Бренд «СНГ»

Результатів: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип виводів	Тип корпусу	Діаметр корпусу D, мм	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Тип корпусу	Uзв. max, В	Iпр. max.	Iпр. імп. max.	Призначення	Тип діода	Структура	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму	Опір	Точність	Напруга стабілізації	Колір	Тип світлодіода	Конструкція діода

Транзистор МП20

#13549

25682

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистор МП20 германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

30В

50мА

2МГц

150

—

Транзистор МП36А

#13547

25679

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистор германієвий сплавний npn низькочастотний підсилювач з ненормованим і нормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

15В

20мА

1МГц

—

Транзистор 2Т316Г (= КТ316Г) нік.

#13546

25677

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти.

0.5

—

КТ-1-7

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

50мА

600МГц

100

—

Транзистор ГТ322В

#13545

25676

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзистори ГТ322В германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот.

0.5

—

КТ-1-7

Біполярний

DIP

—

PNP

50мВт

100шт.

10В

10мА

50МГц

200

—

Транзистор ГТ322Б

#13544

25675

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзистори ГТ322Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот.

0.5

—

КТ-1-7

Біполярний

DIP

—

PNP

50мВт

100шт.

6В

10мА

80МГц

120

—

Транзистор ГТ321А

#13541

25672

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзистори ГТ321А германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

50В

200мА

60МГц

—

Транзистор КТ603Б

#13540

25671

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом.

1.5

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

NPN

500мВт

100шт.

30В

300мА

200МГц

—

Мікросхема КР1434УД1Б (=К157УД2)

#13298

25392

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Мікросхеми КР1434УД1Б є малошумливими двоканальними операційними підсилювачами середньої точності.

—

DIP14

—

DIP

—

Підсилювачі

—

100шт.

—

Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)

#12961

25232

СНГ

—

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

—

Транзистори 2Т306Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму.

0.6

—

КТЮ-3-1

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

500МГц

200

—

Транзистор 2Т306В (=КТ306В)

#12960

25231

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистори 2Т306В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму.

0.6

—

КТЮ-3-1

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

300МГц

100

—

Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)

#12959

25230

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму.

0.6

—

КТЮ-3-1

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

500МГц

120

—

Транзистор 2Т306А (=КТ306А)

#12958

25229

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистори 2Т306А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму.

0.6

—

КТЮ-3-1

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

300МГц

—

Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)

#12954

25225

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзистори 1Т305Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні.

0.4

—

Біполярний

DIP

—

PNP

75мВт

100шт.

15В

6mA

20МГц

180

—

Транзистор 2Т908А (=КТ908А)

#12953

25224

СНГ

—

120 грн.

10+	114 грн.
50+	108 грн.
100+	96 грн.

—

Транзистори 2Т908А мезапланарні кремнієві структури npn перемикальні. Призначені для застосування у стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних модуляторах. Корпус металевий із скляними ізоляторами та жорсткими висновками.

—

КТЮ-3-20

Біполярний

DIP

—

NPN

50Вт

10 шт.

100В

10А

50МГц

—

Радіолампа 6С52Н-В

#12952

25223

СНГ

—

80 грн.

10+	72 грн.
20+	68 грн.
50+	64 грн.

—

6C52H-В Надмініатюрний металокерамічний тріод підвищеної надійності та механічної міцності. Призначений для посилення та генерування слабких сигналів у пристроях широкого застосування. Катод оксидний непрямого напруження. Працює у будь-якому положенні. Довговічність щонайменше 5000 год. Маса трохи більше 3 р. Розташування штирьків РШ8.

—

DIP

—

20шт.

—

Терморезистор СТ3-17В 33 Ом 10%

#12785

25142

СНГ

—

5 грн.

10+	4,50 грн.
50+	4 грн.
100+	3,75 грн.

—

СТ3-17 терморезистор дисковий негерметизований призначений для роботи в ланцюгах постійного, пульсуючого та змінного струму частотою до 400 Гц в імпульсних режимах, для вимірювання та регулювання температури, а також для температурної компенсації елементів електричного ланцюга з позитивним температурним коефіцієнтом опору. Максимальна потужність – 0,3 Вт. Нномінальний опір 33 ом Температурний коефіцієнт опору при +20 ºС - від -3%/°С до 4,5%/°С. Коефіцієнт температурної чутливості - від 2580 До 3860 До.

0.3

Гнучкі виводи

—

DIP

—

200шт.

