Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
Транзистор МП14
#10830
|
23026 | СНГ | 1044 шт |
7 грн.
|
|
Транзистор МП14 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 40 | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон MMSZ5V1T1G (U46)
#16026
|
28263 | ON SEMICONDUCTOR | 1035 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитрон MMSZ5V1T1G (U46). | 0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 3000шт. | — | — | — | — | 5V1 | SOD-123 | — | ||||||||
Микросхема К172ТР1
#873
|
21955 | СНГ | 1032 шт |
10 грн.
|
|
Двухступенчатый триггер с входной логикой. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод КД209Б (капля)
#15524
|
27763 | СНГ | 1024 шт |
1 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД209Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 600V | 500mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Стабилитрон BZX55C 16V
#4218
|
20204 | Rectron Semiconductor | 1013 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон    16V  0.5W  (BZX55C 16V0) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 16V | DO-35 | — | ||||||||
Транзистор МП101Б
#13702
|
25863 | СНГ | 1005 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 20мА | 0,5МГц | 45 | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон КС168В
#15468
|
27707 | СНГ | 1001 шт |
4 грн.
|
|
Основные технические параметры стабилитрона КС168В: • Номинальное напряжение стабилизации: 6,8 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 28 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 20 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,15 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -55... +100 °С. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 6V8 | kd25 | — | ||||||||
Диод HER306G
#17232
|
29485 | MCC | 1000 шт |
4 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | DO-27 | 600V | 3.0A | — | Быстрый | — | — | — | — | 1200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Стабилитрон TL431AIDBZR
#8699
|
20419 | TEXAS INSTRUMENTS | 997 шт |
5 грн.
|
|
Регулируемый стабилитрон 2.5 В | SOT-23 | ±1% | 2.5...36 В | 100 мА | -40...+85°C | Texas Instruments | 0.1 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | 2.5-36V | SOT23 | — | ||||||||
Транзистор КТ829Г
#13386
|
25510 | СНГ | 991 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 60Вт | 200шт. | 45В | 8А | 4МГц | 750 | — | — | — | ||||||||
Диод HER108 LGE
#17231
|
29484 | LGE | 990 шт |
1,50 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | DO-41 | 1000V | 1A | — | Быстрый | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
| 20135 | MIC | 987 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | DO-41 | 1000V | 1A | — | Быстрый | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
Стабилитрон BZX55C 11V
#4201
|
20205 | Rectron Semiconductor | 975 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон   11V    0.5W  (BZX55C 11V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 11V | DO-35 | — | ||||||||
Транзистор BSS138 (SS)
#2481
|
22865 | ON SEMICONDUCTOR | 965 шт |
2 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 50В | 200мА | 225мВт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Лампа генераторная ГС-13
#9924
|
21715 | СНГ | 964 шт |
110 грн.
|
|
Генераторный триод ГС-13 для генерирования, усиления и умножения колебаний высокой частоты в сантиметровом и дециметровом диапазонах волн. Оформление - титанокерамическое. | 11 | — | — | — | Зажим | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 29248 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 952 шт |
22 грн.
|
|
0.25 | — | PowerDI3333-8(SWP) | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 60В | 41А | 1.17 Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22750 | ST MICROELECTRONICS | 930 шт |
1,50 грн.
|
0.1 | — | — | — | DIP | DO-35 | 32V | 100mA | — | Динистор | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Стабилитрон Д816Д
#11970
|
24259 | СНГ | 930 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 47В Основные технические параметры стабилитрона Д816Д: • Разброс напряжения стабилизации: 42,5... 51,5 В при Iст 150 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,12 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 5 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 15 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 10 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 110 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С | 4.2 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 47V | ks620 | — | ||||||||
Стабилитрон КС407А
#14482
|
26694 | СНГ | 921 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитроны КС407А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 1...100 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС407А: • Номинальное напряжение стабилизации: 3,3 В при Iст 20 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 3,1... 3,5 В; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 28 Ом при Iст 20 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +85 °С. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd2 | — | ||||||||
| 25140 | СНГ | 917 шт |
55 грн.
