Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
24175 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
92 грн.
10+87,40 грн.
50+82,80 грн.
100+73,60 грн.
7 TO247 IGBT DIP 378Вт 30шт. 600В 60А
24174 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
7 TO247 IGBT DIP 600Вт 30шт. 600В 60А
24172 INFINEON TECHNOLOGIES
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
7 TO247 IGBT DIP 187Вт 30шт. 600В 30А
24171 INFINEON TECHNOLOGIES
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
7 TO247 IGBT DIP 306Вт 30шт. 600В 40А
24170 INFINEON TECHNOLOGIES
85 грн.
10+80,75 грн.
50+76,50 грн.
100+68 грн.
7 TO247 IGBT DIP 333Вт 30шт. 600В 50А
24161 ON SEMICONDUCTOR
235 грн.
10+223,25 грн.
50+211,50 грн.
100+188 грн.
8 TO264 IGBT DIP 180Вт 25шт. 1кВ 60А
24160 Silan Semiconductor
63 грн.
10+59,85 грн.
50+56,70 грн.
100+50,40 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 290Вт 30шт. 600В 40А
24159 TOSHIBA
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 230Вт 25шт. 600В 50А
24158 Silan Semiconductor
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 321Вт 30шт. 600В 60А
24157 FUJI
39 грн.
10+37,05 грн.
50+35,10 грн.
100+31,20 грн.
5.7 TO3P Полевой DIP МОП n-канальный 500В 23А 315Вт 25шт.
24156 NEC
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
5.7 TO3P Полевой DIP МОП n-канальный 500В 20А 140Вт 30шт.
24153 Silan Semiconductor
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
5.7 TO3P Полевой DIP МОП n-канальный 900В 150Вт 30шт.
24949 PHILIPS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.3 SOT223 Полевой SMD МОП n-канальный 50В 3.2А 1.8Вт 1000шт.
24998 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
24999 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы 2Т312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
25000 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
25001 СНГ
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
25002 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы 2Т313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 0.4 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
25003 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. 1.2 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
25005 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Основные технические параметры фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк. 0.3 Фото DIP 100шт.
25130 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 10 Биполярный DIP PNP 3Вт 40шт. 40В 1.5А 30МГц 120
25131 СНГ
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор ГТ701А германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. 22 Биполярный DIP PNP 50Вт 20шт. 100В 12А 75
25224 СНГ
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 22 КТЮ-3-20 Биполярный DIP NPN 50Вт 10шт. 100В 10А 50МГц 60
25225 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы 1Т305Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. 0.4 Биполярный DIP PNP 75мВт 100шт. 15В 6mA 20МГц 180
25229 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы 2Т306А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 60
25230 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы 2Т306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 120
25231 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы 2Т306В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 100
25232 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы 2Т306Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 200
25239 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 75Вт 50шт. 400В
25464 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
500+16,80 грн.
7 TO3 Биполярный DIP NPN 130Вт 30шт. 400В 12А 4МГц 30