Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
21271 СНГ 231 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155ТВ1 є JK тригер з логікою на вході ЗІ. Містять 55 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
20504 SEMTECH ELECTRONICS 230 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 — — — DIP — — — — — — — 1Вт 500шт. — — — — 3V0 DO-41 —
26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — — Біполярний DIP — — — — — — PNP 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 60 — — —
26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 — SOT23 Біполярний SMD — — — — — — NPN 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000 — — —
28763 Nexperia 228 шт
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.043 — — — SMD SOT-23 40V 500mA — — Шотки — — 3000шт. — — — — — — одиночний
25721 СНГ 227 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логічні елементи 4І-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — — Біполярний DIP — — — — — — PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30 — — —
20403 CHINA 225 шт
2,50 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
250+1,87 грн.
0.3 — — — DIP — — — — — — — 700мВт 500шт. — — — — 37V TO-92 —
23060 MIC 224 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 — — — DIP DO-41 20V 1A — — Шотки — — 1000шт. — — — — — — одиночний
28041 СНГ 224 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди Д101А кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. 0.9 — — — DIP — 75V 30mA — — Випрямний — — 500шт. — — — — — — одиночний
28533 СНГ 223 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основні технічні характеристики діода КД203А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 420 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 600 В. 12 — — — Гвинт — 420V 10A 30A — Випрямний — — 25шт. — — — — — — одиночний
21835 СНГ 220 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е.(Uкеr макс), 60 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 10.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 — КТЮ-3-9 Біполярний DIP — — — — — — NPN 5Вт 25шт. 60В 2А 10МГц 30 — — —
20439 SEMTECH ELECTRONICS 220 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 — — — DIP — — — — — — — 1Вт 500шт. — — — — 6V2 DO-41 —
21874 СНГ 219 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 D-тригери з установкою в нуль. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
22232 СНГ 218 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Подвійний дешифратор-демультіплексор 2-4. 1.5 DIP16 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120 — — —
24839 СНГ 217 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори ГТ346А германієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 800 та 200 МГц. Призначені для застосування в селекторах телевізійних каналів метрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль з автоматичним регулюванням посилення. 0.4 — КТ-1 Біполярний DIP — — — — — — PNP 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150 — — —
25869 СНГ 216 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Діоди Д206 кремнієві, сплавні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою до 1 кГц Основні технічні характеристики діода Д206: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 100 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 100 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбр 100 В. 1 — — — DIP КД-9 100V 50mA — — Випрямний — — 100шт. — — — — — — одиночний
21263 СНГ 214 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Мікросхеми К155АГ3 є здвоєним одновібратором з повторним запуском. 1.3 DIP16 — — DIP — — — — Логіка — — — 90шт. — — — — — — —
21906 СНГ 214 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Синхронний чотиризарядний декадний реверсивний лічильник. 1 DIP16 — — DIP — — — — Логіка — — — 90шт. — — — — — — —
21681 СНГ 214 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Один восьмиходовий елемент І-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
21879 СНГ 213 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 тригери JK типу. 1 DIP16 — — DIP — — — — Логіка — — — 90шт. — — — — — — —
25849 СНГ 213 шт
10 грн.
• Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 11 — — — Гвинт — 50V — 30A — — — — 40шт. — — — — — — —
29322 DAXIN 213 шт
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Транзистор DXG40N65HSEU. 6 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 30шт. 650В 40А — — — — —
21696 СНГ 212 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Подвійний дешифратор-мультиплексор 2-4. 1.2 DIP16 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
26217 СНГ 212 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
200+6,40 грн.
500+5,60 грн.
Діоди КД202К кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода КД202К: • Uoбp і max – Максимальна імпульсна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 400 В 4.5 — — — Гвинт КДЮ-11 280V 5A — — Випрямний — — 100шт. — — — — — — одиночний
22285 СНГ 211 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Однокристальний буферний 8-розрядний регістр (D-регістр "Клямка" з трьома станами на виході) інвертуючий. 2 DIP20 — — DIP — — — — Логіка — — — 70шт. — — — — — — —
23538 СНГ 211 шт
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Основні технічні параметри стабілітрону КС533А: • Номінальна напруга стабілізації: 33 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 29,7...36,3 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,1 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 100 Ом при Іст 3 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 17 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,64 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+125 °С. 0.4 — — — DIP — — — — — — — 640мВт 200шт. — — — — 33V — —
24700 СНГ 211 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — — Біполярний DIP — — — — — — PNP 11,5Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150 — — —
23574 СНГ 210 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.3 — TO92 Біполярний DIP — — — — — — PNP 350мВт 1000шт. 15В 350мА — 120 — — —