Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
| 21888 | СНГ | 325 шт |
6 грн.
|
|
Чотирьохрозрядний селектор 2-1 з трьома стійкими станами з інверсними виходами. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діод S1M
#15204
|
27444 | TOSHIBA | 324 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | SMA | 1000V | 1A | — | — | Випрямний | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
| 22276 | СНГ | 322 шт |
6 грн.
|
|
Три логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон Д815А
#14020
|
26199 | СНГ | 321 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 5,6В Основні технічні параметри стабілітрона Д815А: • Розкид напруги стабілізації: 5... 6,2 при Iст 1 А; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,045%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 0,6 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 50 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 1,4 А; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 5V6 | ks620 | — | ||||||||
Мікросхема К561ЛА9
#5644
|
22144 | СНГ | 317 шт |
6 грн.
|
|
Три тривхідні елементи І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
|
24467 | СНГ | 317 шт |
8 грн.
|
|
Призначений для застосування як приймачів та датчиків інфрачервоного випромінювання у складі оптико-електронної апаратури, систем фотоелектричної автоматики та безконтактного вимірювання температури, обчислювальної та вимірювальної техніки. Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-8: • Розмір фоточутливого елемента діаметр 0,5 мм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,9...0,95 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 1 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,2 мкА/лк. | 0.3 | — | — | Фото | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К131ЛР3
#13623
|
25776 | СНГ | 317 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент 2-2-2-3І-4АБО-НЕ з можливістю розширення АБО. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
|
24608 | СНГ | 311 шт |
40 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: понад 120 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...180; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 180 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом; • Рвых – вихідна потужність транзистора: не менше 10 Вт на частоті 50 МГц. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 30Вт | 20шт. | 60В | 10А | — | 180 | — | — | — | ||||||||
| 20147 | MIC | 309 шт |
4 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 3kV | 200mA | — | — | Високовольтний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Діод КД510А
#16195
|
28441 | СНГ | 309 шт |
2 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД510А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 200 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 при Inp 0,2 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,004 мкс; • Сд - Загальна ємність: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 50V | 200mA | 1.5A | — | Імпульсний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема К155РЕ21
#961
|
21290 | СНГ | 306 шт |
5 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155РЕ21 являють собою постійний пристрій (ПЗУ) ємністю 1024 біт (з організацією 256 х 4) з використанням в якості перетворювача двійкового коду код символів російського алфавіту. Містить 1620 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-2, маса трохи більше 2 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155РЕ21: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон BZX55C 36V
#4212
|
20215 | Rectron Semiconductor | 305 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 36V 0.5W (BZX55C 36V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 36V | DO-35 | — | ||||||||
Сімістор BT134-600E
#5634
|
21149 | NXP | 305 шт |
10 грн.
|
|
0.7 | — | — | — | DIP | SOT-82 | 600V | 4А | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К561ЛС2
#988
|
21676 | СНГ | 302 шт |
5 грн.
|
|
Чотири логічні елементи І-АБО. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3107Ж
#10104
|
21843 | СНГ | 302 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 450 | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон BZX55C 27V
#4209
|
20200 | Rectron Semiconductor | 301 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 27V 0.5W (BZX55C 27V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 27V | DO-35 | — | ||||||||
Транзистор КТ3128А
#10341
|
22328 | СНГ | 300 шт |
5 грн.
|
|
Призначений для застосування у селекторах телевізійних каналів з автоматичним регулюванням посилення. | 0.4 | — | КТ-1 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 500шт. | 20В | 20мА | 800МГц | 150 | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон BZX55C 20V
#4206
|
20221 | Rectron Semiconductor | 299 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 20V 0.5W (BZX55C 20V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 20V | DO-35 | — | ||||||||
Мікросхема К131ТМ2
#3926
|
22186 | СНГ | 298 шт |
6 грн.
|
|
Два D-тригери. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
#10315
|
22264 | СНГ | 296 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор 2Т208М1 служить для посилення, генерації та перетворення електричних сигналів. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 1000шт. | 60В | 300мА | — | 40 | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К172ЛК1
#875
|
21957 | СНГ | 295 шт |
6 грн.
|
|
2 логічні елементи 2І-2АБО/2І-2АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП114
#13683
|
25842 | СНГ | 295 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори МП114 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 60В | 10мА | 0,1МГц | 10 | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ТР2
#4055
|
21678 | СНГ | 294 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхеми К561ТР2 є чотири RS-тригера (асинхронних) з третім станом на вході. Містять 154 інтегральні елементи. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21182 | ST MICROELECTRONICS | 290 шт |
12 грн.
|
|
Стабілізатор 12V/1,5A | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон BZX55C 33V
#4211
|
20229 | Rectron Semiconductor | 290 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 33V 0.5W (BZX55C 33V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 33V | DO-35 | — | ||||||||
| 21318 | INTEGRAL | 290 шт |
13 грн.
|
|
2 логічні елементи 4І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К131ЛД1
#14132
|
26315 | СНГ | 287 шт |
6 грн.
|
|
Два чотиривхідні розширювачі по АБО. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР140УД5А
#13613
|
25766 | СНГ | 284 шт |
10 грн.
|
|
Операційний підсилювач середньої точності із складовими транзисторами (емітерними повторювачами) на вході, без частотної корекції. Окрім загального виходу має диференційні виходи. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26194 | СНГ | 283 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 33В Основні технічні параметри стабілітрона Д816В: • Розкид напруги стабілізації: 29,5...36 В при Іст 150 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,12%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±5%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрона: 10 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 150 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 33V | ks620 | — | |||||||||
Діод 1N5818
#10339
|
22326 | MIC | 280 шт |
1 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-41 | 30V | 1A | — | — | Шотки | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний |
