Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Диодный мост КЦ402Е
#12158
|
24451 | СНГ | 1298 шт |
12 грн.
|
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402Е: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 100 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 100V | 1A | — | Диодный мост | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор П416
#10833
|
23030 | СНГ | 1293 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор П416 германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 12В | 25мА | 40МГц | 80 | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КМ133ЛА3
#9865
|
21644 | СНГ | 1292 шт |
12 грн.
|
|
Микросхема интегральная полупроводниковая (транзисторно-транзисторная логика). Представляетсобой четыре логических элемента «2И-НЕ» | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод BY251
#16086
|
28325 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 1289 шт |
3 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 200V | 3.0A | — | Быстрый | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
Стабилитрон BZX55C 2V7
#4185
|
20206 | Rectron Semiconductor | 1285 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 2.7V 0.5W (BZX55C 2V7) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2V7 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Стабилитрон Д817Г
#11964
|
24253 | СНГ | 1282 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 100В Основные технические параметры стабилитрона Д817Г: • Разброс напряжения стабилизации: 90... 110 В при Iст 50 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 50 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 50 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С. | 3.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 100V | ks620 | — | — | ||||||||||
Стабилитрон КС182А
#13940
|
26119 | СНГ | 1261 шт |
3 грн.
|
|
Стабилитроны КС182А кремниевые, сплавные, двуханодные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 8,2 В в диапазоне токов стабилизации 3...17 мА и двустороннего ограничения напряжения. Основные технические параметры стабилитрона КС182А: • Номинальное напряжение стабилизации: 8,2 В при Iст 5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 14 Ом при Iст 5 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 17 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,15 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -55... +100 °С. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 200шт. | — | — | — | — | 8V2 | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КР514ИД1
#842
|
21234 | СНГ | 1248 шт |
6 грн.
|
|
Дешифратор для семисегментного полупроводникового цифрового индикатора с разъединенными анодами сегментов. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21309 | PHILIPS | 1238 шт |
12 грн.
|
|
CMOS два четырехканальных мультиплексора/демультиплексора | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20174 | VISHAY | 1222 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 30V | — | |||||||||||
| 29104 | INFINEON TECHNOLOGIES | 1222 шт |
9 грн.
|
|
0.1 | — | SOT323 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 300мВт | 3000шт. | 12В | 35мА | 2ГГц | 90 | — | — | — | — | ||||||||||||
Микросхема КР1533ИД4
#840
|
21214 | СНГ | 1209 шт |
12 грн.
|
|
Cдвоенный дешифратор. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод BY255
#1019
|
28327 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 1206 шт |
5 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 1300V | 3.0A | — | Быстрый | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
Транзистор МП13Б
#10820
|
23016 | СНГ | 1206 шт |
9 грн.
|
|
Транзистор МП13Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов. Основные технические характеристики транзистора МП13Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 60 | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КМ155ЛА3
#4065
|
21331 | СНГ | 1201 шт |
6 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы КМ155ЛА3 представляют собой 4 логических элемента 2И-НЕ. Содержат 56 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-8, масса не более 2,2 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации КМ155ЛА3: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП101
#13535
|
25663 | СНГ | 1201 шт |
5 грн.
|
|
Транзисторы МП101 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 20В | 20мА | 0,5МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ321Б
#13703
|
25866 | СНГ | 1185 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы КТ321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 210мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 120 | — | — | — | — | ||||||||||
| 28265 | LITTELFUSE | 1177 шт |
4 грн.
|
|
0.05 | — | — | — | SMD | SOT-23 | — | — | — | Защитный | — | 200Вт | — | — | — | — | — | — | — | 24V | — | ||||||||||||
Стабилитрон BZX55C 8V2
#4198
|
20212 | Rectron Semiconductor | 1164 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон    8.2V  0.5W  (BZX55C 8V2) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 8V2 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Стабилитрон BZX55C 10V
#4200
|
20214 | Rectron Semiconductor | 1128 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 10V 0.5W (BZX55C, 10V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 10V | DO-35 | — | — | ||||||||||
Диод UF4002 (1.0А/100V 50ns)
#16048
|
28287 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 1120 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | DO-41 | 100V | 1A | — | Быстрый | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
| 29247 | ON SEMICONDUCTOR | 1104 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 300мВт | 3000шт. | 80В | 500мА | — | 100 | — | — | — | — | ||||||||||||
| 29122 | RENESAS | 1096 шт |
130 грн.
|
|
0.17 | 32-HWQFN (5x5) | — | — | SMD | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Микросхема АРФ3.438.010 мет.
#15835
|
28068 | СНГ | 1087 шт |
80 грн.
|
|
Назначение - дифференциальная система для аппаратуры цифровой системы ИКМ-30-4. | 16 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Телефония | — | — | — | 6шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ660А
#10314
|
22263 | INTEGRAL | 1072 шт |
6 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 1000шт. | 45В | 800мА | — | 220 | — | — | — | — | |||||||||||
Радиолампа 6Н3П
#9874
|
21653 | — | 1063 шт |
30 грн.
|
|
Двойной миниатюрный триод. Предназначен для усиления напряжения и генерирования колебаний низкой частоты. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабилитрон MMSZ5V1T1G (U46)
#16026
|
28263 | ON SEMICONDUCTOR | 1055 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитрон MMSZ5V1T1G (U46). | 0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 3000шт. | — | — | — | — | 5V1 | SOD-123 | — | — | ||||||||||
Транзистор МП14
#10830
|
23026 | СНГ | 1044 шт |
7 грн.
|
|
Транзистор МП14 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К172ТР1
#873
|
21955 | СНГ | 1033 шт |
8 грн.
|
|
Двухступенчатый триггер с входной логикой. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод КД209Б (капля)
#15524
|
27763 | СНГ | 1024 шт |
1 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД209Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 600V | 500mA | — | Выпрямительный | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный |
