Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Напруга пробою Конструкція діода
28657 СНГ 376 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Помножувач/дільник КР525ПС1А (Квазар-ІС) 4-х квадратний аналог. перемножувач сигналів (AD532), DIP14 Характеристики: 1. Похибка перемноження при зовнішньому налаштуванні: 2% 2. Нелінійність перемноження по входах X та Y: 2% 3. Залишкова напруга на вході X: 50 мВ 4. Залишкова напруга входу Y: 100 мВ 5. ЕРС зміщення по входах X та Y: 500 мВ 6. Максимальна вихідна диференціальна напруга: ±12 В 7. Максимальна синфазна напруга на входах X та Y: ±11,5 К 8. Струм споживання: 4,6 мА 9. Вхідний струм по входах X та Y: 8 мкА 10. Різниця вхідних струмів по входах X та Y: 1 мкА 11. Різниця вихідних струмів: 50 мкА. 1 DIP14 DIP АЦП 400шт.
20226 Rectron Semiconductor 375 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 7.5V 0.5W (BZX55C 7V5) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 7V5 DO-35
24038 СНГ 373 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Призначені для застосування як перемикаючі елементи в імпульсних швидкодіючих пристроях наносекундного діапазону. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. 0.25 DIP КД-121 30V 20mA Імпульсний 100шт. одиночний
28505 СНГ 371 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
Симистор кремнієвий, планарний, структури pnpn, тріодний, незапираний, симетричний. 11 Гвинт 400V 5A 40шт.
25741 СНГ 369 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логічні елементи 4І-НЕ. 1.2 DIP14 DIP Логіка 100шт.
20619 363 шт
1,30 грн.
26697 СНГ 362 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори КТ3101А-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 1 та 2,25 ГГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2,5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА (15В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 35...300; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 1,5 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 4,5 дБ на частоті 2,25 ГГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 10 пс. 0.25 КТ-14 Біполярний SMD NPN 100мВт 20шт. 15В 20мА 4ГГц 300
21687 СНГ 356 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Програмований контролер переривань. Обслуговує до 8 запитів переривання мікропроцесора, що надходять від зовнішніх пристроїв. В ІС передбачена можливість розширення числа запитів, що обслуговуються, до 64 шляхом її каскадного з'єднання. Дозволяє скоротити кошти програмного забезпечення та витрати часу на виконання переривань у системах із пріоритетами багатьох рівнів. 3.5 DIP28 DIP Мікроконтролери 36шт.
25664 СНГ 356 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП106 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
20159 VISHAY 351 шт
2,20 грн.
100+1,98 грн.
200+1,76 грн.
500+1,54 грн.
0.4 DIP DO-15 800V 1.5A 1.5A Швидкий 500шт. одиночний
23060 MIC 351 шт
0,75 грн.
100+0,67 грн.
200+0,60 грн.
500+0,52 грн.
0.25 DIP DO-41 20V 1A Шотки 1000шт. одиночний
21379 СНГ 349 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Два логічні елементи 4І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
20150 VISHAY 349 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Діод 1A, 400V, 300ns 0.4 DIP DO-41 400V 1A Швидкий 500шт. одиночний
21685 СНГ 348 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Програмований послідовний інтерфейс (універсальний синхронно-асинхронний приймач). ІС перетворює паралельний код, що отримується від центрального процесора, у послідовний потік символів зі службовими бітами. 3.5 DIP28 DIP Інтерфейси 40шт.
21231 СНГ 346 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логічні елементи 3І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
24256 СНГ 346 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 22В 4.2 Гвинт 5Вт 100шт. 22V ks620
20353 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 345 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
30+5,40 грн.
50+4,80 грн.
0.1 SMD Захисний 125Вт 3000шт. 5V складання
21668 СНГ 344 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Мікросхема К170АП2В є 2 формувачами сигналів для ліній зв'язку апаратури передачі даних. 0.5 DIP8 DIP Логіка 200шт.
21407 СНГ 342 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Шість перетворювачів рівня. 1.1 DIP16 DIP Логіка 100шт.
24250 СНГ 339 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори МП116 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
20209 Rectron Semiconductor 338 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 2.4V 0.5W (BZX55C 2V4) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 2V4 DO-35
23544 СНГ 335 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 5.1V 0.45W. 0.2 DIP 450мВт 500шт. 5V1 kd2
28533 СНГ 332 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основні технічні характеристики діода КД203А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 420 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 600 В. 12 Гвинт 420V 10A 30A Випрямний 25шт. одиночний
22111 СНГ 331 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логічний елемент 8І-НЕ 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
20166 YFW 330 шт
6 грн.
100+5,40 грн.
200+4,80 грн.
500+4,20 грн.
1000V 10A 1.8 DIP R-6 1000V 10A Випрямний 500шт. одиночний
21423 СНГ 327 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Двійковий/двійково-десятковий чотирирозрядний реверсивний лічильник із попередньою установкою. 1.1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 40 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...80; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80
23349 СНГ 326 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 9.2 Біполярний DIP PNP 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 120
25876 СНГ 326 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 30
28222 СНГ 326 шт
20 грн.
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402І: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 600 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 500 В. 5.7 DIP 500V 600mA Діодний міст 150шт.