Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
| 20277 | VISHAY | 1837 шт |
3 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП р-канальный | 20В | 2.3А | 1.25Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 25509 | СНГ | 1811 шт |
10 грн.
|
|
Стабилизатор напряжения +15В 1.5А | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Стабилитрон BZV55C5V1
#11451
|
23581 | PHILIPS | 1808 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон BZV55C5V1 SOD-80 5V1 0,5W | 0.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 2500шт. | — | — | — | — | 5V1 | SOD-80 | — | — | ||||||||||
|
Диод КД202А
#15974
|
28208 | СНГ | 1797 шт |
7 грн.
|
|
Диоды КД202В кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Основные технические характеристики диода КД202В: • uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 50 В; • inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при inp 5 А; • ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при uoбp 100 В | 5.2 | — | — | — | Винт | КД-11 | 50V | 5A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
|
Стабилитрон Д814Г
#13704
|
25867 | СНГ | 1781 шт |
3 грн.
|
|
Стабилитроны Д814Г кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 10,0-12,0 В в диапазоне токов стабилизации 3...29 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 200шт. | — | — | — | — | 11V | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор S9014 (J6)
#8706
|
20430 | BL Galaxy Electrical | 1773 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 200мВт | 3000шт. | 45В | 100мА | 150МГц | 1000 | — | — | — | — | |||||||||||
| 23875 | СНГ | 1748 шт |
22 грн.
|
|
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. | 4.1 | — | — | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | PNP x2 | — | — | 20мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 500МГц | 180 | — | — | — | — | |||||||||||
|
Стабилитрон КС139А
#13705
|
25868 | СНГ | 1692 шт |
3 грн.
|
|
Стабилитрон КС139А - сплавной, кремниевый, малой мощности. Основное назначение - стабилизация напряжений от 3,51 до 4,29 В. Имеет диапазон тока стабилизации от 3 до 70 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 3V9 | kd-8 | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон КС210Ж
#13739
|
25907 | СНГ | 1670 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитроны КС210Ж кремниевые, планарные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 10 В в диапазоне токов стабилизации 0,5...13 мА в измерительной аппаратуре, в усилителях для согласования уровней, в системах автоматики для питания маломощных датчиков, а также для стабилизации импульсного напряжения и ограничения импульсных сигналов. Выпускаются в металло-стеклянных корпусах с гибкими выводами. Основные технические параметры стабилитрона КС210Ж: • Номинальное напряжение стабилизации: 10 В при Iст 4 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 9... 11 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,09 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 40 Ом при Iст 4 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 0,5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 13 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,125 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 10V | КД-3. | — | — | ||||||||||
|
Диод 1N5404
#16090
|
28330 | MIC | 1592 шт |
3 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 400V | 3.0A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Диод LL4148 (=DL4148)
#13714
|
25878 | SEMTECH ELECTRONICS | 1568 шт |
1 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | SOD80 | 75V | 200mA | — | Импульсный | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
| 28324 | VISHAY | 1561 шт |
1 грн.
|
|
75V*0,2A | 0.11 | — | — | — | DIP | DO-35 | 75V | 200mA | — | Импульсный | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
|
Транзистор П416А
#10834
|
23031 | СНГ | 1521 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор П416А германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 12В | 25мА | 60МГц | 125 | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор П213А
#9905
|
21705 | СНГ | 1500 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П213А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 10Вт | 50шт. | 30В | 5А | — | 20 | — | — | — | — | ||||||||||
| 28982 | ON SEMICONDUCTOR | 1498 шт |
48 грн.
|
|
0.2 | — | PMPAK5x6,SO8FL, DFNW5 5x6 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 40В | 180А | 106Вт | 1500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Микросхема К561ТМ3А
#4053
|
22392 | СНГ | 1491 шт |
6 грн.
|
|
Четыре D-триггера (типа «защелка», с прямыми и инверсными выходами и статическим управлением записью). ИС имеет два входа стробирования: вход синхронизации С и вход управления полярностью. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема 228НК1
#11782
|
24012 | СНГ | 1486 шт |
35 грн.
|
|
Микросхема 228НК1 представляет собой диодно-резисторную матрицу. | 2.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | Телефония | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23972 | СНГ | 1474 шт |
8 грн.
|
|
Неоновая лампа ТН-0,2-2 применяется в качестве индикаторных, сигнальных элементов в различных электротехнических и радиотехнических устройствах. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Стабилитрон КС168А стек.
#11417
|
23534 | СНГ | 1464 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитроны КС168А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8 В в диапазоне токов стабилизации 3...45 мА. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 6V8 | kd-4 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ339АМ
#11372
|
23482 | СНГ | 1462 шт |
3 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 500шт. | 25В | 25мА | 300МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон BZX55C 3V3
#4187
|
20208 | Rectron Semiconductor | 1449 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон    3.3V  0.5W  (BZX55C 3V3) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 3V3 | DO-35 | — | — | ||||||||||
|
Диод BY252
#16087
|
28326 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 1439 шт |
4 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 400V | 3.0A | — | Быстрый | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
|
Транзистор BC856B (3Bt)
#2393
|
22266 | NXP | 1437 шт |
0,60 грн.
|
|
0.05 | — | SOT23 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 250мВт | 3000шт. | 80В | 100мА | — | 290 | — | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема КМ155ЛА6
#4067
|
21257 | СНГ | 1431 шт |
4 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы КМ155ЛА6 представляют собой 2 логических элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом разветвления по выходу. Содержат 34 интегральных элемента. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации КМ155ЛА6: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема К555ЛА1
#770
|
22048 | СНГ | 1430 шт |
6 грн.
|
|
Два логических элемента 4И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Диод КД243Д
#14492
|
26707 | СНГ | 1426 шт |
2 грн.
|
|
Диоды КД243Д кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц. Основные технические характеристики диода КД243Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 6 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | КД-4 | 600V | 1A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
|
Микросхема К555ИЕ7
#674
|
22041 | СНГ | 1422 шт |
6 грн.
|
|
Реверсивный четырехразрядный двоичный счетчик. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21319 | СНГ | 1355 шт |
6 грн.
|
|
Микросхема предназначена для обмена информацией между устройствами и блоками систем и для передачи данных на периферийные устройства, устройства отображения и индикации, для интерфейсов, изготовленных по биполярной технологии (ТТЛШ). Микросхема КР559ИП1 представляет собой четыре магистральных передатчика | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Диод US1M
#10464
|
22487 | TOSHIBA | 1311 шт |
1,50 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | SMA | 1000V | 1A | — | Быстрый | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
| 28323 | LITTELFUSE | 1304 шт |
4 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 4000шт. | — | — | — | — | — | — | 600V | — |