Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Діод FR157
#1024
|
25661 | MIC | 146 шт |
1 грн.
|
|
1000V*1,5A*500ns | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 1000V | 1.5A | — | Швидкий | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 20085 | On-Bright | 146 шт |
10 грн.
|
|
0.2 | SOT23-6 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема К170АП4
#5701
|
21949 | СНГ | 146 шт |
6 грн.
|
|
Чотирьохканальний формувач тактових сигналів для керування ЗУ на nМОП-схемах. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К155ТЛ3
#976
|
21270 | СНГ | 145 шт |
10 грн.
|
|
4 двовходові тригери Шмітта. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ТВ1
#3924
|
21923 | СНГ | 145 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхема К131ТВ1 є JK-тригер з логікою на вході 3І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ155ЛД3
#3934
|
21333 | СНГ | 145 шт |
10 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми КМ155ЛД3 являють собою восьмивходовий розширювач АБО. Містять 11 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20158 | VISHAY | 145 шт |
6 грн.
|
|
1.6 | — | — | — | DIP | GP-20 | 200V | 3.0A | — | Швидкий | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||||
Мікросхема К172ЛІ1
#5707
|
25945 | СНГ | 145 шт |
8 грн.
|
|
4 логічні елементи 2І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод Д2Ж
#13961
|
26141 | СНГ | 145 шт |
3 грн.
|
|
Діоди Д2Ж германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Ж: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 150 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 8 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 150 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 150V | 8mA | — | Детекторний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 29103 | ANALOG DEVICES | 144 шт |
90 грн.
|
|
0.12 | SOT23-6 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Транзистор 2SC945
#2208
|
20492 | UTC | 143 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 250мВт | 500шт. | 50В | 150мА | 100МГц | 600 | — | — | — | — | |||||||||||
Стабілітрон BZX55C 9V1
#4199
|
20225 | Rectron Semiconductor | 143 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 9.1V 0.5W (BZX55C 9V1) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 9V1 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР580ВА87
#7398
|
21924 | СНГ | 142 шт |
6 грн.
|
|
Двонаправлений 8-розрядний шинний формувач, що інвертує, з трьома станами на виході. | 1.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21869 | СНГ | 142 шт |
8 грн.
|
|
Чотирирозрядний універсальний регістр зсуву. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20191 | VISHAY | 140 шт |
7 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 39V | — | |||||||||||
Мікросхема КМ555ЛН1
#799
|
22052 | СНГ | 139 шт |
10 грн.
|
|
Шість логічних елементів НЕ. | 1.3 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ555ІВ1
#10160
|
22038 | СНГ | 139 шт |
12 грн.
|
|
Пріоритетний шифратор 8 каналів 3. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П417А
#11887
|
24140 | СНГ | 139 шт |
10 грн.
|
|
Германієві дифузійні високочастотні (200 МГц) pnp транзистори малої потужності. | 1.8 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 200МГц | 200 | — | — | — | — | ||||||||||
Діодний стовп КЦ114А
#13812
|
25990 | СНГ | 139 шт |
10 грн.
|
|
Стовпи з кремнієвих, дифузійних діодів, випрямляючі. Призначені для використання у високовольтних блоках джерел вторинного електроживлення з додатковою герметизацією. | 1.6 | — | — | — | DIP | — | 4kV | 50mA | — | Високовольтний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема К555ЛН1
#798
|
22051 | СНГ | 138 шт |
10 грн.
|
|
Шість логічних елементів НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20173 | VISHAY | 138 шт |
7 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 16V | — | |||||||||||
Мікросхема КР505РЕ3 0009
#14439
|
26651 | СНГ | 138 шт |
10 грн.
|
|
ПЗП (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 5V6
#4193
|
20211 | Rectron Semiconductor | 136 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 5.6V 0.5W (BZX55C 5V6) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 5V6 | DO-35 | — | — | ||||||||||
| 29323 | MAGNACHIP SEMICONDUCTOR | 136 шт |
80 грн.
|
|
IGBT 650V 40A 230W + Diode | 6.5 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | 230Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К176ПУ2
#833
|
21324 | СНГ | 135 шт |
12 грн.
|
|
Шість перетворювачів логічних рівнів від КМОП до ТТЛ. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Оптопара АОД101Б
#3431
|
24239 | — | 135 шт |
8 грн.
|
|
Кількість каналів 1 Постійна пряма вхідна напруга Uвх., 1.5 при вхідному струмі Iвх., ма 20 Максимальний вхідний струм Iвх.макс., ма 20 Максимальний імпульсний вхідний струм Iвх.імп.макс.,мА 100 Максимальна вхідна зворотна напруга Uвх.обр.макс., 3.5 Вихідний каскад фотодіод Коефіцієнт передачі струму CTR, % 1.5 при вхідному струмі Iвх., ма 10 Максимальна вихідна зворотна напруга Uвих.обр.макс., 100 Час наростання вихідного сигналу tнр. мкс 0.5 Час спаду вихідного сигналу tсп. мкс 0.5 Опір ізоляції між вхідним і вихідним ланцюгами, ГОм 1 Максимальна напруга ізоляції, 100 Робоча температура, З -60…70 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Симистор BT137x-600E
#5636
|
21151 | NXP | 135 шт |
18 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220F | 600V | 8A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2N4403
#6596
|
22515 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 135 шт |
1,20 грн.
|
|
0.25 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 625мВт | 1000шт. | 40В | 600мА | — | 300 | — | — | — | — | |||||||||||
Фототранзистор КТФ104А
#11586
|
23817 | СНГ | 135 шт |
8 грн.
|
|
Кремнієвий планарний npn фототранзистор із площею фоточутливого елемента 0.64 мм2 випускають у пластмасовому корпусі. | 0.2 | — | — | Фото | — | — | — | — | — | — | NPN | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П216Д
#14718
|
26936 | СНГ | 135 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216Д: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | — | — | — | — |
