Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Напруга пробою Конструкція діода
22216 СНГ 413 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Програмований постійний пристрій ємністю 4096 біт (512x8) з відкритим колектором, з одноразовим електричним програмуванням перепалюванням перемичок. 4 DIP24 DIP Пам`ять 120шт.
21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 80
25106 ST MICROELECTRONICS 410 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
30+1,80 грн.
50+1,60 грн.
0.12 SMD SOT-23 Захисний 300Вт 3000шт. 15.8V подвійний загальний анод
21689 СНГ 409 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Триканальний програмований пристрій тимчасових інтервалів (таймер), призначений для роботи мікропроцесорних систем в режимі реального часу. Реалізовані у вигляді трьох незалежних 16-розрядних каналів із загальною схемою управління. 3.5 DIP24 DIP Таймери 36шт.
21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
25905 СНГ 409 шт
7 грн.
50+6,30 грн.
200+5,60 грн.
500+4,90 грн.
Основні технічні характеристики діода КД202Ж: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 300 В. 4.5 Гвинт КДЮ-11 210V 5A Випрямний 100шт. одиночний
21812 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 401 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 DIP 1Вт 1000шт. 10V DO-41
25841 СНГ 398 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
26578 СНГ 398 шт
15 грн.
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402Д: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 200 В. 5.7 DIP 200V 1A Діодний міст 100шт.
21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
29486 DC COMPONENTS 396 шт
5 грн.
100+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
1 DIP DO-27 1000V 3.0A Швидкий 1000шт. одиночний
23816 СНГ 394 шт
15 грн.
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402Ж: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 600 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 600 В. 5.7 DIP 600V 600mA Діодний міст 100шт.
25108 INTERNATIONAL RECTIFIER 393 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.1 SOT23 Польовий SMD МОП р-канальний 30В 750мА 540мВт 3000шт.
26191 СНГ 392 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 82В. Основні технічні параметри стабілітрона Д817В: • Розкид напруги стабілізації: 74... 90 В при Іст 50 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,14%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±6%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 45 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 60 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С 4.2 Гвинт 5Вт 100шт. 82V ks620
21435 СНГ 391 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Перетворювач низького рівня високий: два логічних елементи 2І-НЕ і два логічних елементи НЕ з розширенням по І. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22382 СНГ 387 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабілітрон кремнієвий, планарний, середньої потужності. 0.1 DIP 340мВт 400шт. 6V8 kd2
28884 VISHAY 386 шт
12 грн.
100+10,80 грн.
200+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.4 DIP SOD-57 600V 1A Швидкий 5000шт. одиночний
21126 NXP 385 шт
20 грн.
10+18 грн.
50+16 грн.
2.8 DIP TO-220AB 600V 12A 50шт.
22275 СНГ 382 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Три логічні елементи 3І-НЕ. 1.5 DIP14 DIP Логіка 100шт.
28255 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 381 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабілітрон BZX85V033 33V 1.3A. 0.2 DIP 1.3Вт 1000шт. 33V DO-41
28782 ON SEMICONDUCTOR 380 шт
22 грн.
10+19,80 грн.
50+17,60 грн.
0.17 SO8 SMD 2500шт.
21698 СНГ 379 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Шість тригерів Шмітта-інверторів 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
21409 СНГ 377 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561СА1А є дванадцятирозрядною схемою порівняння (контролер парності 12-розрядного числа). Містить 224 інтегральні елементи. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г. 1.1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
26134 СНГ 377 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори КТ853В планарні кремнієві структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА (60В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 750; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 120 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,66 Ом; • tвикл - Час вимкнення:: не більше 3300 нс 2 TO220 Біполярний DIP PNP 60Вт 100шт. 60В 7МГц 750
21239 СНГ 376 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Логічний елемент 8І-НЕ. 1.2 DIP14 DIP Логіка 100шт.
21636 SEP 376 шт
18 грн.
10+16,20 грн.
50+14,40 грн.
100+13,50 грн.
(1000V; 8.0A)
20226 Rectron Semiconductor 375 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 7.5V 0.5W (BZX55C 7V5) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 7V5 DO-35
24038 СНГ 373 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Призначені для застосування як перемикаючі елементи в імпульсних швидкодіючих пристроях наносекундного діапазону. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. 0.25 DIP КД-121 30V 20mA Імпульсний 100шт. одиночний
28505 СНГ 371 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
Симистор кремнієвий, планарний, структури pnpn, тріодний, незапираний, симетричний. 11 Гвинт 400V 5A 40шт.
25741 СНГ 369 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логічні елементи 4І-НЕ. 1.2 DIP14 DIP Логіка 100шт.