Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема К176ЛП12
#832
|
21671 | СНГ | 109 шт |
6 грн.
|
|
2 логічних елементи 4І-НЕ та логічний елемент НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21337 | СНГ | 109 шт |
8 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155ЛИ5 є 2 логічних елементи 2І з потужним відкритим колекторним виходом. Містять 20 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Тиристор КУ102Г
#13691
|
25851 | СНГ | 109 шт |
20 грн.
|
Тиристори кремнієві КУ102Г, дифузійні, структури pnpn, тріодні, що замикаються. Призначені для застосування як перемикаючі елементи малої потужності. Основні технічні параметри тиристора КУ102Г: • Максимальна постійна зворотна напруга: 5 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 5 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 0,05 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: не менше 0,2 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Замикаючий імпульсний струм управління: 20 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 12 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 200 В/мкс; • Час увімкнення: 5 мкс; • Час вимкнення: 20 мкс. • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 1.2 | — | — | — | DIP | — | 200V | — | 5A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2SC2655Y
#2172
|
22529 | TOSHIBA | 108 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 900мВт | 200шт. | 50В | 2А | 100МГц | 240 | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К564ЛЕ10 (нік.)
#10396
|
22405 | СНГ | 107 шт |
8 грн.
|
|
Три тривхідні елементи АБО-НЕ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 3V0
#4186
|
20201 | Rectron Semiconductor | 106 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 3.0V 0.5W (BZX55C 3V0) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 3V0 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Діод Д101А
#16152
|
28393 | СНГ | 106 шт |
3 грн.
|
|
Діоди Д101А кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 75V | 30mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 20169 | VISHAY | 105 шт |
7 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 56V | — | |||||||||||
| 20196 | VISHAY | 105 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 250V | — | |||||||||||
| 21186 | ST MICROELECTRONICS | 105 шт |
41 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема К145ХК3П
#14431
|
26640 | СНГ | 105 шт |
20 грн.
|
|
Влаштування введення. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23868 | СНГ | 104 шт |
22 грн.
|
|
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. | 2 | — | — | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP x2 | 20мВт | 200шт. | 15В | 20мА | 500МГц | 140 | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ807А
#14151
|
26345 | СНГ | 104 шт |
8 грн.
|
|
Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. | 2.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 10Вт | 20шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||||
| 26552 | СНГ | 104 шт |
6 грн.
|
|
Два JK-тригтери з входами установки та скидання | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К174АФ4А
#784
|
21964 | СНГ | 103 шт |
15 грн.
|
|
Мікросхема К174АФ4А призначена для отримання RGB колірних сигналів з двох кольорових і яскравого сигналів, а також сигналу для регулювання насиченості. Основне функціональне призначення; регулювання кольорової насиченості, формування сигналів R, G, У телевізійних приймачах кольорового зображення спільно з мікросхемами К174УП1 і К174ХА1. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К511ПУ1
#844
|
24928 | СНГ | 103 шт |
6 грн.
|
|
Перетворювач високого рівня в низький: два логічні елементи 2І-НЕ і два логічні елементи НЕ з розширенням І. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 15V
#4204
|
20218 | Rectron Semiconductor | 103 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 15V 0.5W (BZX55C 15V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 15V | DO-35 | — | — | ||||||||||
| 25698 | СНГ | 103 шт |
8 грн.
|
|
16-розрядна схема контролю за кодом Хеммінгу. | 2.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К561ИР6
#10796
|
22985 | СНГ | 102 шт |
12 грн.
|
|
Восьмирозрядний зсувний регістр. | 2.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема 589ИР12
#14489
|
26704 | СНГ | 102 шт |
30 грн.
|
|
5 Приймання. Багаторежимний буферний регістр і призначений для підключення різних зовнішніх пристроїв мікропроцесорного обчислювального пристрою за допомогою єдиної магістралі даних. | 3.7 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ІК1
#4057
|
22195 | СНГ | 101 шт |
6 грн.
|
|
Будований мажоритарно-мультиплексорний елемент. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21838 | СНГ | 101 шт |
10 грн.
|
|
Стабілізатор напруги 15В; 1,0А Корпус: КТ28-2 (TO220) | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод Д226Б
#8878
|
25873 | СНГ | 100 шт |
5 грн.
|
|
Діоди Д226Б кремнієві, сплавні. Основні технічні характеристики діода Д226Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 300 В. | 1 | — | — | — | DIP | КД-8 | 400V | 300mA | — | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Діод Д226Д
#8879
|
22960 | СНГ | 100 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода Д226Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 100 В | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 100V | 300mA | — | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема К564ТР2 (нік.)
#10437
|
22449 | СНГ | 100 шт |
23 грн.
|
|
Чотири RS-тригери (асинхронні) з третім станом на вході. | 0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор TN6714A
#10492
|
22537 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 100 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 1Вт | 1000шт. | 30В | 1А | — | 250 | — | — | — | — | |||||||||||
| 23360 | Taychipst | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 11V | — | ||||||||||||
| 23383 | Taychipst | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 68V | — | ||||||||||||
| 23386 | Taychipst | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 91V | — | ||||||||||||
Мікросхема КР145ІП16Б
#14443
|
26655 | СНГ | 100 шт |
20 грн.
|
|
Схема, що реалізує набір математичних операцій для мікрокалькулятора. | 4.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
