Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип корпусу	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Тип корпусу	Uзв. max, В	Iпр. max.	Призначення	Тип діода	Структура	Напруга сток-витік	Струм стоку	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму	Напруга стабілізації	Тип корпусу стабілітрона	Напруга пробою	Конструкція діода

Мікросхема НФ002 (=АРФ3.438.010) мет.

#12784

25141

СНГ

174 шт

80 грн.

10+	76 грн.
50+	72 грн.
100+	64 грн.

Призначення – диференціальна система для апаратури цифрової системи ІКМ-30-4

DIP28

—

DIP

—

Телефонія

—

6шт.

—

Стабілітрон КС482А

#3400

23310

СНГ

172 шт

3 грн.

50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.
250+	2,25 грн.

Потужність розсіювання,Вт 1 Мінімальна напруга стабілізації, 7.4 Номінальна напруга стабілізації, 8.2 Максимальна напруга стабілізації, 9 Статичний опір Rст., Ом 25 при струмі I ст, ма 5 Температурний коефіцієнт напруги стабілізації аUст., %/З 0.08 Тимчасова нестабільність напруги стабілізації dUст., 1.5 Мінімальний струм стабілізації Iст.мин.,мА 1 Максимальний струм стабілізації Iст.макс., ма 96 Робоча температура, С -60 ... 125 Спосіб монтажу в отвір Корпус kd-8

0.5

—

DIP

—

1Вт

100шт.

—

8V2

kd-8

—

Мікросхема КР140УД1А (=UA702C)

#898

22142

СНГ

170 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Операційний підсилювач середньої точності без частотної корекції.

DIP14

—

DIP

—

Підсилювачі

—

100шт.

—

Діод RU3AM (1.5A/600V 400ns)

#4275

20153

BL Galaxy Electrical

170 шт

9 грн.

100+	8,10 грн.
200+	7,20 грн.
500+	6,30 грн.

0.4

—

DIP

DO-201AD

600V

1.5A

—

Швидкий

—

1000шт.

—

одиночний

Стабілітрон BZX55C 4V7

#4191

20207

Rectron Semiconductor

167 шт

1 грн.

50+	0,90 грн.
100+	0,80 грн.
250+	0,75 грн.

Стабілітрон 4.7V 0.5W (BZX55C 4V7)

0.12

—

DIP

—

500мВт

500шт.

—

4V7

DO-35

—

Діод Д223А

#8891

22786

СНГ

167 шт

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

Основні технічні характеристики діода Д223А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 50 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбр 100 В.

0.3

—

DIP

D104

100V

50mA

—

Випрямний

—

100шт.

—

одиночний

Мікросхема К176ЛП11

#923

21883

СНГ

166 шт

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

2 логічні елементи 4АБО-НЕ і логічний елемент НЕ.

DIP14

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Стовп випрямний КЦ201Г

#11218

23352

СНГ

166 шт

45 грн.

50+	40,50 грн.
200+	36 грн.
500+	31,50 грн.

Стовп із кремнієвих, дифузійних, лавинних діодів, імпульсний. Призначений для перетворення змінної імпульсної напруги частотою до 1 кГц.

—

Гвинт

—

8kV

500mA

—

Високовольтний

—

20шт.

—

складання

Транзистор П217В

#16932

29179

СНГ

166 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА; • h21е – Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

—

24Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Симистор BTA208-800B

#9693

21015

NXP

165 шт

24 грн.

10+	21,60 грн.
50+	19,20 грн.

2.8

—

DIP

TO-220

—

50шт.

—

Мікросхема КР1162ЕН6А (7906)

#3539

21805

СНГ

164 шт

9 грн.

10+	8,55 грн.
50+	8,10 грн.
100+	7,20 грн.

Стабілізатор -6V/1,5A

2.5

TO-220

—

DIP

—

живлення

—

200шт.

—

Мікросхема К564КТ3 (нік.)

#10395

22404

СНГ

164 шт

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

Чотири двонаправлені перемикачі.

0.5

SO14

—

SMD

—

Логіка

—

100шт.

—

Транзистор 2SC945

#2208

20492

UTC

163 шт

1 грн.

10+	0,95 грн.
50+	0,90 грн.
100+	0,80 грн.
500+	0,70 грн.

0.3

—

TO92

Біполярний

DIP

—

NPN

—

250мВт

500шт.

50В

150мА

100МГц

600

—

Діод Д207

#8876

22650

СНГ

163 шт

5 грн.

50+	4,50 грн.
200+	4 грн.
500+	3,50 грн.

• Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 100 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 100 В

—

DIP

КД-9

200V

100mA

—

Випрямний

—

100шт.

—

одиночний

Транзистор FDMC8010DC

#17147

29397

ON SEMICONDUCTOR

163 шт

43 грн.

10+	40,85 грн.
50+	38,70 грн.
100+	34,40 грн.

0.43

—

PQFN3.3X3.3

Польовий

SMD

—

МОП n-канальний

30В

157А

50Вт

3000шт.

—

Стабілітрон BZX55C 13V

#4203

20224

Rectron Semiconductor

160 шт

1 грн.

50+	0,90 грн.
100+	0,80 грн.
250+	0,75 грн.

Стабілітрон 13V 0.5W (BZX55C 13V)

0.12

—

DIP

—

500мВт

500шт.

—

13V

DO-35

—

1.5KE9.1A (1N6270A), Захисний діод, 1500Вт, 9.1В

#4222

20152

VISHAY

160 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
30+	5,40 грн.
50+	4,80 грн.

DO-201

1.1

—

DIP

DO-201AD

—

Захисний

—

1.5кВт

200шт.

—

9.1V

—

Мікросхема R7F7010133AFP#KA4

#16782

29027

RENESAS

160 шт

480 грн.

10+	456 грн.
50+	432 грн.
100+	384 грн.

32-bit Microcontrollers - MCU 32BIT MCU RH850/P1M.

0.8

LQFP100

—

SMD

—

Мікроконтролери

—

160шт.

—

Транзистор ГТ403А

#10839

23036

СНГ

159 шт

16 грн.

10+	15,20 грн.
50+	14,40 грн.
100+	12,80 грн.

Транзистор ГТ403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

—

4Вт

100шт.

30В

1,25А

—

1.5KE24A (=1N6280A), Захисний діод, 1500Вт, 24В

#4231

20197

VISHAY

158 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
30+	5,40 грн.
50+	4,80 грн.

DO-201

1.1

—

DIP

DO-201AD

—

Захисний

—

1.5кВт

200шт.

—

24V

—

Мікросхема К1102АП7

#9742

21202

СНГ

158 шт

18 грн.

10+	17,10 грн.
50+	16,20 грн.
100+	14,40 грн.

Периферійний здвоєний формувач струму з елементом 2І-НЕ

0.5

DIP8

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Транзистор П307ВМ

#14350

26558

СНГ

158 шт

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

Кремнієвий npn транзистор для роботи в радіомовних приймачах та приймально-підсилювальній апаратурі.

0.5

—

TO126

Біполярний

DIP

—

NPN

—

250мВт

1000шт.

60В

30мА

20МГц

150

—

Мікросхема КР505РЕ3 0110

#14441

26653

СНГ

158 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

ПЗП (512 х 8, р-МОП).

1.3

SO24

—

SMD

—

Пам'ять

—

140шт.

—

Мікросхема К176ЛИ1

#916

21672

СНГ

154 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Логічний елемент 9І та НЕ.

DIP14

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Транзистор КТ3117А1

#9736

21146

СНГ

154 шт

4 грн.

10+	3,80 грн.
50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.

Транзистор NPN 60В 0.4А 0.3Вт 200Мгц TO92 (КТ-26)

0.4

—

TO92

Біполярний

DIP

—

NPN

—

500мВт

500шт.

60В

400мА

200МГц

—

Транзистор КТ342БМ

#13767

25933

СНГ

153 шт

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

Основні технічні характеристики транзистора КТ342БМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 200...500; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 8 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 10 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 200 пс.

0.3

—

TO92

Біполярний

DIP

—

NPN

—

250мВт

1000шт.

25В

50мА

300МГц

500

—

Мікросхема К555ІР27

#8300

22020

СНГ

152 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Регістр восьмирозрядний з роздільною здатністю запису.

DIP20

—

DIP

—

Логіка

—

70шт.

—

Мікросхема КР531КП2 (=SN74S153)

#7369

21683

СНГ

151 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Подвійний цифровий селектор-мультиплексор 4-1.

DIP16

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Діодний стовп КЦ114А

#13812

25990

СНГ

151 шт

10 грн.

50+	9 грн.
200+	8 грн.
500+	7 грн.

Стовпи з кремнієвих, дифузійних діодів, випрямляючі. Призначені для використання у високовольтних блоках джерел вторинного електроживлення з додатковою герметизацією.

1.6

—

DIP

—

4kV

50mA

—

Високовольтний

—

100шт.

—

одиночний

Транзистор П201АЕ

#16182

28456

СНГ

151 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Характеристики транзистора П201АЕ: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 200КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

—

10Вт

50шт.

30В

1.5А

0,2МГц

100

—