Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор МП106
#13536
|
25664 | СНГ | 356 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори МП106 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 10мА | 0,5МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ3101АМ
#14485
|
26697 | СНГ | 352 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори КТ3101А-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 1 та 2,25 ГГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2,5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА (15В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 35...300; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 1,5 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 4,5 дБ на частоті 2,25 ГГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 10 пс. | 0.25 | — | КТ-14 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 20шт. | 15В | 20мА | 4ГГц | 300 | — | — | — | — | ||||||||||
| 20159 | VISHAY | 351 шт |
2,20 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 800V | 1.5A | 1.5A | — | Швидкий | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||||
| 20150 | VISHAY | 349 шт |
1 грн.
|
|
Діод 1A, 400V, 300ns | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-41 | 400V | 1A | — | — | Швидкий | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Мікросхема КР580ВВ51А
#7399
|
21685 | СНГ | 348 шт |
8 грн.
|
|
Програмований послідовний інтерфейс (універсальний синхронно-асинхронний приймач). ІС перетворює паралельний код, що отримується від центрального процесора, у послідовний потік символів зі службовими бітами. | 3.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К155ЛА4
#754
|
21231 | СНГ | 346 шт |
10 грн.
|
|
3 логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д816А
#11967
|
24256 | СНГ | 346 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 22В | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 22V | ks620 | — | — | ||||||||||
| 20353 | ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR | 345 шт |
6 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | Захисний | — | 125Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | 5V | складання | ||||||||||||
Мікросхема К170АП2В
#5699
|
21668 | СНГ | 344 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхема К170АП2В є 2 формувачами сигналів для ліній зв'язку апаратури передачі даних. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР1561ПУ4
#9818
|
21407 | СНГ | 342 шт |
6 грн.
|
|
Шість перетворювачів рівня. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП116
#11961
|
24250 | СНГ | 339 шт |
10 грн.
|
|
Транзистори МП116 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 10мА | 0,5МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ817Б
#12236
|
24615 | СНГ | 339 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор КТ817Б кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 25Вт | 200шт. | 45В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 2V4
#4184
|
20209 | Rectron Semiconductor | 338 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 2.4V 0.5W (BZX55C 2V4) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2V4 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС126Д1
#11427
|
23544 | СНГ | 333 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 5.1V 0.45W. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 450мВт | 500шт. | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ЛА2
#8399
|
22111 | СНГ | 331 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент 8І-НЕ | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20166 | YFW | 330 шт |
6 грн.
|
|
1000V 10A | 1.8 | — | — | — | DIP | R-6 | 1000V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Мікросхема К555ТЛ2
#9544
|
21698 | СНГ | 327 шт |
10 грн.
|
|
Шість тригерів Шмітта-інверторів | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П216А
#14714
|
26932 | СНГ | 327 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 40 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...80; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 80 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП103А
#13712
|
25876 | СНГ | 326 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП103А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||||
Діодний міст КЦ402И
#15988
|
28222 | СНГ | 326 шт |
20 грн.
|
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402І: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 600 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 500 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 500V | 600mA | — | — | Діодний міст | — | — | 150шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21888 | СНГ | 325 шт |
6 грн.
|
|
Чотирьохрозрядний селектор 2-1 з трьома стійкими станами з інверсними виходами. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
|
24467 | СНГ | 317 шт |
8 грн.
|
|
Призначений для застосування як приймачів та датчиків інфрачервоного випромінювання у складі оптико-електронної апаратури, систем фотоелектричної автоматики та безконтактного вимірювання температури, обчислювальної та вимірювальної техніки. Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-8: • Розмір фоточутливого елемента діаметр 0,5 мм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,9...0,95 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 1 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,2 мкА/лк. | 0.3 | — | — | Фото | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ЛР3
#13623
|
25776 | СНГ | 317 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент 2-2-2-3І-4АБО-НЕ з можливістю розширення АБО. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод S1M
#15204
|
27444 | TOSHIBA | 317 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | SMA | 1000V | 1A | — | — | Випрямний | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
| 20416 | ON SEMICONDUCTOR | 311 шт |
2 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 3000шт. | 150В | 600мА | — | 240 | — | — | — | — | ||||||||||||
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
|
24608 | СНГ | 311 шт |
40 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: понад 120 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...180; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 180 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом; • Рвых – вихідна потужність транзистора: не менше 10 Вт на частоті 50 МГц. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 30Вт | 20шт. | 60В | 10А | — | 180 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ЛА8
#777
|
21379 | СНГ | 309 шт |
5 грн.
|
|
Два логічні елементи 4І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20147 | MIC | 309 шт |
4 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 3kV | 200mA | — | — | Високовольтний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||||
Діод КД510А
#16195
|
28441 | СНГ | 309 шт |
2 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД510А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 200 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 при Inp 0,2 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,004 мкс; • Сд - Загальна ємність: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 50V | 200mA | 1.5A | — | Імпульсний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема К155РЕ21
#961
|
21290 | СНГ | 306 шт |
10 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155РЕ21 являють собою постійний пристрій (ПЗУ) ємністю 1024 біт (з організацією 256 х 4) з використанням в якості перетворювача двійкового коду код символів російського алфавіту. Містить 1620 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-2, маса трохи більше 2 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155РЕ21: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
