Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
20468 DIOTEC SEMICONDUCTOR 3000 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 — SOT23 Биполярный SMD — — — — — — NPN — — 310мВт 3000шт. 45В 800мА — 400 — — — —
29200 ROHM SEMICONDUCTOR 3000 шт
4,50 грн.
10+4,27 грн.
50+4,05 грн.
100+3,60 грн.
500+3,15 грн.
0.1 — SOT-346 Биполярный SMD — — — — — — PNP+R — — 200мВт 3000шт. 50В 100мА 250МГц — — — — —
29344 LITTELFUSE 2995 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
0.043 — — — SMD SOD123 — — — — Защитный — — — 200Вт 3000шт. — — — — — — 7.5V —
26306 СНГ 2992 шт
7 грн.
Основные технические характеристики диода КЦ405Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 500 В. 5.2 — — — DIP — 500V 1A — — Диодный мост — — — — 500шт. — — — — — — — —
26713 СНГ 2991 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Диод кремниевый, сплавный, импульсный. Основные технические характеристики диода Д220: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 0,5 А; • Сд - Общая емкость: 15 пФ при Uoбp 5 В; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 50 В. 0.3 — — — DIP D104 50V 50mA — — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — — одиночный
29557 LRC 2990 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Регулируемый стабилитрон 2.5 В | SOT-23 | ±1% | 2.5...36 В | 100 мА | -40...+85°C | LRC 0.03 — — — SMD — — — — — — — — — — 3000шт. — — — — 2.5-36V SOT23 — —
29559 TEXAS INSTRUMENTS 2986 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
TLV74318PDBVR | LDO-стабилизатор 1.8 В | SOT-23-5 | 300 мА | 1.4...5.5 В | TI 0.25 SOT23-5 — — SMD — — — — Питание — — — — — 3000шт. — — — — — — — —
23008 СНГ 2968 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП25А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 200мВт 100шт. 40В 150мА — 50 — — — —
29024 INFINEON TECHNOLOGIES 2943 шт
140 грн.
10+133 грн.
50+126 грн.
100+112 грн.
Аппаратный криптографический модуль доверенной платформы (TPM 2.0) семейства OPTIGA™ TPM от компании Infineon Technologies, предназначенный для обеспечения безопасности встраиваемых систем, ПК, серверов и сетевого оборудования. 0.12 VQFN-32 — — SMD — — — — ИС аутентификации — — — — — 5000шт. — — — — — — — —
29564 ADVANCED POWER ELECTRONICS 2895 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
2N7002K | N-канальный MOSFET транзистор (Logic Level, ESD Protected) | SOT-23 | 0.38 А / 60 В | Rds(on) 2...5 Ом, Vgs(th) 1...2.5 В, ESD 2 кВ 0.17 — SOT23 Полевой SMD — — — — — — МОП n-канальный 60В 450мА 700мВт 3000шт. — — — — — — — —
26698 СНГ 2850 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабилитроны КС531В1 кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для использования в качестве источников опорного напряжения 31,0 В. Основные технические параметры стабилитрона КС531В1: • Номинальное напряжение стабилизации: 31 В при Iст 5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 90 Ом при Iст 5 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 15 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -50... +100 °С. 0.3 — — — DIP — — — — — — — — — 500мВт 1000шт. — — — — 31V TO-92-2 — —
28909 VISHAY 2825 шт
2 грн.
100+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
1000V*1A 0.34 — — — DIP DO-41 800V 1A — — Выпрямительный — — — — 3000шт. — — — — — — — одиночный
26214 СНГ 2805 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Диоды КД209А кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. 0.3 — — — DIP КД-5А 400V 700mA — — Выпрямительный — — — — 500шт. — — — — — — — одиночный
25103 NXP 2709 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 — — — SMD SOT-23 30V 200mA — — Шотки — — — — 3000шт. — — — — — — — одиночный
22785 СНГ 2641 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Макс. допустимое обратное напряжение, В: 50 Максимальный постоянный прямой ток, мА: 50 0.3 — — — DIP D104 50V 50mA — — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — — одиночный
23582 СНГ 2346 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабилитроны Д815Е кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности 15В. Основные технические параметры стабилитрона Д815Е: • Разброс напряжения стабилизации: 13,3... 16,4 В при Iст 500 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 2,5 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 550 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С 4.2 — — — Винт — — — — — — — — — 8Вт 100шт. — — — — 15V ks620 — —
21383 СНГ 2208 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Электронный номеронабиратель для телефонных аппаратов с импульсным способом набора номера и запоминанием последнего номера. 2.5 DIP22 — — DIP — — — — Телефония — — — — — 64шт. — — — — — — — —
20141 NXP 2197 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
70V 0,2A 0.1 — — — SMD SOT-23 70V 215mA — — Импульсный — — — — 3000шт. — — — — — — — двойной общий катод
23580 PHILIPS 2188 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон BZV55C3V9 SOD-80 3V9 0,5W 0.2 — — — SMD — — — — — — — — — 500мВт 2500шт. — — — — 3V9 SOD-80 — —
23308 СНГ 2137 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабилитроны КС650А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 150 В в диапазоне токов стабилизации 2,5...33 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС650А: • Номинальное напряжение стабилизации: 150 В при Iст 25 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 135... 165 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,2 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 270 Ом при Iст 25 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 2,5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт. 1.5 — — — Винт — — — — — — — — — 5Вт 100шт. — — — — 150V ks620 — —
25104 NXP 2111 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 — — — SMD SOT-23 30V 200mA — — Шотки — — — — 3000шт. — — — — — — — двойной общий катод
23973 СНГ 2107 шт
8 грн.
10+7,20 грн.
20+6,80 грн.
50+6,40 грн.
Неоновая лампа ТН-0,2-2 применяется в качестве индикаторных, сигнальных элементов в различных электротехнических и радиотехнических устройствах. 2.5 — — — DIP — — — — — — — — — — 100шт. — — — — — — — —
29261 DIODES INCORPORATED 2081 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.12 — — — SMD — — — — — — — — — 500мВт 3000шт. — — — — 15V SOD-123 — —
23549 СНГ 2069 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Тип диода импульсный Максимальное постоянное обратное напряжение,В 50 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.05 Способ монтажа в отверстие Максимальное время восстановления ,мкс 0.004 Максимальный обратный ток,мкА 1 Максимальное прямое напряжение,В 1 при Iпр.,А 0.05 Общая емкость,Сд.пФ 4 Рабочая температура,С -60...125 Корпус kd 3 0.2 — — — DIP КД-2 50V 50mA 500mA — Импульсный — — — — 500шт. — — — — — — — одиночный
20142 NXP 2061 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
2 Диода 70V 215mA 0.1 — — — SMD SOT-23 75V 215mA — — Импульсный — — — — 3000шт. — — — — — — — 2 последовательных диода
26500 СНГ 2038 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Четыре двунаправленных переключателя. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — — —
21372 СНГ 2036 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Три логических элемента 3И-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — — —
21664 СНГ 1989 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г. Тип корпуса: КТЮ-3-9. 3.5 — КТЮ-3-9 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 5Вт 200шт. 80В 2А 10МГц 50 — — — —
26675 СНГ 1938 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Основные технические характеристики транзистора КП303И: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА; • S - Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. 0.4 — КТ-1 Полевой DIP — — — — — — МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — — — — — —
22384 СНГ 1916 шт
2 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
250+1,12 грн.
Стабилитрон кремниевый, планарный, малой мощности. 0.1 — — — DIP — — — — — — — — — 125мВт 400шт. — — — — 11V kd2 — —