Home/ Active radio components/ transistors

transistors

Results: 3670

Filter layout: |

Table columns

Fixed columns: MPN, Article, Brand, stock, price, discounts, quantity, description.

Weight g.
Transistor case type
Transistor type
Mounting type
Structure
Drain-source voltage
Drain current
Power
Factory packaging
Collector-emitter voltage
Collector current
Frequency
Current gain

Imported transistors
Domestic transistors

Filters

from to

ADVANCED POWER ELECTRONICS ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR AMS ANPEC ASI AUK Anachip Corporation BL Galaxy Electrical CDIL CHINA CR MICRO DAXIN DIODES INCORPORATED DIOTEC SEMICONDUCTOR FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FUJI First GENERAL SEMICONDUCTOR HITACHI HKZ INFINEON TECHNOLOGIES INTEGRAL INTERFET CORPORATION INTERNATIONAL RECTIFIER IXYS Inchange Semiconductor JIANGSU CHANGJIANG KEC MACOM MAGNACHIP SEMICONDUCTOR MCC MICROCHIP TECHNOLOGY MITSUBISHI MOSPEC MOTOROLA NEC NIKO-SEM NXP ON SEMICONDUCTOR PANASONIC SEMICONDUCTOR PHILIPS RENESAS ROHM SEMICONDUCTOR SAMSUNG SANKEN SANYO SHINDENGEN SIEMENS SMG ST MICROELECTRONICS Silan Semiconductor Stanson Technology TAIWAN TAIWAN SEMICONDUCTOR TEXAS INSTRUMENTS TOSHIBA TUNGSRAM UTC VISHAY WEITRON ZETEX SEMICONDUCTORS luxin-semi СНГ

D2PAK D2PAK-7 DIP4 DirectFET DPAK ISOTOP Micro8 PMPAK5x6,SO8FL, DFNW5 5x6 PQFN2X2 PQFN3X3 PQFN3.3X3.3 PQFN5X6 PQFN8 SO8 SOT143 SOT223 SOT227B SOT23 SOT23-3 SOT23-6 SOT26 SOT323 SOT343R SOT-346 SOT363 SOT416 SOT6 SOT669 SOT89 SOT89-3 SUPER220 SUPER247 SuperSOT-6 TO126 TO18 TO218 TO220 TO220A TO220AB TO220F TO220FP TO220ISO TO225AA TO247 TO247A TO247AC TO247AD TO251 TO252 TO252-4 TO252AA TO262 TO262WL TO263 TO263-7 TO263AB TO264 TO3 TO39 TO3P TO3PN TO92 TSOP6 TSSOP8 PMPAK3x3 ISOPLUS247 DE475 SOT23-5 DFN-8 TO-247N TO-3PF SO10RF SC74 2-21F1A CASE211-11 CASE211-07 DIP8 IPAK MT200 TO-92S TO3PF SC72 TO50 HD-1 kt-282 kt-9 КТЮ-3-9 КТ-1 КТ-14 КТ-13 TO92L TO92MOD TO92S КТ-22 КТЮ-3-3 КТ-4-2 КТ-29 КТ-21 КТЮ-3-6 КТЮ-3-20 SOT120 КТЮ-3-1 КТ-1-7 TSDSON-8 TDSON-8 PowerDI3333-8(SWP) VSON-CLIP-8(3.3x3.3) PowerPAKSO-8L