|
|
Назначение - дифференциальная система для аппаратуры цифровой системы ИКМ-30-4. | 2 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Телефония | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диод 1N4148WS
#9702
|
21041 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 908 шт |
1 грн.
|
|
0.05 | — | — | — | SMD | SOD-323 | 100V | 300mA | — | Импульсный | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Микросхема К561ЛЕ6А
#775
|
21399 | СНГ | 903 шт |
10 грн.
|
|
Два логических элемента 4ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод 2Д213А (=КД213А)
#12227
|
24606 | СНГ | 903 шт |
25 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода 2Д213А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 550 пФ при Uoбp 100 В. | 3.5 | — | — | — | DIP | КД-23 | 200V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод SS34 (3A. 40V)
#4272
|
20139 | JSMSEMI | 890 шт |
3 грн.
|
|
3A. 40V | 0.2 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 40V | 3.0A | — | Шотки | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Транзистор МП115
#13700
|
25860 | СНГ | 887 шт |
5 грн.
|
|
Кремниевые биполярные сплавные p-n-p тпранзисторы типов МП115 в металлостеклянном корпусе, предназначенны для работы в импульсных схемах, в стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и в других устройствах бытовой техники. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 60мВт | 100шт. | 30В | 200мА | 0,1МГц | 45 | — | — | — | ||||||||
Микросхема АТА5350-7MQW
#16780
|
29025 | MICROHCHIP | 885 шт |
370 грн.
|
|
ATA5350 представляет собой маломощный сверхширокополосный (UWB) трансивер с интегрированным уровнем безопасности для безопасного ограничения расстояния, локализации и передачи данных точка-точка. Цифровая передающая схема устройства ATA5350 обеспечивает максимальную гибкость в генерации импульсных сигналов UWB. Передатчик способен: • Генерация точных длительностей импульсов в диапазоне от менее 1 нс до более 10 нс с контролируемой формой огибающей • Генерировать несущую частоту от 6,2 ГГц до 7,8 ГГц • Обеспечить соответствие нормам ETSI и FCC с программируемой передаваемой пиковой выходной мощностью до типичного значения 9 дБм Приемник ATA5350 Front-end (FE) обеспечивает превосходную чувствительность, гарантируя превосходный бюджет канала связи для радиочастотной связи. Цифровой блок обработки сигналов базовой полосы обеспечивает высокостабильное субнаносекундное измерение времени пролета (ToF). ATA5350 включает уровень MAC для безопасного измерения расстояния и передачи данных для управления доступом на основе близости. Уровень можно настроить для обеспечения различных степеней безопасности. | 0.25 | FCBGA-33 | — | — | SMD | — | — | — | RF Transceiver | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ315И
#6842
|
23552 | СНГ | 883 шт |
2 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. | 0.25 | — | КТ-13 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 100мВт | 800 шт. | 60В | 50мА | 250МГц | 30 | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР580ВА86
#697
|
21384 | СНГ | 873 шт |
10 грн.
|
|
Двунаправленный 8-разрядный неинвертирующий шинный формирователь с тремя состояниями на выходе. ИС служит буферным устройством в схемах микропроцессорных систем серии КР560, КМ580 и осуществляет связь микропроцессора с периферийными устройствами ввода-вывода информации. Наличие состояния с высоким выходным импедансом позволяет нагрузить группу таких микросхем на одну нагрузку. Обладает повышенной нагрузочной способностью. | 2.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон BZX55C 6V2
#4194
|
20210 | Rectron Semiconductor | 870 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон    6.2V  0.5W  (BZX55C 6V2) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 6V2 | DO-35 | — | ||||||||
Стабилитрон ZMM5V1
#16994
|
29244 | ST MICROELECTRONICS | 864 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон ZMM5V1 Mini-MELF 5V1 0,5W | 0.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 2500шт. | — | — | — | — | 5V1 | MiniMELF | — |
