Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор МП10
#13698
|
25858 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 10...30; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Діод 1N4448WS-7-F
#16861
|
29108 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,50 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | SOD123 | 75V | 250mA | — | Швидкий | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Транзистор YGW40N65F1
#17177
|
29427 | luxin-semi | 98 шт |
95 грн.
|
|
6.5 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 188Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 20167 | VISHAY | 97 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 75V | — | |||||||||
| 23388 | VISHAY | 97 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||
| 20181 | VISHAY | 96 шт |
4 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 51V | — | |||||||||
| 25881 | Taychipst | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 82V | — | ||||||||||
| 23390 | VISHAY | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 150V | — | ||||||||||
Мікросхема КР559ИП2
#887
|
21320 | СНГ | 95 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхема призначена для обміну інформацією між пристроями та блоками систем та передачі даних на периферійні пристрої, пристрої відображення та індикації, для інтерфейсів, виготовлених за біполярною технологією (ТТЛШ). Мікросхема КР559ІП2 являє собою чотири магістральні приймачі. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ555КП15
#4061
|
22014 | СНГ | 95 шт |
10 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми КМ555КП15 являють собою восьмиходовий селектор-мультиплексор з трьома стійкими станами. Містять 148 інтегральних елементів. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20198 | VISHAY | 95 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 440V | — | |||||||||
Мікросхема І1533ЛЕ1
#9814
|
21397 | СНГ | 95 шт |
21 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2АБО-НЕ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23384 | Taychipst | 95 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 75V | — | ||||||||||
| 23387 | VISHAY | 95 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||
| 26556 | СНГ | 95 шт |
6 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І-НЕ з високою здатністю навантаження. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диод MUR4100ERLG
#17234
|
29487 | ON SEMICONDUCTOR | 95 шт |
20 грн.
|
|
1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 1000V | 4А | — | Швидкий | — | — | — | — | 1500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Транзистор КТ807Б
#11375
|
23486 | СНГ | 94 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. | 2.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||
| 20160 | MIC | 93 шт |
10 грн.
|
|
1.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 2A | — | Швидкий | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема TNY279GN
#13666
|
25834 | Power Integrations | 93 шт |
36 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К155РЕ23
#958
|
21288 | СНГ | 92 шт |
10 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155РЕ23 являють собою постійний пристрій (ПЗУ) ємністю 1024 біт (з організацією 256x4) з використанням як перетворювач двійкового коду код арифметичних знаків і цифр. Містить 1620 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-2, маса трохи більше 2 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155РЕ23: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К155РЕ24
#959
|
21287 | СНГ | 92 шт |
10 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155РЕ24 являють собою постійний пристрій (ПЗУ) ємністю 1024 біт (з організацією 256 х 4) з використанням як перетворювач двійкового коду в код додаткових знаків. Містить 1620 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-2, маса трохи більше 2 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155РЕ24: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 88E3083-LKJ1
#4144
|
20636 | MARVELL | 92 шт |
290 грн.
|
|
3 | QFP128 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | — | — | — | 72шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діодний міст W10M
#10481
|
22520 | SEP | 92 шт |
4 грн.
|
|
0.9 | — | — | — | DIP | — | 1000V | 1A | — | Діодний міст | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон BZX55C 30V
#4210
|
20220 | Rectron Semiconductor | 91 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 30V 0.5W (BZX55C 30V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 30V | DO-35 | — | — | ||||||||
Мікросхема DS1307Z
#4689
|
20874 | DALLAS | 91 шт |
22 грн.
|
|
0.3 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | Таймери | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К500ПУ124
#8434
|
22131 | СНГ | 91 шт |
10 грн.
|
|
Перетворювач рівня. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 589ИК01
#9834
|
21440 | СНГ | 91 шт |
28 грн.
|
|
Блок мікропрограмного керування. | 6.5 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 28988 | INFINEON TECHNOLOGIES | 91 шт |
42 грн.
|
|
0.1 | — | TDSON-8 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канал x2 | 100В | 16А | 29Вт | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема 217ЛБ3А
#10389
|
22398 | СНГ | 90 шт |
12 грн.
|
|
Логічний елемент 6І-НЕ з підвищеним коефіцієнтом розгалуження. | 1.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23381 | Taychipst | 90 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 51V | — |
