Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Діодне складання КДС523АМ
#16254
|
28501 | СНГ | 210 шт |
2 грн.
|
|
Діодне складання, що складається кожна з двох кремнієвих планарно-епітаксіальних імпульсних діодів з окремими висновками. Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими виводами. | 0.25 | — | — | — | SMD | — | 50V | 20mA | 200mA | — | Імпульсний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання | ||||||||||
Транзистор КТ361К-2
#11373
|
23484 | INTEGRAL | 209 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 1000шт. | 60В | 100мА | 250МГц | 350 | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор МП40А
#3440
|
24735 | СНГ | 206 шт |
5 грн.
|
|
Транзистори МП40А сплавні германієві pnp підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 30В | 30мА | 1МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||||
| 20436 | SEMTECH ELECTRONICS | 205 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 4V7 | DO-41 | — | — | ||||||||||||
Стабілітрон КС447А
#13967
|
26147 | СНГ | 205 шт |
5 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрону КС447А: • Номінальна напруга стабілізації: 4,7 при Iст 43 мА; • Розкид напруги стабілізації: 4,23...5,17 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,08...+0,03%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрона: 18 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 159 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 4V7 | kd-8 | — | — | ||||||||||
| 28713 | СНГ | 205 шт |
10 грн.
|
|
Стабілізатор з фіксованою вихідною напругою 12В, 1А | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема КМ155ТМ7
#971
|
21347 | СНГ | 204 шт |
10 грн.
|
|
4 D-тригери з прямими та інверсними виходами. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20165 | VISHAY | 203 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 68V | — | |||||||||||
Мікросхема STM6519AUARUB6F
#17148
|
29398 | ST MICROELECTRONICS | 203 шт |
30 грн.
|
|
Спеціалізована мікросхема апаратного скидання (Smart Reset IC) від компанії STMicroelectronics, призначена для безпечного та коректного перезавантаження портативної електроніки при зависанні системи. | 0.06 | UDFN-6(1x1.5) | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ЛА6
#12219
|
24596 | СНГ | 202 шт |
6 грн.
|
|
2 логічні елементи 4І-НЕ з великим коефіцієнтом розгалуження на виході. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор КУ201И
#3403
|
22421 | СНГ | 201 шт |
12 грн.
|
Максимальна зворотна напруга, 200 Максимальна повторювана імпульсна напруга в закритому стані, 200 Максимальне середнє за період значення струму у відкритому стані,А 2 Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані,А 30 Максимальна напруга у відкритому стані, 2 Найменший постійний струм управління, необхідний включення тиристора ,А 0.1 Найменший імпульсний струм управління, що повторюється, необхідний для включення тиристора,А 0.35 Відмикаюча напруга управління, що відповідає мінімальному постійному струму, що відмикає,В 6 Відмикаюча напруга управління, що відповідає мінімальному імпульсному повторюваному відпираючому струму, 10 Критична швидкість наростання напруги в закритому стані, В/мкс 5 Критична швидкість наростання струму у відкритому стані, А/мкс 3 Час включення, мкс 10 Час вимкнення, мкс 100 Робоча температура, C -60 ... 85 Особливості незаперечний | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 200V | — | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема КМ555ЛА9
#827
|
21670 | СНГ | 200 шт |
10 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І-НЕ з відкритим колекторним виходом. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20164 | VISHAY | 200 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 82V | — | |||||||||||
| 26514 | СНГ | 200 шт |
12 грн.
|
|
Три елементи АБО-НЕ. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20448 | SEMTECH ELECTRONICS | 198 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 15V | DO-41 | — | — | ||||||||||||
Стабілітрон 2С482А (=КС482А)
#15531
|
27770 | СНГ | 198 шт |
6 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона 2С482А: • Номінальна напруга стабілізації: 8.2 при Iст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,4...9 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,08 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 96 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 8V2 | kd-8 | — | — | ||||||||||
| 22350 | СНГ | 197 шт |
6 грн.
|
|
Пристрій керування та стабілізації частоти обертання валу низьковольтних колекторних мікродвигунів постійного струму із збудженням від постійних магнітів. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Драйвери | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К176ПУ1
#9503
|
21669 | СНГ | 196 шт |
5 грн.
|
|
Перетворювач логічних рівнів містить п'ять інверторів. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема MAX3232CDBR
#12620
|
24925 | TEXAS INSTRUMENTS | 196 шт |
29 грн.
|
|
0.4 | SSOP-16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод Е115А (=КД219А)
#14494
|
26709 | СНГ | 196 шт |
15 грн.
|
|
Діоди КД219А кремнієві, епітаксійні, з бар`єром Шоттки. Призначені для застосування в вторинних низьковольтних джерелах електроживлення на частотах 10...200 кГц. Основні технічні характеристики діода 2КД219А: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 15 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 250 А; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,6 при Inp 10 А; • fmax – Максимальна робоча частота діода: 200 кГц. | 5.2 | — | — | — | Гвинт | КД-11 | 15V | 10A | — | — | Шотки | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Транзистор КТ3102АМ
#10317
|
22267 | СНГ | 195 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 250мВт | 1000шт. | 50В | 200мА | — | 250 | — | — | — | — | |||||||||||
| 25722 | СНГ | 195 шт |
8 грн.
|
|
Двоканальний восьмирозрядний формувач з трьома станами на виході. | 1.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20411 | TOSHIBA | 192 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 400мВт | 1000шт. | 50В | 150мА | — | 400 | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20195 | VISHAY | 192 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 91V | — | |||||||||||
Транзистор КТ857А
#13955
|
26135 | СНГ | 192 шт |
17 грн.
|
|
Транзистор КТ857А кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: більше 10 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 250 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 6 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мА (250В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 7,5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,33 Ом; • tрас - час розсмоктування: не більше 2500 нс | 2 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 250В | 7А | 10МГц | 10 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ЛН1
#730
|
21921 | СНГ | 191 шт |
6 грн.
|
|
Шість логічних елементів НЕ з блокуванням та забороною. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К144ІР1П
#7367
|
22100 | СНГ | 190 шт |
6 грн.
|
|
Квазистатичний послідовний регістр зсуву на 21 розряд, що складається з трьох регістрів з числом розрядів 1, 4, 16 з роздільними входами, із загальними ланцюгами зсуву та живлення. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 1N4448
#1003
|
28488 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 189 шт |
1,50 грн.
|
|
200мА 100В DO-35. | 0.12 | — | — | — | DIP | DO-35 | 100V | 200mA | — | — | Імпульсний | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 23389 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 189 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 130V | — | ||||||||||||
Діодне складання КД205Б
#14359
|
26571 | СНГ | 189 шт |
16 грн.
|
Діодні зборки КД205Б, що складаються з двох кремнієвих, дифузійних діодів, з роздільними висновками. Призначені для перетворення змінної напруги частотою до 5 кгц в блоках електроживлення радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики діода КД205Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 400 В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання |
