Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор MMBTA06LT1G (1GM)
Транзистор MMBTA06LT1G (1GM)
#6500
 29247 ON SEMICONDUCTOR 1104 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN — — 300мВт 3000шт. 80В 500мА — 100
Транзистор КТ660А
Транзистор КТ660А
#10314
 22263 INTEGRAL 1072 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 45В 800мА — 220
Транзистор МП14
Транзистор МП14
#10830
 23026 СНГ 1044 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 40
Транзистор МП101Б
Транзистор МП101Б
#13702
 25863 СНГ 1005 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 45
Транзистор КТ829Г
Транзистор КТ829Г
#13386
 25510 СНГ 998 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 200шт. 45В 8А 4МГц 750
Транзистор BSS138 (SS)
Транзистор BSS138 (SS)
#2481
 22865 ON SEMICONDUCTOR 965 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
0.1 SOT23 Полевой SMD МОП n-канальный 50В 200мА 225мВт 3000шт. — — — —
Транзистор DMTH6016LFVWQ-7 (H6W)
Транзистор DMTH6016LFVWQ-7 (H6W)
#16996
 29248 DIOTEC SEMICONDUCTOR 952 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
0.25 PowerDI3333-8(SWP) Полевой SMD МОП n-канальный 60В 41А 1.17 Вт 1000шт. — — — —
Транзистор МП115
Транзистор МП115
#13700
 25860 СНГ 887 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремниевые биполярные сплавные p-n-p тпранзисторы типов МП115 в металлостеклянном корпусе, предназначенны для работы в импульсных схемах, в стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и в других устройствах бытовой техники. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 60мВт 100шт. 30В 200мА 0,1МГц 45
Транзистор КТ315И
Транзистор КТ315И
#6842
 23552 СНГ 883 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — — 100мВт 800 шт. 60В 50мА 250МГц 30
Транзистор IRF3205
Транзистор IRF3205
#2498
 21008 INTERNATIONAL RECTIFIER 869 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 55В 110А 200Вт 50шт. — — — —
Транзистор КТ361Б
Транзистор КТ361Б
#6844
 23551 СНГ 856 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 20В 50мА 250МГц 350
Транзистор КТ503Д
Транзистор КТ503Д
#10351
 22339 СНГ 800 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ503Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
Транзистор VN2410L
Транзистор VN2410L
#7289
 23578 ON SEMICONDUCTOR 789 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.25 TO92 Полевой DIP МОП n-канальный 240В 200мА 350мВт 1000шт. — — — —
Транзистор КТ3115А-2
Транзистор КТ3115А-2
#10726
 22783 СНГ 775 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей сверхвысоких частот. 0.1 КТ-22 Биполярный SMD NPN — — 75мВт 200шт. — 8,5мА 5ГГц 110
Транзистор МП104
Транзистор МП104
#13968
 26148 СНГ 750 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы МП104 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
Транзистор КТ604БМ
Транзистор КТ604БМ
#10321
 22271 СНГ 741 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604БМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. 1 TO126 Биполярный DIP NPN — — 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 120
Транзистор КТ361Г1
Транзистор КТ361Г1
#10352
 22340 СНГ 680 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350
Транзистор SS9015C (S9015)
Транзистор SS9015C (S9015)
#8842
 20498 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 663 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 450мВт 500шт. 45В 100мА 200МГц 600
Транзистор BD139-16 (=КТ815Г)
Транзистор BD139-16 (=КТ815Г)
#9907
 21707 INTEGRAL 650 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
— 1 TO126 Биполярный DIP NPN — — 12.5Вт 1000шт. 80В 1.5А — —
Транзистор МП13
Транзистор МП13
#14471
 26682 СНГ 645 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы МП13 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Основные технические характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...55; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 12
Транзистор КТ315Е
Транзистор КТ315Е
#6840
 23555 СНГ 638 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
Транзистор MMBT4401 (2X)
Транзистор MMBT4401 (2X)
#9700
 21035 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 638 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN — — 350мВт 3000шт. 40В 600мА — 300
Транзистор BC558B
Транзистор BC558B
#2383
 22519 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 630 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 500мВт 4000шт. 30В 100мА — 450
Транзистор КТ645А
Транзистор КТ645А
#10316
 22265 INTEGRAL 628 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 50В 300мА — —
Транзистор КТ3130А9 (=ВСW71)
Транзистор КТ3130А9 (=ВСW71)
#10107
 21846 INTEGRAL 626 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN — — 100мВт 1000шт. 40В 100мА 150МГц 250
Транзистор BC547C
Транзистор BC547C
#2231
 23481 DIOTEC SEMICONDUCTOR 608 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 2500шт. 45В 100мА — 400
Транзистор П214В
Транзистор П214В
#12366
 24701 СНГ 584 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 50шт. 55В 5А — —
Транзистор МП15
Транзистор МП15
#3476
 23010 СНГ 533 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП15 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 60
Транзисторная сборка 2ТС393А-1Н
Транзисторная сборка 2ТС393А-1Н
#11806
 24035 СНГ 492 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. 2 — Биполярный SMD PNP x2 — — 20мВт 150шт. 10В 20мА 500МГц 180
Транзистор КТ502А
Транзистор КТ502А
#10350
 22338 СНГ 486 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 120