Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема К176ПУ2
#833
|
21324 | СНГ | 135 шт |
12 грн.
|
|
Шість перетворювачів логічних рівнів від КМОП до ТТЛ. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Оптопара АОД101Б
#3431
|
24239 | — | 135 шт |
8 грн.
|
|
Кількість каналів 1 Постійна пряма вхідна напруга Uвх., 1.5 при вхідному струмі Iвх., ма 20 Максимальний вхідний струм Iвх.макс., ма 20 Максимальний імпульсний вхідний струм Iвх.імп.макс.,мА 100 Максимальна вхідна зворотна напруга Uвх.обр.макс., 3.5 Вихідний каскад фотодіод Коефіцієнт передачі струму CTR, % 1.5 при вхідному струмі Iвх., ма 10 Максимальна вихідна зворотна напруга Uвих.обр.макс., 100 Час наростання вихідного сигналу tнр. мкс 0.5 Час спаду вихідного сигналу tсп. мкс 0.5 Опір ізоляції між вхідним і вихідним ланцюгами, ГОм 1 Максимальна напруга ізоляції, 100 Робоча температура, З -60…70 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 30BQ100TRPBF
#4325
|
20296 | VISHAY | 135 шт |
6 грн.
|
|
0.5 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 100V | 3.0A | — | Шотки | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Симистор BT137x-600E
#5636
|
21151 | NXP | 135 шт |
18 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220F | 600V | 8A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2N4403
#6596
|
22515 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 135 шт |
1,20 грн.
|
|
0.25 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 625мВт | 1000шт. | 40В | 600мА | — | 300 | — | — | — | — | |||||||||||
Фототранзистор КТФ104А
#11586
|
23817 | СНГ | 135 шт |
8 грн.
|
|
Кремнієвий планарний npn фототранзистор із площею фоточутливого елемента 0.64 мм2 випускають у пластмасовому корпусі. | 0.2 | — | — | Фото | — | — | — | — | — | — | NPN | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П216Д
#14718
|
26936 | СНГ | 135 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216Д: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||||
Діод КД248Д
#15467
|
27706 | СНГ | 135 шт |
10 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД248Д: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 3 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,4 при Inp 3 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 40 мкА при Uoбp 600 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,25 мкс. | 1 | — | — | — | DIP | — | 600V | 3.0A | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Транзистор КТ361А
#6843
|
24622 | СНГ | 134 шт |
2 грн.
|
|
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.2 | — | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 1000шт. | 25В | 50мА | 250МГц | 90 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ555ІП4
#10170
|
22060 | СНГ | 134 шт |
6 грн.
|
|
Арифметико-логічний устрій (АЛУ). | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2SA1273
#10482
|
22522 | KEC | 134 шт |
2,50 грн.
|
|
0.5 | — | TO92MOD | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 1Вт | 200шт. | 30В | 2А | 120МГц | 320 | — | — | — | — | |||||||||||
КДС111Б, Діодне складання
#11414
|
23531 | СНГ | 134 шт |
2,50 грн.
|
|
Діодне складання, що складається з двох діодів, включених із загальним анодом. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | 300V | 200mA | — | Випрямний | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | — | подвійний загальний анод | ||||||||||
Мікросхема К561ИЕ19
#922
|
21915 | СНГ | 133 шт |
6 грн.
|
|
П`ятирозрядний лічильник Джонсона із попередньою установкою. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20183 | VISHAY | 133 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 47V | — | |||||||||||
Мікросхема 228УВ1
#11783
|
24013 | СНГ | 133 шт |
42 грн.
|
|
Мікросхема 228УВ1 є універсальним підсилювачем на одному транзисторі. | 2.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20149 | VISHAY | 132 шт |
8 грн.
|
|
1.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 800V | 3.0A | — | Швидкий | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||||
| 25105 | ON SEMICONDUCTOR | 132 шт |
4 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | SC88 | — | — | — | Захисний | — | 100Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | 6.8V | складання | ||||||||||||
Мікросхема К176ИД1
#834
|
21323 | СНГ | 131 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхема К176ІД1 є дешифратором 4x10. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22793 | СНГ | 130 шт |
15 грн.
|
|
Стовпи з кремнієвих, дифузійних діодів, випрямляючі. Призначені для використання у високовольтних блоках джерел вторинного електроживлення з додатковою герметизацією. | 1.6 | — | — | — | DIP | — | 4kV | 50mA | — | Високовольтний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Діод КД221А
#11432
|
23550 | СНГ | 130 шт |
1 грн.
|
|
Діоди КД221А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 50 кГц. | 0.3 | — | — | — | DIP | КД-5А | 100V | 700mA | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема КМ155ЛА8
#759
|
21259 | СНГ | 129 шт |
6 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми КМ155ЛА8 являють собою 4 логічні елементи 2І-НЕ з відкритим колекторним виходом (елемент контролю). Містять 32 інтегральні елементи. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації КМ155ЛА8: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20189 | VISHAY | 129 шт |
7 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 220V | — | |||||||||||
Мікросхема К561ЛЕ6
#774
|
21400 | СНГ | 128 шт |
5 грн.
|
|
Два логічні елементи 4АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П306
#11879
|
24132 | СНГ | 128 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори П306 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 40шт. | 60В | 400мА | — | 25 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ЛА4
#12220
|
24598 | СНГ | 128 шт |
6 грн.
|
|
3 логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод SS510
#12761
|
25117 | GALAXY ELECTRICAL | 128 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | DO-214AB | 100V | 5A | — | Шотки | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Стабілітрон Д818В
#12245
|
24627 | СНГ | 126 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона Д818В: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,010%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР505РЕ3 0111
#14442
|
26654 | СНГ | 126 шт |
10 грн.
|
|
ПЗП (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 2V0
#4216
|
20217 | Rectron Semiconductor | 123 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 2.0V 0.5W (BZX55C 2V0) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2V0 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС222Ж
#10378
|
22385 | СНГ | 123 шт |
3 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, планарний, малої потужності. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 100шт. | — | — | — | — | 22V | kd2 | — | — |
