Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
24014 СНГ 7101 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Микросхема 265УВ6 представляет собой каскодный усилитель. 2.1 — — — DIP — — — — Усилители — — — 20шт. — — — — — — — —
21674 СНГ 6798 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. 0.3 — — — DIP — 400V 300mA — — Выпрямительный — — 2000шт. — — — — — — — одиночный
21368 СНГ 6576 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон КС413Б кремниевый диффузионно-планарный, предназначен для стабилизации и ограничения напряжения. Климатическое исполнение - В, категория размещения - 3 Тип корпуса: КД-2 Масса приборов не более 0,15 г. Технические условия: аА0.336.773 ТУ. Основные технические параметры стабилитрона КС413Б: • Номинальное напряжение стабилизации: 4,3 В; • Разброс напряжения стабилизации: 4,1... 4,5 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,01, -0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 18 Ом при Iст 20 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 70 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,34 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С 0.2 — — — DIP — — — — — — — 340мВт 200шт. — — — — 4V3 DO-35 — —
21207 СНГ 6341 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Сдвоенный (двухканальный) операционный усилитель средней точности с внутренней частотной коррекцией и защитой входа от короткого замыкания. 1 DIP14 — — DIP — — — — Усилители — — — 100шт. — — — — — — — —
21694 СНГ 6272 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Логический элемент 8И-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — 100шт. — — — — — — — —
22840 СНГ 6239 шт
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
Диоды 2Д202Р кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 5,2 г, с комплектующими деталями не более 7 г. Тип корпуса: КДЮ-11-2. Технические условия: УЖ3.362.035 ТУ. Основные технические характеристики диода 2Д202Р: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 600 В 5.2 — — — Винт КД-11 600V 5A — — Выпрямительный — — 100шт. — — — — — — — одиночный
20140 ST MICROELECTRONICS 5613 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
75V*0,2A 0.11 — — — DIP DO-35 75V 200mA — — Импульсный — — 1000шт. — — — — — — — одиночный
28226 СНГ 5411 шт
5 грн.
Основные технические параметры варикапа Д901Д: • Сд min - Общая емкость минимальная: 34 пФ при Uобр 4 В; • Сд max - Общая емкость максимальная: 44 пФ при Uобр 4 В; • Qв - Добротность варикапа: 25; • Iобр - Постоянный обратный ток: 1 мкА при Uобр 80 В; • Uo6p - Постоянное обратное напряжение: 80 В; • Токр - Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 1 — — — DIP КД-8 — — — — Варикап — — 1000шт. — — — — — — — —
21308 PHILIPS 5137 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.3 — — — DIP — — — — — — — 1.3Вт 5000шт. — — — — 5V6 DO-41 — —
26192 СНГ 4988 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 82В. Основные технические параметры стабилитрона Д817В: • Разброс напряжения стабилизации: 74... 90 В при Iст 50 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 45 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 60 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С 4.2 — — — Винт — — — — — — — 5Вт 100шт. — — — — 82V ks620 — —
29016 TAIWAN SEMICONDUCTOR 4958 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
0.5 — — — SMD DO-214AC, SMA — — — — Защитный — 400Вт 7500шт. — — — — — — 39V —
21385 СНГ 4865 шт
46 грн.
50+41,40 грн.
200+36,80 грн.
500+32,20 грн.
Основные технические параметры СВЧ диода 3А121А: • Рабочая частота: не более 40 ГГц; • Потери преобразования: не более 9 дБ; • Выпрямленный ток: 0,3...1,4 мА; • Нормированный коэффициент шума: не более 9 дБ; • Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 3; • Выходное сопротивление: 200...600 Ом; • Постоянное прямое напряжение: 0,55...1,2 В; • Импульсная падающая мощность: 100 мВт; • Температура окружающей среды: -60...+85°С; • Минимальная наработка: 50000 ч; 0.0015 — — — SMD КД-124 — — — — СВЧ — — 80шт. — — — — — — — одиночный
25393 СНГ 4542 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Четыре двунаправленных переключателя 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — 100шт. — — — — — — — —
21306 СНГ 4511 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Два JK-триггера со сбросом. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — 100шт. — — — — — — — —
24603 СНГ 4494 шт
9 грн.
50+8,10 грн.
200+7,20 грн.
500+6,30 грн.
