Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Напруга пробою Конструкція діода
24132 СНГ 128 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П306 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 40шт. 60В 400мА 25
24598 СНГ 128 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логічні елементи 3І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
25117 GALAXY ELECTRICAL 128 шт
3 грн.
100+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.3 SMD DO-214AB 100V 5A Шотки 2000шт. одиночний
24627 СНГ 126 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Основні технічні параметри стабілітрона Д818В: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,010%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 9V kd-8
26654 СНГ 126 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
ПЗП (512 х 8, р-МОП). 1.3 SO24 SMD Пам'ять 140шт.
25902 СНГ 125 шт
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
Основні технічні характеристики діода КД213А ОС: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 550 пФ при Uoбp 100 В 3.5 DIP КД-23 200V 10A Випрямний 50шт. одиночний
20217 Rectron Semiconductor 123 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 2.0V 0.5W (BZX55C 2V0) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 2V0 DO-35
22385 СНГ 123 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрон кремнієвий, планарний, малої потужності. 0.2 DIP 125мВт 100шт. 22V kd2
21697 СНГ 122 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Логічний елемент 8І-НЕ. 1.1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22322 СНГ 122 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Електронний номеронабирач із внутрішнім ОЗУ на 22 цифри для кнопкових телефонів з імпульсним набором номера. 2.1 DIP22 DIP Телефонія 100шт.
26634 СНГ 122 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Схема управління пристроями, що запам`ятовують (ЗУ). 3.2 DIP Інтерфейси 32шт.
22295 СНГ 121 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логічні елементи 3АБО-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22776 СНГ 121 шт
55 грн.
10+52,25 грн.
50+49,50 грн.
100+44 грн.
Призначення – диференціальна система для апаратури цифрової системи ІКМ-30-4. 2 DIP28 DIP Телефонія 25шт.
21880 СНГ 120 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Оперативний пристрій (ОЗУ) на 256 біт з управлінням. 1.1 DIP16 DIP Пам'ять 90шт.
26313 СНГ 120 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Формувач струмів, що втікають. 1.2 DIP16 DIP Логіка 90шт.
21911 СНГ 120 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Перетворювач логічних рівнів. 1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
26100 СНГ 120 шт
700 грн.
10+630 грн.
20+595 грн.
50+560 грн.
Фотоелектронний помножувач з електростатичною фокусуванням електронів для вимірювання гранично малих світлових потоків у широкій області спектру. Застосовується в астрономії, астрофізиці та при спектральному аналізі. Фотокатод - сурм`яно-натрієво-калієво-цезієвий. Оптичний вхід - торцевий. Діаметр робочої площі катода 6 мм. Число каскадів посилення 11. 200 1 шт.
22787 СНГ 119 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Кремнієвий, сплавний. 0.3 DIP D104 150V 50mA Випрямний 100шт. одиночний
20068 ICPLUS 118 шт
72 грн.
10+68,40 грн.
50+64,80 грн.
100+57,60 грн.
0.7 LQFP48 SMD Ethernet 250шт.
23502 СНГ 118 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 25
29108 DIOTEC SEMICONDUCTOR 118 шт
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.1 SMD SOD123 75V 250mA Швидкий 3000шт. одиночний
21233 СНГ 117 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Мікросхеми К155ИЕ1 є декадним лічильником з фазоімпульсним поданням інформації. Містить 105 інтегральних елементів. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
20187 VISHAY 117 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
30+6,30 грн.
50+5,60 грн.
DO201 1.1 DIP DO-201AD Захисний 1.5кВт 200шт. 6.8V
23365 Taychipst 117 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 18V
20971 AUK 116 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачати datasheet STK0260 pdf,477 КБ 2 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 600В 600мА 1.3Вт 50шт.
26549 СНГ 116 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Швидкий помножувач 2х4. 3 DIP24 DIP Логіка 36шт.
21425 СНГ 115 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Чотири логічні елементи 2І-НЕ з відкритим колекторним виходом. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
25893 СНГ 115 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Схема контролю парності. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10
29141 СНГ 115 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори МП102 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 45