Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
23488 СНГ
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Транзисторы КП350В кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 200мВт 100шт.
23525 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт.
23526 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 27В 25мА 250мВт 100шт.
23559 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 240
23560 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23561 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23562 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23565 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ503В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23566 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ503Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23567 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 120
23568 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 120
23569 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 120
23572 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 45В 350мА 60
23573 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 250мВт 1000шт. 20В 200мА 1000
23575 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 30В 350мА 60
23576 ST MICROELECTRONICS
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
500+22,40 грн.
5.7 TO3P Биполярный DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
23848 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзисторы КП303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт.
23849 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзисторы КП303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт.
23914 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 140
24034 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. 1.6 Биполярный SMD NPN 1Вт 100шт. 40В 200МГц 120
24036 СНГ
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы. 1.6 Биполярный NPN 50шт. 180
24126 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств. 10 Биполярный DIP NPN 10Вт 20шт. 40В 500мА 20МГц 40
24129 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220
24130 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 20В 200мА 200МГц 800
24131 СНГ
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
Транзисторы П702 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 40Вт 20шт. 60В 4МГц 25
24243 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзисторы П308 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 250мВт 100шт. 120В 30мА 20МГц 90
24244 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
КТ602Б Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. 3.2 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 220
24245 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы КТ608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
24246 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. 1 TO126 Биполярный DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 40
24247 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. 1 TO126 Биполярный DIP PNP 1Вт 100шт. 60В 1.5А 80МГц 160