Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор 2SB892
#2376
|
22523 | SANYO | 114 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 1Вт | 200шт. | 60В | 2А | 150МГц | 560 | — | — | — | — | |||||||||||
Варикап КВ109Б
#11393
|
23504 | — | 113 шт |
2,50 грн.
|
Ємність номінальна при зворотній напрузі 25 V 2.15 pF Місткість мінімальна при зворотній напрузі 25 V 2 pF Максимальна ємність при зворотній напрузі 25 V 2.3 pF Добротність при частоті 50 MHz, зворотній напрузі 3 V 300 Коефіцієнт перекриття по ємності при напрузі 3...25 V 4.5...6.5 Зворотний струм при зворотній напрузі 28 V 0.5 μA | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема КР572ПВ1
#695
|
22306 | СНГ | 112 шт |
20 грн.
|
|
12-розрядний аналого-цифровий перетворювач послідовного наближення. | 7 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2SA970
#2368
|
22510 | TOSHIBA | 112 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 200шт. | 120В | 100мА | 100МГц | 375 | — | — | — | — | |||||||||||
Діод 1N5399
#1004
|
20133 | MIC | 111 шт |
1 грн.
|
|
Максимальна постійна зворотна напруга, В1000 Максимальний прямий (випрямлений за напівперіод) струм А1.5 Корпус DO15 Робоча температура, С-65 ... 150 | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 1000V | 1A | — | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 20184 | VISHAY | 111 шт |
8 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 20V | — | |||||||||||
Транзистор 2SB764
#10484
|
22527 | TOSHIBA | 111 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 900мВт | 200шт. | 60В | 1А | 150МГц | 320 | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К511ЛА4
#847
|
21426 | СНГ | 110 шт |
6 грн.
|
|
Два логічні елементи 4І-НЕ з розширенням І. | 1.5 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П210Б
#12950
|
25221 | СНГ | 110 шт |
60 грн.
|
|
П210Б Транзистори П210Б германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – Максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А. • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10 | 34 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 45Вт | 10 шт. | 65В | 12А | — | 10 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К176ЛП12
#832
|
21671 | СНГ | 109 шт |
6 грн.
|
|
2 логічних елементи 4І-НЕ та логічний елемент НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21337 | СНГ | 109 шт |
8 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155ЛИ5 є 2 логічних елементи 2І з потужним відкритим колекторним виходом. Містять 20 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Тиристор КУ102Г
#13691
|
25851 | СНГ | 109 шт |
20 грн.
|
Тиристори кремнієві КУ102Г, дифузійні, структури pnpn, тріодні, що замикаються. Призначені для застосування як перемикаючі елементи малої потужності. Основні технічні параметри тиристора КУ102Г: • Максимальна постійна зворотна напруга: 5 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 5 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 0,05 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: не менше 0,2 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Замикаючий імпульсний струм управління: 20 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 12 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 200 В/мкс; • Час увімкнення: 5 мкс; • Час вимкнення: 20 мкс. • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 1.2 | — | — | — | DIP | — | 200V | — | 5A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2SC2655Y
#2172
|
22529 | TOSHIBA | 108 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 900мВт | 200шт. | 50В | 2А | 100МГц | 240 | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К564ЛЕ10 (нік.)
#10396
|
22405 | СНГ | 107 шт |
8 грн.
|
|
Три тривхідні елементи АБО-НЕ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 3V0
#4186
|
20201 | Rectron Semiconductor | 106 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 3.0V 0.5W (BZX55C 3V0) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 3V0 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Діод Д101А
#16152
|
28393 | СНГ | 106 шт |
3 грн.
|
|
Діоди Д101А кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 75V | 30mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 20196 | VISHAY | 105 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 250V | — | |||||||||||
| 20198 | VISHAY | 105 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 440V | — | |||||||||||
| 21186 | ST MICROELECTRONICS | 105 шт |
41 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема К145ХК3П
#14431
|
26640 | СНГ | 105 шт |
20 грн.
|
|
Влаштування введення. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23868 | СНГ | 104 шт |
22 грн.
|
|
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. | 2 | — | — | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP x2 | 20мВт | 200шт. | 15В | 20мА | 500МГц | 140 | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ807А
#14151
|
26345 | СНГ | 104 шт |
8 грн.
|
|
Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. | 2.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 10Вт | 20шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||||
| 26552 | СНГ | 104 шт |
6 грн.
|
|
Два JK-тригтери з входами установки та скидання | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К174АФ4А
#784
|
21964 | СНГ | 103 шт |
15 грн.
|
|
Мікросхема К174АФ4А призначена для отримання RGB колірних сигналів з двох кольорових і яскравого сигналів, а також сигналу для регулювання насиченості. Основне функціональне призначення; регулювання кольорової насиченості, формування сигналів R, G, У телевізійних приймачах кольорового зображення спільно з мікросхемами К174УП1 і К174ХА1. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К511ПУ1
#844
|
24928 | СНГ | 103 шт |
6 грн.
|
|
Перетворювач високого рівня в низький: два логічні елементи 2І-НЕ і два логічні елементи НЕ з розширенням І. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 15V
#4204
|
20218 | Rectron Semiconductor | 103 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 15V 0.5W (BZX55C 15V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 15V | DO-35 | — | — | ||||||||||
| 25698 | СНГ | 103 шт |
8 грн.
|
|
16-розрядна схема контролю за кодом Хеммінгу. | 2.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К561ИР6
#10796
|
22985 | СНГ | 102 шт |
12 грн.
|
|
Восьмирозрядний зсувний регістр. | 2.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема 589ИР12
#14489
|
26704 | СНГ | 102 шт |
30 грн.
|
|
5 Приймання. Багаторежимний буферний регістр і призначений для підключення різних зовнішніх пристроїв мікропроцесорного обчислювального пристрою за допомогою єдиної магістралі даних. | 3.7 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ІК1
#4057
|
22195 | СНГ | 101 шт |
6 грн.
|
|
Будований мажоритарно-мультиплексорний елемент. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
