Транзисторы
Параметры фильтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Транзистор FGH60N60SMD
#12589
|
24174 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
95 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 600Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | ||||||||||
| 24172 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
58 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 187Вт | 30шт. | 600В | 30А | — | — | |||||||||||
| 24171 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
64 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 306Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | |||||||||||
| 24170 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
85 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 333Вт | 30шт. | 600В | 50А | — | — | |||||||||||
| 24161 | ON SEMICONDUCTOR | — |
235 грн.
|
|
— | 8 | TO264 | IGBT | DIP | — | — | — | 180Вт | 25шт. | 1кВ | 60А | — | — | |||||||||||
| 24160 | Silan Semiconductor | — |
63 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | 290Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | |||||||||||
| 24159 | TOSHIBA | — |
65 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | 230Вт | 25шт. | 600В | 50А | — | — | |||||||||||
| 24158 | Silan Semiconductor | — |
76 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | 321Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | |||||||||||
| 24157 | FUJI | — |
39 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Полевой | DIP | МОП n-канальный | 500В | 23А | 315Вт | 25шт. | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2SK2370 (=K2370)
#12598
|
24156 | NEC | — |
46 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Полевой | DIP | МОП n-канальный | 500В | 20А | 140Вт | 30шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор SVF3878PN (=3878)
#12599
|
24153 | Silan Semiconductor | — |
45 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Полевой | DIP | МОП n-канальный | 900В | 9А | 150Вт | 30шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор BSP17
#12627
|
24949 | PHILIPS | — |
12 грн.
|
|
— | 0.3 | SOT223 | Полевой | SMD | МОП n-канальный | 50В | 3.2А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
#12642
|
24998 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 120МГц | 250 | |||||||||
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
#12643
|
24999 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 80МГц | 100 | |||||||||
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
#12644
|
25000 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 120МГц | 100 | |||||||||
| 25001 | СНГ | — |
52 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 80 | ||||||||||
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
#12646
|
25002 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 0.4 | КТ-1-7 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 100шт. | 50В | 350мА | 200МГц | 120 | |||||||||
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
|
25003 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. | 1.2 | — | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 12В | 50мА | 300МГц | 30 | |||||||||
Фототранзистор ФТ-1К гр.1
#12650
|
25005 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Основные технические параметры фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк. | 0.3 | — | Фото | DIP | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
| 25130 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 3Вт | 40шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 120 | ||||||||||
Транзистор ГТ701А
#12774
|
25131 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ701А германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. | 22 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 50Вт | 20шт. | 100В | 12А | — | 75 | |||||||||
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
|
25224 | СНГ | — |
120 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами. | 22 | КТЮ-3-20 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 10шт. | 100В | 10А | 50МГц | 60 | |||||||||
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
|
25225 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзисторы 1Т305Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. | 0.4 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 75мВт | 100шт. | 15В | 6mA | 20МГц | 180 | |||||||||
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
|
25229 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 60 | |||||||||
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
|
25230 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 120 | |||||||||
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
|
25231 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 100 | |||||||||
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
|
25232 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т306Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 200 | |||||||||
| 25239 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 75Вт | 50шт. | 400В | 4А | — | — | |||||||||||
| 25464 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
24 грн.
|
|
— | 7 | TO3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 130Вт | 30шт. | 400В | 12А | 4МГц | 30 | |||||||||||
Транзистор КТ603Б
#13540
|
25671 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. | 1.5 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 |
