Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Діодний міст КЦ405И
#14128
|
26309 | СНГ | 417 шт |
7 грн.
|
Основні технічні характеристики діода КЦ405І: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 600 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 500 В. | 5.2 | — | — | — | DIP | — | 500V | 600mA | — | — | Діодний міст | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод SS10P6HM3
#16773
|
29019 | VISHAY | 414 шт |
22 грн.
|
|
Діод SS10P6HM3. | 0.3 | — | — | — | SMD | SMPC (TO-277A) | 60V | 7А | 280A | — | Шотки | — | — | — | — | 6500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема КР556РТ5
#693
|
22216 | СНГ | 413 шт |
12 грн.
|
|
Програмований постійний пристрій ємністю 4096 біт (512x8) з відкритим колектором, з одноразовим електричним програмуванням перепалюванням перемичок. | 4 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
#10102
|
21840 | INTEGRAL | 413 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 1Вт | 1000шт. | 25В | 1.5А | 100МГц | 80 | — | — | — | — | |||||||||||
| 25106 | ST MICROELECTRONICS | 410 шт |
2 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | SOT-23 | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 300Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | 15.8V | подвійний загальний анод | ||||||||||||
Мікросхема КР580ВІ53Д
#9895
|
21689 | СНГ | 409 шт |
18 грн.
|
|
Триканальний програмований пристрій тимчасових інтервалів (таймер), призначений для роботи мікропроцесорних систем в режимі реального часу. Реалізовані у вигляді трьох незалежних 16-розрядних каналів із загальною схемою управління. | 3.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Таймери | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
#10101
|
21839 | INTEGRAL | 409 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 625мВт | 1000шт. | 300В | 500мА | 50МГц | 40 | — | — | — | — | |||||||||||
Діод КД202Ж
#13737
|
25905 | СНГ | 409 шт |
7 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД202Ж: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 300 В. | 4.5 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 210V | 5A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Стабілітрон BZX85C10V
#10075
|
21812 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 401 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 10V | DO-41 | — | — | |||||||||||
Діод HER308
#17233
|
29486 | DC COMPONENTS | 400 шт |
5 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | DO-27 | 1000V | 3.0A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Транзистор МП103
#13682
|
25841 | СНГ | 398 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП103 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||||
Діодний міст КЦ402Д
#14368
|
26578 | СНГ | 398 шт |
15 грн.
|
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402Д: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 200 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 200V | 1A | — | — | Діодний міст | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
#10106
|
21845 | INTEGRAL | 397 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 1Вт | 1000шт. | 25В | 1.5А | 100МГц | 300 | — | — | — | — | |||||||||||
Діодний міст КЦ402Ж
#11585
|
23816 | СНГ | 394 шт |
15 грн.
|
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402Ж: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 600 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 600 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 600V | 600mA | — | — | Діодний міст | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 25108 | INTERNATIONAL RECTIFIER | 393 шт |
3 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП р-канальний | 30В | 750мА | 540мВт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 26191 | СНГ | 392 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 82В. Основні технічні параметри стабілітрона Д817В: • Розкид напруги стабілізації: 74... 90 В при Іст 50 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,14%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±6%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 45 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 60 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 82V | ks620 | — | — | |||||||||||
Мікросхема К511ПУ2
#843
|
21435 | СНГ | 391 шт |
6 грн.
|
|
Перетворювач низького рівня високий: два логічних елементи 2І-НЕ і два логічних елементи НЕ з розширенням по І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К555ТЛ2
#9544
|
21698 | СНГ | 389 шт |
4 грн.
|
|
Шість тригерів Шмітта-інверторів | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ817Б
#12236
|
24615 | СНГ | 389 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор КТ817Б кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 45В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС407Д
#10375
|
22382 | СНГ | 387 шт |
2 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, планарний, середньої потужності. | 0.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 400шт. | — | — | — | — | 6V8 | kd2 | — | — | ||||||||||
Діод BYV26C
#16605
|
28884 | VISHAY | 386 шт |
12 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | SOD-57 | 600V | 1A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Сімістор BT138-600E
#5613
|
21126 | NXP | 385 шт |
20 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 600V | 12A | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20416 | ON SEMICONDUCTOR | 385 шт |
2 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 3000шт. | 150В | 600мА | — | 240 | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема К511ЛА2
#816
|
22275 | СНГ | 382 шт |
6 грн.
|
|
Три логічні елементи 3І-НЕ. | 1.5 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 28255 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 381 шт |
2 грн.
|
|
Стабілітрон BZX85V033 33V 1.3A. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1.3Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 33V | DO-41 | — | — | |||||||||||
Оптопара MOC207
#16534
|
28782 | ON SEMICONDUCTOR | 380 шт |
22 грн.
|
|
0.17 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К561СА1А
#3949
|
21409 | СНГ | 377 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561СА1А є дванадцятирозрядною схемою порівняння (контролер парності 12-розрядного числа). Містить 224 інтегральні елементи. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ853В
#13954
|
26134 | СНГ | 377 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори КТ853В планарні кремнієві структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА (60В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 750; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 120 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,66 Ом; • tвикл - Час вимкнення:: не більше 3300 нс | 2 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 60Вт | 100шт. | 60В | 8А | 7МГц | 750 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ155ЛА2
#3939
|
21239 | СНГ | 376 шт |
5 грн.
|
|
Логічний елемент 8І-НЕ. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діодний міст KBPC810
#9857
|
21636 | SEP | 376 шт |
18 грн.
|
|
(1000V; 8.0A) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
