Транзисторы
Параметры фильтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Транзистор КТ611АМ
#11959
|
24248 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | КТ611АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах. | 1 | TO126 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 3Вт | 100шт. | 180В | 100мА | 60МГц | 40 | |||||||||
Транзистор 2Т607А-4
#11960
|
24249 | СНГ | — |
160 грн.
|
|
— | Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре. | 0.4 | — | Биполярный | SMD | NPN | — | — | 1.5Вт | 8шт. | 35В | 150мА | 0,7МГц | — | |||||||||
Транзистор 2П903В (=КП903В)
#11966
|
24255 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Транзисторы 2П903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. | 4.5 | КТ-4-2 | Полевой | Винт | МОП n-канальный | 20В | 700мА | 6Вт | 20шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП327А (=BF961)
#12172
|
24464 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КП327А кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа | 0.3 | КТ-29 | Полевой | SMD | МОП n-канальный | 14В | 30мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор FIR150N06P
#12214
|
24591 | First | — |
22 грн.
|
|
— | 2.5 | TO220 | Полевой | DIP | МОП n-канальный | 60В | 150А | 220Вт | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2Т809А (=КТ809А)
#12230
|
24609 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом. | 22 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 20шт. | 400В | 5А | — | 100 | |||||||||
Транзистор П210А
#12231
|
24610 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 15. | 34 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 60Вт | 10шт. | 65В | 12А | — | 15 | |||||||||
Транзистор КТ816В
#12237
|
24616 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ816В кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. | 0.7 | TO126 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 25 | |||||||||
Транзистор КТ812В
#12261
|
24643 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 16 | kt-9 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 20шт. | 200В | 8А | 3МГц | 10 | |||||||||
Транзистор КТ940Б
#12264
|
24646 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | TO126 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 10Вт | 200шт. | 250В | 100мА | 90МГц | 25 | |||||||||
Транзистор КТ817А
#12265
|
24647 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | TO126 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 40В | 3А | 3МГц | 40 | |||||||||
Транзистор КТ817В
#12266
|
24648 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | TO126 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 40 | |||||||||
Транзистор КП303Е Au
#12267
|
24649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | КТ-1 | Полевой | DIP | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ3102А
#12269
|
24651 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. | 0.34 | КТ-1 | — | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 300МГц | 250 | |||||||||
Транзистор П27
#12270
|
24652 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 100 | |||||||||
Транзистор П28
#12271
|
24653 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы П28 - германиевые, усилительные, малой мощности низкочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1КГц, структуры - p-n-p. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 5МГц | 200 | |||||||||
Транзистор МП37
#12272
|
24654 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы МП37 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | |||||||||
Транзистор КТ601А Au
#12273
|
24655 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 16; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс. | 2 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 100В | 30мА | 40МГц | 25 | |||||||||
Транзистор КТ603Б Au
#12274
|
24656 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | |||||||||
Транзистор КТ808А с крепежом
#12276
|
24658 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. | 30 | КТЮ-3-20 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 10шт. | 120В | 10А | — | 50 | |||||||||
Транзистор П422
#12280
|
24662 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. | 1.5 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 50МГц | 100 | |||||||||
Транзистор КТ837Ф
#12332
|
24682 | INTEGRAL | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 150 | |||||||||
Транзистор ГТ328В Au
#12334
|
24684 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора ГТ328В: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 300 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В при 5кОм; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 15 В; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...50 при 5В, 3мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ при 5В; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7 дБ на частоте 180 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. | 0.5 | КТ-1 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 50мВт | 100шт. | 15В | 10мА | 300МГц | 50 | |||||||||
Транзистор КТ603Д Au
#12336
|
24686 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ603Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 10В | 300мА | 200МГц | 80 | |||||||||
Транзистор КТ3102ВМ
#12368
|
24703 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 30В | 200мА | — | 500 | ||||||||||
Транзистор КТ3102БМ
#12369
|
24704 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 50В | 200мА | — | 500 | ||||||||||
Транзистор КТ209Л
#12370
|
24706 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 60 | ||||||||||
Транзистор SD1274-1
#12408
|
24743 | ASI | — |
520 грн.
|
|
— | 10 | SOT120 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 70Вт | 10шт. | 16В | 8А | 160МГц | 20 | ||||||||||
| 24922 | MAGNACHIP SEMICONDUCTOR | — |
78 грн.
|
|
— | 6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 375Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | |||||||||||
Транзистор FGH40N60SMD
#12587
|
24924 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
70 грн.
|
|
— | 6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 349Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — |
