Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
20204 Rectron Semiconductor 1013 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    16V  0.5W  (BZX55C 16V0) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 16V DO-35
25510 СНГ 1006 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 200шт. 45В 4МГц 750
25863 СНГ 1005 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 45
27707 СНГ 1001 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Основные технические параметры стабилитрона КС168В: • Номинальное напряжение стабилизации: 6,8 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 28 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 20 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,15 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -55... +100 °С. 0.4 DIP 150мВт 1000шт. 6V8 kd25
29485 MCC 1000 шт
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
1 DIP DO-27 600V 3.0A Быстрый 1200шт. одиночный
20135 MIC 990 шт
2 грн.
100+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.2 DIP DO-41 1000V 1A Быстрый 5000шт. одиночный
29484 LGE 990 шт
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 DIP DO-41 1000V 1A Быстрый 1000шт. одиночный
20205 Rectron Semiconductor 985 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон   11V    0.5W  (BZX55C 11V) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 11V DO-35
22865 ON SEMICONDUCTOR 965 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
0.1 SOT23 Полевой SMD МОП n-канальный 50В 200мА 225мВт 3000шт.
21715 СНГ 964 шт
110 грн.
10+99 грн.
20+93,50 грн.
50+88 грн.
Генераторный триод ГС-13 для генерирования, усиления и умножения колебаний высокой частоты в сантиметровом и дециметровом диапазонах волн. Оформление - титанокерамическое. 11 Зажим 50шт.
21041 DIOTEC SEMICONDUCTOR 958 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.05 SMD SOD-323 100V 300mA Импульсный 3000шт. одиночный
29248 DIOTEC SEMICONDUCTOR 952 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
0.25 PowerDI3333-8(SWP) Полевой SMD МОП n-канальный 60В 41А 1.17 Вт 1000шт.
22750 ST MICROELECTRONICS 930 шт
1,50 грн.
0.1 DIP DO-35 32V 100mA Динистор 2000шт.
24259 СНГ 930 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 47В Основные технические параметры стабилитрона Д816Д: • Разброс напряжения стабилизации: 42,5... 51,5 В при Iст 150 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,12 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 5 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 15 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 10 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 110 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С 4.2 Винт 5Вт 100шт. 47V ks620
26694 СНГ 927 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабилитроны КС407А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 1...100 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС407А: • Номинальное напряжение стабилизации: 3,3 В при Iст 20 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 3,1... 3,5 В; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 28 Ом при Iст 20 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +85 °С. 0.2 DIP 500мВт 400шт. 3V3 kd2
25140 СНГ 917 шт
55 грн.
10+52,25 грн.
50+49,50 грн.
100+44 грн.
Назначение - дифференциальная система для аппаратуры цифровой системы ИКМ-30-4. 2 DIP28 DIP Телефония 40шт.
24606 СНГ 913 шт
25 грн.
50+22,50 грн.
200+20 грн.
500+17,50 грн.
Основные технические характеристики диода 2Д213А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 550 пФ при Uoбp 100 В. 3.5 DIP КД-23 200V 10A Выпрямительный 50шт. одиночный
21399 СНГ 903 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Два логических элемента 4ИЛИ-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
25860 СНГ 887 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремниевые биполярные сплавные p-n-p тпранзисторы типов МП115 в металлостеклянном корпусе, предназначенны для работы в импульсных схемах, в стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и в других устройствах бытовой техники. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 60мВт 100шт. 30В 200мА 0,1МГц 45
29025 MICROHCHIP 885 шт
370 грн.
10+351,50 грн.
50+333 грн.
100+296 грн.
ATA5350 представляет собой маломощный сверхширокополосный (UWB) трансивер с интегрированным уровнем безопасности для безопасного ограничения расстояния, локализации и передачи данных точка-точка. Цифровая передающая схема устройства ATA5350 обеспечивает максимальную гибкость в генерации импульсных сигналов UWB. Передатчик способен: • Генерация точных длительностей импульсов в диапазоне от менее 1 нс до более 10 нс с контролируемой формой огибающей • Генерировать несущую частоту от 6,2 ГГц до 7,8 ГГц • Обеспечить соответствие нормам ETSI и FCC с программируемой передаваемой пиковой выходной мощностью до типичного значения 9 дБм Приемник ATA5350 Front-end (FE) обеспечивает превосходную чувствительность, гарантируя превосходный бюджет канала связи для радиочастотной связи. Цифровой блок обработки сигналов базовой полосы обеспечивает высокостабильное субнаносекундное измерение времени пролета (ToF). ATA5350 включает уровень MAC для безопасного измерения расстояния и передачи данных для управления доступом на основе близости. Уровень можно настроить для обеспечения различных степеней безопасности. 0.25 FCBGA-33 SMD RF Transceiver 2000шт.
23552 СНГ 883 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 100мВт 800 шт. 60В 50мА 250МГц 30
23551 СНГ 876 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP 150мВт 1000шт. 20В 50мА 250МГц 350
20210 Rectron Semiconductor 875 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    6.2V  0.5W  (BZX55C 6V2) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 6V2 DO-35
21384 СНГ 873 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Двунаправленный 8-разрядный неинвертирующий шинный формирователь с тремя состояниями на выходе. ИС служит буферным устройством в схемах микропроцессорных систем серии КР560, КМ580 и осуществляет связь микропроцессора с периферийными устройствами ввода-вывода информации. Наличие состояния с высоким выходным импедансом позволяет нагрузить группу таких микросхем на одну нагрузку. Обладает повышенной нагрузочной способностью. 2.5 DIP20 DIP Логика 70шт.
20446 SEMTECH ELECTRONICS 870 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 DIP 1Вт 500шт. 12V DO-41
21008 INTERNATIONAL RECTIFIER 869 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 55В 110А 200Вт 50шт.
29244 ST MICROELECTRONICS 864 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон ZMM5V1 Mini-MELF 5V1 0,5W 0.2 SMD 500мВт 2500шт. 5V1 MiniMELF
21941 СНГ 855 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 D-триггера с установкой «0» и «1». 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
24047 СНГ 852 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Диодная сборка, состоящая каждая из двух кремниевых планарно-эпитаксиальных импульсных диодов с раздельными выводами. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. 0.25 SMD 50V 20mA 200mA Импульсный 50шт. сборка
29365 RENESAS 811 шт
130 грн.
10+123,50 грн.
50+117 грн.
100+104 грн.
Багатофазний ШІМ-регулятор для систем пам'яті VR12 DDR. 0.4 TQFN-EP-40 SMD Питание 6000шт.