Brand «СНГ»

Results: 4144

MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Pin type Type of shell Rated capacity, μF Working voltage, V Rated capacity tolerance,% Working temperature, С Case diameter D, mm Body length L, mm Transistor case type Transistor type Mounting type Appointment Structure Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Capacity Accuracy Stabilization voltage Zener diode housing type Working current, A Material Plug or socket Number of contacts Mechanical installation Type Color LED type LED purpose
23772 СНГ —
4 грн.
20+3,60 грн.
50+3,20 грн.
100+3 грн.
200+2,80 грн.
— Material ceramic Rated voltage, V 250 Rated operating current, A 5 Cylindrical contacts Case length, mm 15 Case diameter, mm 4 Operating temperature, С -60…100 0.3 — — — 250 — — 4 15 — — DIP — — — 200pcs — — — — — — — — 5 Ceramics — — — — — — —
23771 СНГ —
1.50 грн.
20+1,35 грн.
50+1,20 грн.
100+1,12 грн.
200+1,05 грн.
— Fuses (fusible inserts) are designed to break the electrical circuit if the current in the circuit exceeds the specified one. 0.9 — — — 250 — — 5 20 — — DIP — — — 100 pieces. — — — — — — — — 0.5 Glass — — — — — — —
23769 СНГ —
4 грн.
20+3,60 грн.
50+3,20 грн.
100+3 грн.
200+2,80 грн.
— Material ceramic Rated voltage, V 250 Rated operating current, A 0.5 Cylindrical contacts Case length, mm 15 Case diameter, mm 4 Operating temperature, С -60…100 0.3 — — — 250 — — 4 15 — — DIP — — — 200pcs — — — — — — — — 0.5 Ceramics — — — — — — —
23730 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
20+12,60 грн.
50+11,90 грн.
100+11,20 грн.
— Designed for operation in electrical circuits of direct, variable frequency up to 3 MHz and pulse currents up to 1550 V. Maximum operating current per contact, 15A. 14 — — — — — — — — — — DIP — — — 100 pieces. — — — — — — — — — — Socket 7 To the body RP — — —
23729 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
20+12,60 грн.
50+11,90 грн.
100+11,20 грн.
— Designed for operation in electrical circuits of direct, variable frequency up to 3 MHz and pulse currents up to 1550 V. Maximum operating current per contact, 15A. 10.2 — — — — — — — — — — DIP — — — 100 pieces. — — — — — — — — — — Fork 7 To the body RP — — —
23728 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
20+10,80 грн.
50+10,20 грн.
100+9,60 грн.
— Designed for operation in electrical circuits of direct, variable frequency up to 3 MHz and pulse currents up to 1550 V. Maximum operating current per contact, 15A. 5.7 — — — — — — — — — — DIP — — — 100 pieces. — — — — — — — — — — Fork 7 To the body RP — — —
23727 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
20+36 грн.
50+34 грн.
100+32 грн.
— Connector RP10-15 low-frequency, rectangular, internal mounting is designed to work in electrical circuits of direct, alternating frequency up to 3 MHz and pulsed currents with voltage up to 1550 V. Maximum operating current per contact, 15A. 50 — — — — — — — — — — DIP — — — 25pcs — — — — — — — — — — Fork 15 per wire RP — — —
23726 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
20+12,60 грн.
50+11,90 грн.
100+11,20 грн.
— Designed for operation in electrical circuits of direct, variable frequency up to 3 MHz and pulse currents up to 1550 V. Maximum operating current per contact, 15A. 10 — — — — — — — — — — DIP — — — 100 pieces. — — — — — — — — — — Socket 7 To the body RP — — —
23608 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
20+18 грн.
50+17 грн.
100+16 грн.
— The connectors are designed to connect and disconnect electrical circuits of direct, alternating (with a frequency of up to 3 MHz) and pulsed currents in equipment with volumetric installation. 10 — — — — — — — — — — DIP — — — 124pcs — — — — — — — — — — Fork 32 For a fee SNP — — —
23598 СНГ —
3.50 грн.
— Capacitors MBM paper metallized compacted insulated. 2.9 Flexible Leads — — 250 — — 8 35 — — DIP — — — 100 pieces. — — — — 100nF (0.1µF) 10 % — — — — — — — — — — —
23594 СНГ —
3 грн.
