Бренд «СНГ»

Результатів: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип виводів	Тип корпусу	Робоча напруга,В	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Uзв. max, В	Iпр. max.	Призначення	Структура	Напруга сток-витік	Струм стоку	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму	Ємність	Опір	Потужність резистора	Точність	Напруга стабілізації	Тип корпусу стабілітрона	Колір

Резистор ПЕ-150 100 Ом 10%

#12309

24671

СНГ

—

120 грн.

—

Дротовий емальований резистор з гнучкими висновками, призначений для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму з помірним та холодним кліматом.

250

Гнучкі виводи

—

DIP

—

1 шт.

—

100 Ом

150 Вт

10 %

—

Резистор ПЕВР-100 100 Ом 5%

#12308

24670

СНГ

—

105 грн.

—

Резистори ПЕВР-100 постійні дротяні, навантажувальні з можливістю регулювання опору переміщенням хомутика для навісного монтажу. Призначений для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів радіоелектронної апаратури.

230

Жорсткі виводи

—

DIP

—

1 шт.

—

100 Ом

100 Вт

5 %

—

Транзистор П422

#12280

24662

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ.

1.5

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

—

100мВт

100шт.

10В

20мА

50МГц

100

—

Мікросхема К140УД1Б Au

#12279

24661

СНГ

—

48 грн.

10+	45,60 грн.
50+	43,20 грн.
100+	38,40 грн.

—

Мікросхеми є операційними підсилювачами середньої точності без частотної корекції.

1.3

—

DIP

—

Підсилювачі

—

20шт.

—

Тиристор 2У202Л (=КУ202Л)

#12278

24660

СНГ

—

35 грн.

—

Тиристори кремнієві 2У202Л планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками.

—

Гвинт

300V

10A

—

40шт.

—

Транзистор КТ808А з кріпленням

#12276

24658

СНГ

—

80 грн.

10+	76 грн.
50+	72 грн.
100+	64 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ.

—

КТЮ-3-20

Біполярний

DIP

—

NPN

—

50Вт

10 шт.

120В

10А

—

Транзистор КТ603Б Au

#12274

24656

СНГ

—

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом.

1.5

—

КТЮ-3-6

Біполярний

DIP

—

NPN

—

500мВт

100шт.

30В

300мА

200МГц

—

Транзистор КТ601А Au

#12273

24655

СНГ

—

45 грн.

10+	42,75 грн.
50+	40,50 грн.
100+	36 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,25 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 40 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 16; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв&#39;язку на високій частоті: не більше 600 пс.

—

КТЮ-3-6

Біполярний

DIP

—

NPN

—

500мВт

100шт.

100В

30мА

40МГц

—

Транзистор МП37

#12272

24654

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистори МП37 германієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

NPN

—

150мВт

100шт.

15В

20мА

1МГц

—

Транзистор П28

#12271

24653

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистори П28 – германієві, підсилювальні, малої потужності низькочастотні, з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1КГц, структури – pnp.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

—

30мВт

100шт.

5В

6mA

5МГц

200

—

Транзистор П27

#12270

24652

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

—

30мВт

100шт.

5В

6mA

1МГц

100

—

Транзистор КТ3102А

#12269

24651

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА (50В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 100...250; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 10 дБ на частоті 1 кГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв&#39;язку на високій частоті: не більше 100 пс.

0.34

—

КТ-1

—

DIP

—

NPN

—

250мВт

100шт.

50В

200мА

300МГц

250

—

Світлодіодний індикатор АЛС324Б1 Au

#12268

24650

СНГ

—

40 грн.

—

Однорозрядні цифро-літерні індикатори АЛС324Б1 з висотою цифри 7,5 мм із семи сегментів із децимальною точкою. Виготовляються на основі світлодіодних структур галій-фосфор-миш&#39;як за епітаксійно-дифузійною технологією.

1.6

—

DIP

—

20шт.

—

Червоний

Транзистор КП303Е Au

#12267

24649

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу.

0.4

—

КТ-1

Польовий

DIP

—

МОП n-канальний

25В

20мА

200мВт

100шт.

—

Транзистор КТ817В

#12266

24648

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистор КТ817В кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний.

0.7

—

TO126

Біполярний

DIP

—

NPN

—

25Вт

200шт.

60В

3А

3МГц

—

Транзистор КТ817А

#12265

24647

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистор КТ817А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний.

0.7

—

TO126

Біполярний

DIP

—

NPN

—

25Вт

200шт.

40В

3А

3МГц

—

Транзистор КТ940Б

#12264

24646

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний.

0.7

—

TO126

Біполярний

DIP

—

NPN

—

10Вт

200шт.

250В

100мА

90МГц

—

Мікросхема КР544УД1А

#12263

24645

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Мікросхеми КР544УД1А є операційними диференціальними підсилювачами з високим вхідним опором і низьким рівнем вхідних струмів, з внутрішньою частотною корекцією, що забезпечує стійку роботу при будь-яких режимах негативного зворотного зв&#39;язку, включаючи режими інтеграторів і повторювачів напруги.

0.5

—

DIP8

—

DIP

—

Підсилювачі

—

200шт.

—

Тиристор КУ202Д1

#12262

24644

СНГ

—

15 грн.

—

Тиристори кремнієві КУ202Д1 планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами.

2.1

—

DIP

100V

10A

—

50шт.

—

Транзистор КТ812В

#12261

24643

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом.

—

kt-9

Біполярний

DIP

—

NPN

—

50Вт

20шт.

200В

8А

3МГц

—

Конденсатор К71-7В 0.2 мкф 250в 2%

#12254

24636

СНГ

—

18 грн.

—

К71-7В конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах.

7.5

Гнучкі виводи

—

250

—

DIP

—

50шт.

—

200nF (0.2µF)

—

2 %

—

Конденсатор К71-7 0.2 мкф 250в 5%

#12253

24635

СНГ

—

15 грн.

—

К71-7 конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах.

7.5

Гнучкі виводи

—

250

—

DIP

—

50шт.

—

200nF (0.2µF)

—

5 %

—

Конденсатор К71-7В 0.1 мкф 250в 5%

#12252

24634

СНГ

—

10 грн.

—

Гнучкі виводи

—

250

—

DIP

—

75шт.

—

100nF (0.1µF)

—

5 %

—

Конденсатор К71-7 0.1 мкф 250в 2%

#12251

24633

СНГ

—

12 грн.

—

Гнучкі виводи

—

250

—

DIP

—

75шт.

—

100nF (0.1µF)

—

2 %

—

Конденсатор К71-7 0.1 мкф 250в 1%

#12250

24632

СНГ

—

15 грн.

—

Гнучкі виводи

—

250

—

DIP

—

75шт.

—

100nF (0.1µF)

—

1 %

—

Мікросхема К142ЕН6А (К16) Au

#12246

27628

СНГ

—

270 грн.

10+	256,50 грн.
50+	243 грн.
100+	216 грн.

—

Мікросхема К142ЕН6А є двополярним стабілізатором напруги з фіксованою вихідною напругою ±15 В і струмом навантаження 200 мА. При експлуатації допускається підключення навантаження до одного або одночасно до двох входів (каналів) мікросхеми.

2.5

—

SMD

—

живлення

—

5 штук.

—

Стабілітрон Д818Д

#12244

24626

СНГ

—

20 грн.

50+	18 грн.
100+	16 грн.
250+	15 грн.

—

Основні технічні параметри стабілітрона Д818Д: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,002%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

kd-8

—

Стабілітрон 2С156А ОС(=КС156А)

#12243

24625

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
100+	32 грн.
250+	30 грн.

—

Стабілітрони 2С156А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 3...55 мА. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

5V6

—

Стабілітрон 2С168А (= КС168А) мет.

#12242

24624

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.
250+	3 грн.

—

Стабілітрони 2С168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА.

0.2

—

DIP

—

300мВт

500шт.

—

6V8

—

Стабілітрон 2С133А (=КС133А)

#12241

24621

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

—

Стабілітрони 2С133А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...81 мА.

0.8

—

DIP

—

300мВт

200шт.

—

3V3

—