Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
|
Транзистор П306
#11879
|
24132 | СНГ | 128 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори П306 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 10Вт | 40шт. | 60В | 400мА | — | 25 | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема К131ЛА4
#12220
|
24598 | СНГ | 128 шт |
6 грн.
|
|
3 логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Діод SS510
#12761
|
25117 | GALAXY ELECTRICAL | 128 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | DO-214AB | 100V | 5A | — | Шотки | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Стабілітрон Д818В
#12245
|
24627 | СНГ | 126 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона Д818В: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,010%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | — | ||||||||
|
Мікросхема КР505РЕ3 0111
#14442
|
26654 | СНГ | 126 шт |
10 грн.
|
|
ПЗП (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25902 | СНГ | 125 шт |
30 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД213А ОС: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 550 пФ при Uoбp 100 В | 3.5 | — | — | — | DIP | КД-23 | 200V | 10A | — | Випрямний | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Стабілітрон BZX55C 2V0
#4216
|
20217 | Rectron Semiconductor | 123 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 2.0V 0.5W (BZX55C 2V0) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2V0 | DO-35 | — | — | ||||||||
|
Стабілітрон КС222Ж
#10378
|
22385 | СНГ | 123 шт |
3 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, планарний, малої потужності. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 100шт. | — | — | — | — | 22V | kd2 | — | — | ||||||||
|
Мікросхема КМ555ЛА2
#9898
|
21697 | СНГ | 122 шт |
4 грн.
|
|
Логічний елемент 8І-НЕ. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема КМ1008ВЖ1
#10336
|
22322 | СНГ | 122 шт |
27 грн.
|
|
Електронний номеронабирач із внутрішнім ОЗУ на 22 цифри для кнопкових телефонів з імпульсним набором номера. | 2.1 | DIP22 | — | — | DIP | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема К145ІК11П
#14425
|
26634 | СНГ | 122 шт |
20 грн.
|
|
Схема управління пристроями, що запам`ятовують (ЗУ). | 3.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема К176ЛЕ10
#824
|
22295 | СНГ | 121 шт |
6 грн.
|
|
3 логічні елементи 3АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 22776 | СНГ | 121 шт |
55 грн.
|
|
Призначення – диференціальна система для апаратури цифрової системи ІКМ-30-4. | 2 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема К176РУ2
#828
|
21880 | СНГ | 120 шт |
6 грн.
|
|
Оперативний пристрій (ОЗУ) на 256 біт з управлінням. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема К170АА7
#5697
|
26313 | СНГ | 120 шт |
8 грн.
|
|
Формувач струмів, що втікають. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема К176ПУ3
#8382
|
21911 | СНГ | 120 шт |
6 грн.
|
|
Перетворювач логічних рівнів. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26100 | СНГ | 120 шт |
700 грн.
|
|
Фотоелектронний помножувач з електростатичною фокусуванням електронів для вимірювання гранично малих світлових потоків у широкій області спектру. Застосовується в астрономії, астрофізиці та при спектральному аналізі. Фотокатод - сурм`яно-натрієво-калієво-цезієвий. Оптичний вхід - торцевий. Діаметр робочої площі катода 6 мм. Число каскадів посилення 11. | 200 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Діод Д223Б
#8892
|
22787 | СНГ | 119 шт |
3 грн.
|
|
Кремнієвий, сплавний. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 150V | 50mA | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
|
Мікросхема IP113C LF
#4129
|
20068 | ICPLUS | 118 шт |
72 грн.
|
|
0.7 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор МП111
#11391
|
23502 | СНГ | 118 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 0,5МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||
|
Діод 1N4448WS-7-F
#16861
|
29108 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 118 шт |
1,50 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | SOD123 | 75V | 250mA | — | Швидкий | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Мікросхема К155ИЕ1
#4070
|
21233 | СНГ | 117 шт |
8 грн.
|
|
Мікросхеми К155ИЕ1 є декадним лічильником з фазоімпульсним поданням інформації. Містить 105 інтегральних елементів. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20187 | VISHAY | 117 шт |
7 грн.
|
|
DO201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 6.8V | — | |||||||||
| 23365 | Taychipst | 117 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 18V | — | ||||||||||
|
STK0260
#4379
|
20971 | AUK | 116 шт |
12 грн.
|
|
скачати datasheet STK0260 pdf,477 КБ | 2 | — | TO220F | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 600В | 600мА | 1.3Вт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26549 | СНГ | 116 шт |
10 грн.
|
|
Швидкий помножувач 2х4. | 3 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема К555ЛА9
#899
|
21425 | СНГ | 115 шт |
6 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І-НЕ з відкритим колекторним виходом. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25893 | СНГ | 115 шт |
6 грн.
|
|
Схема контролю парності. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор П216Б
#14715
|
26933 | СНГ | 115 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 10 | — | — | — | — | ||||||||
|
Транзистор МП102
#16894
|
29141 | СНГ | 115 шт |
7 грн.
|
|
Транзистори МП102 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 45 | — | — | — | — |