Field Bipolar IGBT Photo

DIP SMD Screw

20мВт 30мВт 50мВт 60мВт 75мВт 100мВт 125мВт 150мВт 200мВт 210мВт 225мВт 230мВт 250мВт 300мВт 310мВт 330мВт 350мВт 360мВт 400мВт 420мВт 450мВт 490мВт 500мВт 540мВт 600мВт 625мВт 700мВт 740мВт 750мВт 830мВт 900мВт 1Вт 1.1Вт 1.14Вт 1.17 Вт 1.2Вт 1.25Вт 1.3Вт 1.35Вт 1378мВт 1.38Вт 1.4Вт 1.5Вт 1.6Вт 1.7Вт 1.8Вт 2Вт 2.1Вт 2.3Вт 2.4Вт 2.5Вт 2.8Вт 3Вт 3.1Вт 3.2Вт 3.3Вт 3.5Вт 3.57Вт 3.6Вт 3.7Вт 4Вт 5Вт 6Вт 7Вт 8Вт 8.3Вт 9.6Вт 10Вт 11,5Вт 12.5Вт 13Вт 15Вт 17Вт 17.5Вт 20Вт 21Вт 23Вт 24Вт 25Вт 26Вт 27Вт 27.8Вт 28Вт 29Вт 29.7Вт 30Вт 31Вт 31.25Вт 32Вт 33Вт 34Вт 34.7Вт 35Вт 36Вт 37Вт 38Вт 39Вт 40Вт 41Вт 42Вт 43Вт 44Вт 44.6Вт 45Вт 46Вт 47Вт 48Вт 49Вт 50Вт 51Вт 52Вт 53Вт 53.6Вт 54Вт 55Вт 56Вт 57Вт 58Вт 59Вт 60Вт 61Вт 62.5Вт 63Вт 65Вт 66Вт 68Вт 69Вт 70Вт 71Вт 74Вт 75Вт 77Вт 78Вт 79Вт 80Вт 82Вт 83Вт 83.3Вт 85Вт 86Вт 87Вт 88Вт 89Вт 89.2Вт 90Вт 91Вт 92Вт 94Вт 95Вт 96Вт 97Вт 98Вт 99Вт 100Вт 101Вт 104Вт 105Вт 106Вт 107Вт 108 Вт 110Вт 114Вт 115Вт 117Вт 119Вт 120Вт 125Вт 130Вт 131Вт 134Вт 135Вт 136Вт 138Вт 139Вт 140Вт 143Вт 144Вт 145Вт 147Вт 148Вт 150Вт 151Вт 156Вт 160Вт 163Вт 167Вт 170Вт 179Вт 180Вт 187Вт 188Вт 190Вт 192Вт 195Вт 200Вт 206Вт 208Вт 210Вт 214Вт 215Вт 216Вт 220Вт 225Вт 227Вт 230Вт 231Вт 235Вт 245Вт 250Вт 251Вт 254Вт 255Вт 260Вт 268Вт 270Вт 277Вт 278Вт 280Вт 285Вт 290Вт 294Вт 300Вт 304Вт 306Вт 307Вт 308Вт 310Вт 312Вт 313Вт 315Вт 320Вт 321Вт 325Вт 330Вт 333Вт 340Вт 341Вт 349Вт 350Вт 360Вт 366Вт 370Вт 375Вт 378Вт 380Вт 385Вт 390Вт 400Вт 403Вт 415Вт 416Вт 417Вт 428Вт 430Вт 441Вт 446Вт 450Вт 454Вт 455Вт 460Вт 463Вт 469Вт 470Вт 500Вт 517Вт 520Вт 540Вт 556Вт 560Вт 570Вт 580Вт 595Вт 600Вт 625Вт 650Вт 658Вт 700Вт 750Вт 1.04кВт 1.15кВт 1.135кВт 1.8кВт

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock

	MPN	Article	Brand	In stock	Price	Discounts	Quantity	Description	Weight g.	Transistor case type	Transistor type	Mounting type	Structure	Drain-source voltage	Drain current	Power	Factory packaging	Collector-emitter voltage	Collector current	Frequency	Current gain

Transistor KP303E Ni

#11408

23525

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

KP303E silicon epitaxial-planar field-effect transistors with a gate based on a pn junction and an n-type channel.

0.4

КТ-1

Field

DIP

MOS n-channel

25В

20мА

200мВт

100 pieces.

—

Transistor KP307E Au

#11409

23526

СНГ

—

22 грн.

10+	20,90 грн.
50+	19,80 грн.
100+	17,60 грн.

—

KP307E silicon epitaxial-planar field-effect transistors with a gate based on a pn junction and an n-type channel.

0.4

КТ-1

Field

DIP

MOS n-channel

27В

25мА

250мВт

100 pieces.

—

Transistor KT502B

#11433

23559

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Transistors KT502B silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

25В

350мА

5МГц

240

Transistor KT502V

#11434

23560

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Transistors KT502V silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

40В

350мА

5МГц

120

Transistor KT502G

#11435

23561

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Transistors KT502G silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

40В

350мА

5МГц

240

Transistor KT502E

#11436

23562

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Transistors KT502E silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

80В

350мА

5МГц

120

Transistor KT503V

#11438

23565

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Transistors KT503V silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices.

0.3

TO92

Bipolar

DIP

NPN

—

350мВт

1000pcs

40В

350мА

5МГц

120

Transistor KT503G

#11439

23566

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Transistors KT503G silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices.

0.3

TO92

Bipolar

DIP

NPN

—

350мВт

1000pcs

40В

350мА

5МГц

240

Transistor KT209D

#11440

23567

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

60В

350мА

—

120

Transistor KT209M

#11441

23568

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

60В

350мА

—

120

Transistor KT209A

#11442

23569

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

25В

350мА

—

120

Transistor KT209Zh

#11444

23572

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

45В

350мА

—

Transistor KT3102GM

#11445

23573

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

NPN

—

250мВт

1000pcs

20В

200мА

—

1000

Transistor KT209G

#11447

23575

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

350мВт

1000pcs

30В

350мА

—

Transistor BU508AFI

#11448

23576

ST MICROELECTRONICS

—

32 грн.

10+	30,40 грн.
50+	28,80 грн.
100+	25,60 грн.
500+	22,40 грн.

—

5.7

TO3P

Bipolar

DIP

NPN

—

50Вт

30pcs

1.5кВ

8А

—

Transistor KP303D Ni

#11617

23848

СНГ

—

11 грн.

10+	10,45 грн.
50+	9,90 грн.
100+	8,80 грн.

—

KP303D silicon epitaxial-planar field-effect transistors with a gate based on a pn junction and an n-type channel.

0.4

КТ-1

Field

DIP

MOS n-channel

25В

20мА

200мВт

100 pieces.

—

Transistor KP303V Ni

#11618

23849

СНГ

—

11 грн.

10+	10,45 грн.
50+	9,90 грн.
100+	8,80 грн.

—

KP303V silicon epitaxial-planar field-effect transistors with a gate based on a pn junction and an n-type channel.

0.4

КТ-1

Field

DIP

MOS n-channel

25В

20мА

200мВт

100 pieces.

—

Transistor KT3107V

#11685

23914

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

300мВт

1000pcs

25В

200мА

200МГц

140

Transistor 2T625AM-2

#11805

24034

СНГ

—

28 грн.

10+	26,60 грн.
50+	25,20 грн.
100+	22,40 грн.

—

Transistors 2T625AM-2 silicon epitaxial-planar structures npn switching. Are intended for application in pulse devices of the pressurized equipment. Unpackaged with a protective coating and flexible leads.

1.6

—

Bipolar

SMD

NPN

—

1Вт

100 pieces.

40В

1А

200МГц

120

Transistor 2T331V-1

#11807

24036

СНГ

—

38 грн.

10+	36,10 грн.
50+	34,20 грн.
100+	30,40 грн.

—

Silicon epitaxial-planar npn frameless high-frequency transistors.

1.6

—

Bipolar

—

NPN

—

50pcs

—

180

Transistor P701

#11874

24126

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Transistors P701 silicon alloy-diffusion structures npn amplifying low-frequency. Designed for use in amplifiers and generators of radio electronic devices.

—

Bipolar

DIP

NPN

—

10Вт

20pcs

40В

500мА

20МГц

Transistor KT3107G

#11876

24129

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

300мВт

1000pcs

25В

200мА

200МГц

220

Transistor KT3107L

#11877

24130

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Bipolar

DIP

PNP

—

300мВт

1000pcs

20В

200мА

200МГц

800

Transistor P702

#11878

24131

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Transistors P702 silicon mezaplanar structures npn amplifying. Designed for use in the output stages of low-frequency amplifiers, switching devices, converters and DC voltage stabilizers.

КТЮ-3-3

Bipolar

DIP

NPN

—

40Вт

20pcs

60В

2А

4МГц

Transistor P308

#11954

24243

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Transistors P308 silicon planar npn switching low-frequency low-power. Designed for use in switching circuits and DC voltage converters.

1.5

КТЮ-3-6

Bipolar

DIP

NPN

—

250мВт

100 pieces.

120В

30мА

20МГц

Transistor 2T602B (=KT602B)

#11955

24244

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

KT602B Transistors silicon planar structures npn. Designed to generate and amplify signals.

3.2

КТЮ-3-9

Bipolar

DIP

NPN

—

2.8Вт

100 pieces.

100В

75мА

150МГц

220

Transistor KT608B

#11956

24245

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Transistors KT608B silicon epitaxial-planar structures npn switching. Designed for use in high-speed pulsed and high-frequency devices.

1.5

КТЮ-3-6

Bipolar

DIP

NPN

—

500мВт

100 pieces.

60В

400мА

200МГц

160

Transistor KT604AM

#11957

24246

СНГ

—

4 грн.

10+	3,80 грн.
50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.

—

KT604AM Transistors silicon mezaplanarny structures npn.

TO126

Bipolar

DIP

NPN

—

3Вт

200pcs

250В

200мА

40МГц

Transistor KT639D

#11958

24247

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Designed for use in low-frequency amplifiers, power amplifiers, video amplifiers, automotive electronic devices, pulse and switching devices, in computer terminal devices.

TO126

Bipolar

DIP

PNP

—

1Вт

100 pieces.

60В

1.5А

80МГц

160

Transistor KT611AM

#11959

24248

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

KT611AM Transistors silicon mezaplanar structures npn amplifying. Designed for use in amplifiers and generators.

TO126

Bipolar

DIP

NPN

—

3Вт

100 pieces.

180В

100мА

60МГц

Compare selected products (0)