Active radio components

Results: 8086

MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Transistor case type Transistor type Mounting type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging
TOSHIBA
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 800В 40Вт 50pcs
6.80 грн.
Корпус: TO-220F Uds,V: 450 Idd,A: 7 Rds(on), Ohm: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 870/
21159 TOSHIBA
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 600В 40Вт 50pcs
100 грн.
Корпус: TO-220 Uds,V: 900 Idd,A: 3 Rds(on), Ohm: 3.73 Ciss, pF/Qg, nC: 750/25
TOSHIBA
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
download datasheet 2SK2615 pdf,275 KB 0.4 SOT89 Field SMD MOS n-channel 60В 500мВт 3000pcs
32 грн.
Корпус: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 6 Rds(on), Ohm: 0.9 Ciss, pF/Qg, nC: 1500/30
FUJI
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 900В 50Вт 50pcs
22861 TOSHIBA
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
7 TO3P Field DIP MOS n-channel 500В 20А 150Вт 30pcs
PANASONIC SEMICONDUCTOR
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
download datasheet 2SK301 pdf,80 KB 0.3 TO92 Field DIP MOS n-channel 55В 30мА 250мВт 1000pcs
TOSHIBA
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 600В 25Вт 50pcs
20386 FUJI
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 800В 60Вт 50pcs
TOSHIBA
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 600В 40Вт 50pcs
26 грн.
Корпус: TO-220 Uds,V: 900 Idd,A: 1 Rds(on), Ohm: 9 Ciss, pF/Qg, nC: 370/15
22889 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.5 SO8 Field SMD MOS n+p-channel 30В 6.9А 2Вт 95pcs
20111 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
download datasheet AOD606 pdf,170 KB 0.7 TO252-4 Field SMD MOS n+p-channel 40В 50Вт 75pcs
20275 ADVANCED POWER ELECTRONICS
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
download datasheet AP4525GEH pdf,142 KB 0.4 TO252-4 Field SMD MOS n+p-channel 40В 8.3А 3.1Вт 1000pcs
ANPEC
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.6 TO252 Field SMD MOS n-channel 30В 50А 50Вт 75pcs
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
download datasheet BF245A pdf,29 KB 0.3 TO92 Field DIP MOS n-channel 30В 10мА 350мВт 1000pcs
PHILIPS
4.50 грн.
10+4,27 грн.
50+4,05 грн.
100+3,60 грн.
download datasheet BF992 pdf,85 KB 0.2 SOT143 Field SMD MOS n-channel 20В 40мА 200мВт 3000pcs
13.40 грн.
орпус: SOT-143 Uds,V: 20 Idd,A: 0.03 Ciss, pF/Qg, nC: 1,2-2,5/ -
23346 INFINEON TECHNOLOGIES
4.50 грн.
10+4,27 грн.
50+4,05 грн.
100+3,60 грн.
0.1 SOT143 Field SMD MOS n-channel 12В 30мА 200мВт 3000pcs
6 грн.
Корпус: SOT-23 Uds,V: +-25 Idd,A: 0.01
ON SEMICONDUCTOR
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
download datasheet BS107A pdf,101 KB 0.3 TO92 Field DIP MOS n-channel 200В 250мА 350мВт 2000pcs
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
2.50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
download datasheet BS170 pdf,161 KB 0.25 TO92 Field DIP MOS n-channel 60В 500мА 830мВт 1000pcs
8 грн.
Корпус: SOT-23 Uds,V: 250 Idd,A: 0.03 Rds(on), Ohm: 30 Ciss, pF/Qg, nC: 60/0,14
SIEMENS
21 грн.
10+19,95 грн.
50+18,90 грн.
100+16,80 грн.
download datasheet BUZ80A pdf,173 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 800В 75Вт 50pcs
SIEMENS
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
download datasheet BUZ90AF pdf,117 KB 2.8 TO220F Field DIP MOS n-channel 600В 4.3А 35Вт 50pcs
SIEMENS
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
download datasheet BUZ91A pdf,120 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 600В 150Вт 50pcs
8 грн.
Корпус: SOT-223 Uds,V: 350 Idd,A: 0.13 Rds(on), Ohm: 8 Ciss, pF/Qg, nC: 300/ -
23.20 грн.
Корпус: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 11.5 Rds(on), Ohm: 0.01 Ciss, pF/Qg, nC: 2070/19