Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
| 25722 | СНГ | 195 шт |
8 грн.
|
|
Двоканальний восьмирозрядний формувач з трьома станами на виході. | 1.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20411 | TOSHIBA | 192 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 400мВт | 1000шт. | 50В | 150мА | — | 400 | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20195 | VISHAY | 192 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 91V | — | |||||||||||
Транзистор КТ857А
#13955
|
26135 | СНГ | 192 шт |
17 грн.
|
|
Транзистор КТ857А кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: більше 10 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 250 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 6 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мА (250В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 7,5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,33 Ом; • tрас - час розсмоктування: не більше 2500 нс | 2 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 250В | 7А | 10МГц | 10 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К144ІР1П
#7367
|
22100 | СНГ | 190 шт |
6 грн.
|
|
Квазистатичний послідовний регістр зсуву на 21 розряд, що складається з трьох регістрів з числом розрядів 1, 4, 16 з роздільними входами, із загальними ланцюгами зсуву та живлення. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 1N4448
#1003
|
28488 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 189 шт |
1,50 грн.
|
|
200мА 100В DO-35. | 0.12 | — | — | — | DIP | DO-35 | 100V | 200mA | — | — | Імпульсний | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 23389 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 189 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 130V | — | ||||||||||||
Діодне складання КД205Б
#14359
|
26571 | СНГ | 189 шт |
16 грн.
|
Діодні зборки КД205Б, що складаються з двох кремнієвих, дифузійних діодів, з роздільними висновками. Призначені для перетворення змінної напруги частотою до 5 кгц в блоках електроживлення радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики діода КД205Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 400 В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання | |||||||||||
Мікросхема К176ЛЕ6
#838
|
21877 | СНГ | 188 шт |
6 грн.
|
|
Два логічні елементи 4АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиранзистор КТ681А
#10110
|
21849 | СНГ | 186 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 25В | 600мА | 120МГц | 85 | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема КР145ИР1
#14429
|
26638 | СНГ | 186 шт |
20 грн.
|
|
Динамічний регістр зсуву 1024/1008 біт. | 2.8 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор 2У201К (=КУ201К)
#16287
|
28534 | СНГ | 186 шт |
20 грн.
|
• Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 300 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, Що Повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 300V | 2A | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ818А
#10793
|
22982 | СНГ | 185 шт |
14 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 60Вт | 100шт. | 40В | 10А | 3МГц | 15 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема SD4842P
#13673
|
25809 | Silan Semiconductor | 185 шт |
20 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор МП113
#13681
|
25840 | СНГ | 185 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП113 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZT52C4V7
#17009
|
29260 | DIODES INCORPORATED | 185 шт |
2 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 3000шт. | — | — | — | — | 4V7 | SOD-123 | — | — | |||||||||||
Мікросхема КР580ВК28
#9539
|
22202 | СНГ | 184 шт |
10 грн.
|
|
Системний контролер та шинний формувач. | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ТВ1А
#9817
|
21406 | СНГ | 182 шт |
4 грн.
|
|
Два JK-тригери з асинхронними RS-входами та динамічним керуванням запису. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП25Б
#10816
|
23009 | СНГ | 182 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор МП25Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 40В | 150мА | — | 80 | — | — | — | — | ||||||||||
| 25915 | СНГ | 180 шт |
20 000 грн.
|
Датчик лінійних прискорень мікромініатюрний ДЛУММ призначений для перетворення лінійних прискорень, що діють по осі чутливості датчика, електричний сигнал у вигляді напруги постійного струму, величина якого пропорційна лінійному прискоренню, а знак відповідає напрямку дії лінійного прискорення. | 43 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 3 шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20170 | VISHAY | 179 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 43V | — | |||||||||||
Мікросхема К555АП3
#10157
|
22034 | СНГ | 179 шт |
6 грн.
|
|
Два чотириканапні формувачі з трьома станами на виході з інверсією сигналу. | 1.6 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П216
#14713
|
26931 | СНГ | 179 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори П216 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 20 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ837Е
#10809
|
22999 | INTEGRAL | 178 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 100шт. | 55В | 7,5A | 1МГц | 150 | — | — | — | — | ||||||||||
| 26198 | СНГ | 178 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 6,8В Основні технічні параметри стабілітрона Д815Б: • Розкид напруги стабілізації: 6,1...7,5 при Iст 1 А; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,05%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 0,8 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 50 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 1,15 А; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 6V8 | ks620 | — | — | |||||||||||
Сімістор BT139-800E
#5616
|
21129 | NXP | 176 шт |
16 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 800V | 16A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Симистор BTA12-800B
#5619
|
21132 | ST MICROELECTRONICS | 176 шт |
21 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 12A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К131ЛА1
#5650
|
22110 | СНГ | 176 шт |
6 грн.
|
|
Два логічні елементи 4І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К176ЛП1
#831
|
21913 | СНГ | 175 шт |
6 грн.
|
|
Логічний універсальний елемент. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ЛА3
#3925
|
21938 | СНГ | 175 шт |
5 грн.
|
|
Мікросхема К131ЛА3 являє собою 4 логічні елементи 2І-НЕ. Містить 56 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1. Маса трохи більше 1 р. Загальні рекомендації щодо застосування: Температура паяння (235±5)С, відстань від корпусу до місця паяння (1±0,5) мм, тривалість паяння (2±0,5)с. Число перепайок при проведенні монтажних операцій 1. На мікросхемах замість індексу "К" може стояти крапка. Допустиме значення статичного потенціалу 30 В. Не рекомендується підведення будь-яких електричних сигналів (у тому числі шин «живлення» та «земля») до висновків мікросхеми. При ремонті апаратури зміну мікросхеми слід проводити тільки за відключених джерел живлення. Вільні входи необхідно підключати до джерела постійної напруги 5 ±10% через резистор опором 1 кОм або до джерела постійної напруги 4,5 ±10%. При цьому допускається підключення до одного резистори до 20 висновків мікросхем. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
