Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
22296 СНГ 235 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
2 логічні елементи 4І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
21681 СНГ 234 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Один восьмиходовий елемент І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
23060 MIC 234 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 DIP DO-41 20V 1A Шотки 1000шт. одиночний
26928 СНГ 232 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,16 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 11,5Вт 20шт. 40В 0,15МГц 50
28533 СНГ 232 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основні технічні характеристики діода КД203А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 420 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 600 В. 12 Гвинт 420V 10A 30A Випрямний 25шт. одиночний
21271 СНГ 231 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155ТВ1 є JK тригер з логікою на вході ЗІ. Містять 55 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
20403 CHINA 231 шт
2,50 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
250+1,87 грн.
0.3 DIP 700мВт 500шт. 37V TO-92
20504 SEMTECH ELECTRONICS 230 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 DIP 1Вт 500шт. 3V0 DO-41
26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 55В 0,15МГц 60
26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000
28763 Nexperia 228 шт
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.043 SMD SOT-23 40V 500mA Шотки 3000шт. одиночний
25721 СНГ 227 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логічні елементи 4І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30
24735 СНГ 226 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП40А сплавні германієві pnp підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 40
20436 SEMTECH ELECTRONICS 225 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 DIP 1Вт 500шт. 4V7 DO-41
28041 СНГ 224 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди Д101А кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. 0.9 DIP 75V 30mA Випрямний 500шт. одиночний
21387 СНГ 222 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Чотири логічні елементи 2І. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
29322 DAXIN 222 шт
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Транзистор DXG40N65HSEU. 6 TO247 IGBT DIP 30шт. 650В 40А
21835 СНГ 220 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е.(Uкеr макс), 60 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 10.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 5Вт 25шт. 60В 10МГц 30
21874 СНГ 219 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 D-тригери з установкою в нуль. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22232 СНГ 218 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Подвійний дешифратор-демультіплексор 2-4. 1.5 DIP16 DIP Логіка 100шт.
25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120
24839 СНГ 217 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори ГТ346А германієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 800 та 200 МГц. Призначені для застосування в селекторах телевізійних каналів метрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль з автоматичним регулюванням посилення. 0.4 КТ-1 Біполярний DIP PNP 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150
25869 СНГ 216 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Діоди Д206 кремнієві, сплавні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою до 1 кГц Основні технічні характеристики діода Д206: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 100 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 100 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбр 100 В. 1 DIP КД-9 100V 50mA Випрямний 100шт. одиночний
21263 СНГ 214 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Мікросхеми К155АГ3 є здвоєним одновібратором з повторним запуском. 1.3 DIP16 DIP Логіка 90шт.
21906 СНГ 214 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Синхронний чотиризарядний декадний реверсивний лічильник. 1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
21884 СНГ 213 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Два три-вхідні елементи АБО-НЕ і один одно-вхідний інвертор. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
21879 СНГ 213 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 тригери JK типу. 1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
25849 СНГ 213 шт
10 грн.
• Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 11 Гвинт 50V 30A 40шт.
21696 СНГ 212 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Подвійний дешифратор-мультиплексор 2-4. 1.2 DIP16 DIP Логіка 100шт.