—

33 Ом

10 %

—

Стабілітрон 2С133А (=КС133А) скло

#12782

25139

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

—

Стабілітрони 2С133А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...81 мА.

0.3

—

DIP

—

300мВт

200шт.

—

3V3

—

Діод Д311

#12781

25138

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Германієвий, мезадіфузійний, імпульсний.

0.3

—

DIP

D104

30V

40mA

—

Імпульсний

—

100шт.

—

одиночний

Діод 1Д507А (= ГД507А)

#12780

25137

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Діоди 1Д507А германієві, мікросплавні, імпульсні. Призначені для обмеження та модуляції імпульсних сигналів. Основні технічні характеристики діода 1Д507А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 20 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,5 В при Inp 5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 20 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,1 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,8 пФ.

0.25

—

DIP

КД-121

20V

16mA

200mA

—

Імпульсний

—

100шт.

—

одиночний

Діод НВЧ ДК-В2

#12779

25136

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Діоди НВЧ ДК-В2 кремнієві, точкові, детекторні. Призначені для визначення сигналів на довжині хвилі 10 см.

0.5

—

DIP

—

НВЧ

—

40шт.

—

одиночний

Діод НВЧ 2А511А

#12778

25135

СНГ

—

90 грн.

50+	81 грн.
200+	72 грн.
500+	63 грн.

—

Основні технічні параметри НВЧ діода 2А511А: • Загальна ємність: 0,55...0,75 пФ; • Прямий опір втрат: не більше 2 Ом; • Нагромаджений заряд діода: трохи більше 350 нКл; • Постійна зворотна напруга: 50...200 В; • Постійний прямий струм: 700 мА; • Значення допустимого статичного потенціалу: 100 В.

0.3

—

DIP

—

НВЧ

—

20шт.

—

одиночний

Діод НВЧ Д408

#12777

25134

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Діод Д408 кремнієвий точковий змішувальний. Призначений для застосування в перетворювачах частоти діапазоні довжин хвиль 4,5..10 с.

2.5

—

DIP

—

НВЧ

—

10 шт.

—

одиночний

Діод НВЧ Д605

#12776

25133

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
200+	32 грн.
500+	28 грн.

—

Діод НВЧ Д605 кремнієвий, точковий, детекторний. Призначений для детектування амплітудно-модульованих імпульсних сигналів, індикації імпульсної потужності в діапазоні хвиль 3,2..10см.

2.5

—

DIP

—

НВЧ

—

10 шт.

—

одиночний

Тиристор КУ101Г

#12775

25132

СНГ

—

10 грн.

—

Основні технічні параметри тиристора КУ101Г: • Максимальна постійна зворотна напруга: 80 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 80 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс.

—

DIP

—

100шт.

—

Транзистор ГТ701А

#12774

25131

СНГ

—

40 грн.

10+	38 грн.
50+	36 грн.
100+	32 грн.

—

Транзистор ГТ701А германієвий сплавний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в системах запалювання двигунів внутрішнього згоряння, а також у перетворювачах напруги.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

50Вт

20шт.

100В

12А

—

Транзистор П605А із гнучкими виводами

#12773

25130

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

3Вт

40шт.

40В

1.5А

30МГц

120

—

Підшипник 3182112 (60*95*26) (=NN3012K)

#12767

25124

СНГ

—

600 грн.

—

Застосовується у станкобудуванні та металообробному устаткуванні. Внутрішній діаметр підшипника d 60 мм Зовнішній діаметр підшипника D 95 мм Ширина підшипника 26 мм. Радіус монтажної фаски підшипника r 2,0 мм Статична вантажопідйомність C0 54000 Н Динамічна вантажопідйомність C 74500 н.

800

—

1 шт.

—

Фототранзистор ФТ-1К гр.

#12650

25005

СНГ

—

11 грн.

10+	10,45 грн.
50+	9,90 грн.
100+	8,80 грн.

—

Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк.

0.3

—

Фото

DIP

—

100шт.

—

Світлодіод 3Л107А

#12649

25004

СНГ

—

54 грн.

50+	48,60 грн.
200+	45,90 грн.
500+	40,50 грн.

—

Діоди випромінюючі, арсенідогалієві, мезаепітаксіальні. Призначені для роботи як джерела ІЧ випромінювання.

0.3

—

DIP

—

1 шт.

—

ІЧ

2,4мм круглий

—

Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)

#12648

25003

СНГ

—

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

—

Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти.

1.2

—

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

12В

50мА

300МГц

—