Основные технические характеристики диода 2Д202В: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 100 В. 5 — — — Винт КДЮ-11 100V 5A — — Выпрямительный — — 100шт. — — — — — — — одиночный
21649 СНГ 4380 шт
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
Микросхема представляет собой схему (БИС LU) обработки сигналов управления и взаимодействия автоматических телефонных станций (АТС) и предназначена для логической и временной обработки сигналов управления и взаимодействия, передаваемых между АТС по соединительным линиям, уплотненной аппаратурой ИКМ-30. БИС является универсальной для различных типов входящих в аппаратуру ИКМ-30 согласующих устройств (CV): исходящих СИ и входящих СВ, а также для различных режимов включения СУ в соединительные линии (местные, междугородные, декадно-шаговые, координатные). Выбор режимов работы осуществляется подачей соответствующих уровней на входы изменения режима «МО» и входы выбора режима СИ/СВ «CS». Кроме логической обработки СИВ и формирования выходных управляющих сигналов СО, TF, EBL, БИС осуществляет функцию удержания разговорного тракта при сбоях и авариях в аппаратуре ЦСП, а также реализует функции временной селекции сигналов и коррекции длительности импульсов набора номера. Все виды временной обработки сигналов осуществляются цифровыми методами, что значительно повышает стабильность параметров. 3 DIP28 — — DIP — — — — Телефония — — — 15шт. — — — — — — — —
27771 СНГ 4188 шт
3 грн.
Варикап КВ122АТ2. Подобраны комплектами по 3 шт. 0.06 — — — DIP — — — — — Варикап — — 300шт. — — — — — — — —
28081 СНГ 4122 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Диодная сборка, состоящая из четырех кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами. 1.1 — — — DIP — 50V 20mA — — Импульсный — — 50шт. — — — — — — — сборка
27025 СНГ 3895 шт
15 грн.
Принцип действия: на геркон одет ферромагнит с металлическими пластинами, при повышении температуры окружающей среды пластины нагреваются, нагревается ферромагнит. При нагреве магнитные свойства его постепенно теряются. При определённой температуре получается полная потеря магнитных свойств, контакты геркона размыкаются. Технические характеристики: Температура срабатывания — 70°С. Сопротивление датчика в дежурном режиме — не более 0, 5 Ом. Сопротивление датчика в режиме «Пожар» - не менее 200 кОм. 2.1 — — — DIP — — — — — — — — 1000шт. — — — — — — — —
23541 СНГ 3705 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности. 0.2 — — — DIP — — — — — — — 300мВт 500шт. — — — — 3V9 kd-4 — —
21654 СНГ 3648 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
— 4.2 — — — Винт — — — — — — — 8Вт 100шт. — — — — 6V2 ks620 — —
21232 СНГ 3644 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
3 логических элемента 3И-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — 100шт. — — — — — — — —
21411 СНГ 3607 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Диодная сборка, состоящая каждая из двух кремниевых планарно-эпитаксиальных импульсных диодов с раздельными выводами. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. 0.25 — — — SMD — 50V 20mA 200mA — Импульсный — — 100шт. — — — — — — — сборка
28743 СНГ 3450 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 1Т313Б ОС германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — — Биполярный DIP — — — — — — PNP 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75 — — — —
22799 СНГ 3437 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 — КТ-13 Биполярный DIP — — — — — — NPN 150мВт 800 шт. 25В 100мА 250МГц 120 — — — —
23539 СНГ 3426 шт
1,50 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
250+1,12 грн.
— 0.2 — — — DIP — — — — — — — 150мВт 200шт. — — — — 7V5 kd2 — —
23014 СНГ 3405 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21В германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — PNP 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 100 — — — —
25916 СНГ 3402 шт
142 грн.
50+127,80 грн.
200+113,60 грн.
500+99,40 грн.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для применения в переключающих устройствах дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на кристаллодержателе с защитным покрытием. Маркируются: 2А523А-4 - одной черной точкой у положительного электрода. Основные технические параметры СВЧ диода 2А523А-4: • Критическая частота переключения диода: не менее 200 ГГц; • Непрерывная рассеиваемая мощность: 20 Вт; • Постоянный прямой ток: не более 300 мА; • Постоянный обратный ток: не более 4мА; • Прямое напряжение на диоде: не более 1,2 В; • Постоянное обратное напряжение: не более 200 В; • Накопленный заряд диода: не более 220 нКл; • Прямое сопротивление потерь: не более 0,5 Ом; • Общая емкость диода: не более 1,5 пФ; • Температура окружающей среды: -60...+125 °С; • Минимальная наработка: 25000 ч. 0.12 — — — SMD — — — — — СВЧ — — 100шт. — — — — — — — одиночный
23865 СНГ 3398 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
20+21,25 грн.
50+20 грн.
Измерительный диод с оксидным катодом косвенного накала. Предназначен для детектирования колебаний СВЧ в аппаратуре специального назначения. 5 — — — DIP — — — — — — — — 50шт. — — — — — — — —
21398 ST MICROELECTRONICS 3128 шт
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 — — — DIP DO-35 100V 150mA 750mA — Шотки — — 4000шт. — — — — — — — одиночный