— Capacitors MBM paper metallized compacted insulated. 2 Flexible Leads — — 500 — — — — — — DIP — — — 140pcs — — — — 25nF (0.025µF) 10 % — — — — — — — — — — —
23592 СНГ —
30.30 грн.
50+27,27 грн.
200+24,24 грн.
— Capacitors K50-12 aluminum oxide-electrolytic with foil plates. 75 hard conclusions — 200 300 20 -25...+70 32 60 — — Screw — — — 25pcs — — — — — — — — — — — — — — — — —
23587 СНГ —
162 грн.
10+153,90 грн.
50+145,80 грн.
100+129,60 грн.
— Read-only memory with the possibility of one-time programming with an information capacity of 16Kbps (2048 x 8 bits). 1.5 — SO24 — — — — — — — — SMD Memory — — 80pcs — — — — — — — — — — — — — — — — —
23575 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 30В 350мА — 60 — — — — — — — — — — — — —
23573 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — NPN 250мВт 1000pcs 20В 200мА — 1000 — — — — — — — — — — — — —
23572 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 45В 350мА — 60 — — — — — — — — — — — — —
23571 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 45В 350мА — 160 — — — — — — — — — — — — —
23569 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 25В 350мА — 120 — — — — — — — — — — — — —
23568 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 60В 350мА — 120 — — — — — — — — — — — — —
23567 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 60В 350мА — 120 — — — — — — — — — — — — —
23566 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Transistors KT503G silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices. 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — NPN 350мВт 1000pcs 40В 350мА 5МГц 240 — — — — — — — — — — — — —
23565 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Transistors KT503V silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices. 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — NPN 350мВт 1000pcs 40В 350мА 5МГц 120 — — — — — — — — — — — — —
23562 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Transistors KT502E silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 80В 350мА 5МГц 120 — — — — — — — — — — — — —
23561 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Transistors KT502G silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 40В 350мА 5МГц 240 — — — — — — — — — — — — —
23560 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Transistors KT502V silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 40В 350мА 5МГц 120 — — — — — — — — — — — — —
23559 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Transistors KT502B silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 — — — — — — — — TO92 Bipolar DIP — PNP 350мВт 1000pcs 25В 350мА 5МГц 240 — — — — — — — — — — — — —
23547 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,55 грн.
500+2,25 грн.
— The main technical parameters of the LED AL102GM: • Color of radiation (glow): red; • Light intensity: not less than 0.4 cd/m2; • DC forward voltage: no more than 2.8 V; • Maximum spectral distribution: 0.69 µm; • Maximum allowable direct forward current: 20 mA; • Maximum pulse current at a given pulse duration: 60 mA at 2 ms; • The maximum allowable reverse DC voltage: 2 V; • The maximum allowable pulsed reverse DC voltage: 2 V. 0.3 — — — — — — — — — — DIP — — — 200pcs — — — — — — — — — — — — — — Red 5mm round Indication
23543 СНГ —
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
— Silicon zener diode, planar, medium power. The main technical parameters of the KS407G zener diode: • Rated stabilization voltage: 5.1 V at Ist 20 mA; • Stabilization voltage spread: 4.8... 5.4 V; • Zener diode differential resistance: 17 Ohm at Ist 20 mA; • Minimum allowable stabilization current: 1 mA; • Maximum allowable stabilization current: 59 mA; • Maximum allowable power dissipation on the zener diode: 0.5 W; • Working range of ambient temperature: -40... +85 °С. 0.1 — — — — — — — — — — DIP — — 500мВт 400pcs — — — — — — 5V1 kd2 — — — — — — — — —
23537 СНГ —
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
— Zener diodes KS630A silicon, diffusion-alloy, medium power. Designed to stabilize the rated voltage of 130 V in the stabilization current range of 5...38 mA. 3 — — — — — — — — — — Screw — — 5Вт 100 pieces. — — — — — — 130V ks620 — — — — — — — — —
23536 СНГ —
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
— Silicon zener diodes, diffusion-alloy, medium power, precision. 0.8 — — — — — — — — — — DIP — — 720мВт 80pcs — — — — — — 82V — — — — — — — — — —