импульсный) генератор строчной развертки с автоподстройкой частоты и фазы. 1 DIP14 DIP TV 100шт.
21443 SEP 57 шт
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
1 SMD 1000V 1A Выпрямительный 2000шт.
20168 VISHAY 57 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
30+5,40 грн.
50+4,80 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 300V
21903 СНГ 57 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логический элемент 4-2-3-2И-4ИЛИ-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
25222 СНГ 57 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10. 34 Биполярный DIP PNP 45Вт 10шт. 45В 12А 10
27717 СНГ 57 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы П306М германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 10Вт 100шт. 60В 400мА 1МГц 25
22000 СНГ 56 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Усилитель яркости 1.2 DIP16 DIP TV 90шт.
21865 СНГ 56 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Сдвоенный четырехразрядный статический регистр сдвига. 1 DIP16 DIP Логика 90шт.
22312 INTEGRAL 56 шт
19 грн.
10+18,05 грн.
50+17,10 грн.
100+15,20 грн.
6 логических элементов И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26145 СНГ 56 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабилитроны КС456А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...139 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС456А: • Номинальное напряжение стабилизации: 5,6 В при Iст 36 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 5.04... 6,16 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0...0,05 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 10 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 139 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С 0.8 DIP 1Вт 200шт. 5V6 kd-8
21918 СНГ 55 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Три трехвходовых элемента ИЛИ-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21033 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 55 шт
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
2.8 TO220F-5 DIP Питание 50шт.
21439 СНГ 55 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Два элемента 4И-НЕ с возможностью перевода выхода в высокоимпедансное состояние при подаче на вход Е лог. 1 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26557 СНГ 55 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Два логических элемента 4И-НЕ. 1.3 DIP14 DIP Логика 100шт.
21932 СНГ 54 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561ИР9 представляет собой четырехразрядный последовательно-параллельный регистр. Содержит 207 интегральных элементов. 1.1 DIP16 DIP Логика 90шт.
21282 СНГ 54 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Микросхемы КМ155ИП4 представляют собой блок ускоренного переноса для арифметического узла. 1.2 DIP16 DIP Логика 100шт.
23095 ON SEMICONDUCTOR 54 шт
4,40 грн.
50+3,96 грн.
100+3,52 грн.
250+3,30 грн.
1 DIP 5Вт 500шт. 68V do201
23379 Taychipst 53 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 39V
26644 TSL 53 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Счетверенный D-триггер со сбросом. 1.2 DIP16 DIP Логика 90шт.
28396 СНГ 53 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Диоды Д102 кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников. 0.3 DIP D104 50V 30mA Выпрямительный 100шт. одиночный
20172 VISHAY 52 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
30+6,30 грн.
50+5,60 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Защитный 1.5кВт 200шт. 12V
20359 ROHM SEMICONDUCTOR 52 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
0.2 SSOP5 SMD Питание 100шт.
22198 СНГ 52 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Шесть повторителей. 1.1 DIP16 DIP Логика 90шт.
25730 СНГ 52 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Три элемента ИЛИ-НЕ. 1.2 DIP16 DIP Логика 90шт.
29176 СНГ 52 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. 11 Биполярный DIP PNP 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц
22986 СНГ 51 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Три логических элемента 3И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
23330 ST MICROELECTRONICS 51 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Интегральный стабилизатоp напряжения 10V/0.5A. 0.4 DPAK SMD Питание 2500шт.
27446 NXP 51 шт
15 грн.
10+13,50 грн.
50+12 грн.
1.2 SMD DPAK;TO-252 600V 8A 2000шт.
29098 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 51 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 SO8 Полевой SMD МОП р-канальный 30В 8.8А 2.5Вт 2500шт.
22726 ON SEMICONDUCTOR 50 шт
32 грн.
10+28,80 грн.
50+25,60 грн.
0.4 DIP6 DIP 50шт.