Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
SS9014C (S9014)
SS9014C (S9014)
#8690
 20398 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 484 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 450мВт 500шт. 45В 100мА — 600
Транзистор BC327-40
Транзистор BC327-40
#2379
 22516 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 458 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Биполярный DIP PNP — — 625мВт 4000шт. 50В 800мА — 400
Транзистор МП25
Транзистор МП25
#10814
 23007 СНГ 457 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП25 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 40В 150мА — 25
Транзистор BC546B
Транзистор BC546B
#2229
 21821 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 452 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 65В 100мА — 200
Транзистор 2N3906
Транзистор 2N3906
#2338
 20406 DIOTEC SEMICONDUCTOR 452 шт
0,70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
0.25 TO92 Биполярный DIP PNP — — 625мВт 1000шт. 40В 200мА — 300
Транзистор BC857C (3G)
Транзистор BC857C (3G)
#2399
 23061 DIOTEC SEMICONDUCTOR 449 шт
0,60 грн.
10+0,57 грн.
50+0,54 грн.
100+0,48 грн.
500+0,42 грн.
0.05 SOT23 Биполярный SMD PNP — — 250мВт 3000шт. 50В 100мА — 520
Транзистор SS9018H (S9018)
Транзистор SS9018H (S9018)
#8840
 20493 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 448 шт
1,50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 400мВт 500шт. 30В 50мА 1100МГц 140
Транзистор КТ805АМ
Транзистор КТ805АМ
#10782
 22970 СНГ 435 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 30Вт 100шт. 60В 5А 20МГц 15
Транзистор КТ209Е
Транзистор КТ209Е
#10313
 22262 INTEGRAL 425 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 30В 300мА — 240
Транзистор КТ680А
Транзистор КТ680А
#14422
 26631 СНГ 422 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор KT680A кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 300
Транзистор CSD17308Q3
Транзистор CSD17308Q3
#17127
 29378 TEXAS INSTRUMENTS 420 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
0.12 VSON-CLIP-8(3.3x3.3) Полевой SMD МОП n-канальный 30В 50А 28Вт 2500шт. — — — —
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
#10102
 21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 80
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
#10101
 21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
Транзистор МП103
Транзистор МП103
#13682
 25841 СНГ 398 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
#10106
 21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
Транзистор IRLML5103TRPBF (D7EKH)
Транзистор IRLML5103TRPBF (D7EKH)
#6347
 25108 INTERNATIONAL RECTIFIER 393 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.1 SOT23 Полевой SMD МОП р-канальный 30В 750мА 540мВт 3000шт. — — — —
Транзистор КТ817Б
Транзистор КТ817Б
#12236
 24615 СНГ 389 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ817Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 25Вт 200шт. 45В 3А 3МГц 40
Транзистор КТ853В
Транзистор КТ853В
#13954
 26134 СНГ 377 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы КТ853В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом; • tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс 2 TO220 Биполярный DIP PNP — — 60Вт 100шт. 60В 8А 7МГц 750
Транзистор МП106
Транзистор МП106
#13536
 25664 СНГ 356 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП106 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор КТ3101АМ
Транзистор КТ3101АМ
#14485
 26697 СНГ 352 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы КТ3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Основные технические характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. 0.25 КТ-14 Биполярный SMD NPN — — 100мВт 20шт. 15В 20мА 4ГГц 300
Транзистор МП116
Транзистор МП116
#11961
 24250 СНГ 339 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы МП116 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор П216А
Транзистор П216А
#14714
 26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP — — 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80
Транзистор П605А
Транзистор П605А
#11215
 23349 СНГ 326 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 9.2 — Биполярный DIP PNP — — 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор МП103А
Транзистор МП103А
#13712
 25876 СНГ 326 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 30
Транзистор MMBT5401LT1G (2L)
Транзистор MMBT5401LT1G (2L)
#6431
 20416 ON SEMICONDUCTOR 325 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD PNP — — 350мВт 3000шт. 150В 600мА — 240
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
 24467 СНГ 317 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники. Основные технические параметры фототранзистора ФТ-8: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 0,5 мм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,9...0,95 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 1 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,2 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — — — 400шт. — — — —
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
 24608 СНГ 311 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Основные технические характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 120 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 50 МГц. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 10А — 180
Транзистор КТ3128А
Транзистор КТ3128А
#10341
 22328 СНГ 300 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Предназначен для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой усиления. 0.4 КТ-1 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 500шт. 20В 20мА 800МГц 150
Транзистор КТ3107Ж
Транзистор КТ3107Ж
#10104
 21843 СНГ 297 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 450
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
#10315
 22264 СНГ 296 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор 2Т208М1 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 60В 300мА — 40