Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
| 21838 | СНГ | 101 шт |
10 грн.
|
|
Стабілізатор напруги 15В; 1,0А Корпус: КТ28-2 (TO220) | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Діод Д226Б
#8878
|
25873 | СНГ | 100 шт |
5 грн.
|
|
Діоди Д226Б кремнієві, сплавні. Основні технічні характеристики діода Д226Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 300 В. | 1 | — | — | — | DIP | КД-8 | 400V | 300mA | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
|
Діод Д226Д
#8879
|
22960 | СНГ | 100 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода Д226Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 100 В | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 100V | 300mA | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
|
Мікросхема К564ТР2 (нік.)
#10437
|
22449 | СНГ | 100 шт |
23 грн.
|
|
Чотири RS-тригери (асинхронні) з третім станом на вході. | 0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор TN6714A
#10492
|
22537 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 100 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | — | TO92L | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 1Вт | 1000шт. | 30В | 1А | — | 250 | — | — | |||||||||||
| 23360 | Taychipst | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 11V | — | ||||||||||||
| 23383 | Taychipst | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 68V | — | ||||||||||||
| 23385 | VISHAY | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 82V | — | ||||||||||||
| 23386 | Taychipst | 100 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 91V | — | ||||||||||||
|
Мікросхема КР145ІП16Б
#14443
|
26655 | СНГ | 100 шт |
20 грн.
|
|
Схема, що реалізує набір математичних операцій для мікрокалькулятора. | 4.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Симистор BTA140-800
#5627
|
21140 | NXP | 99 шт |
26 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 25A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21648 | TEXAS INSTRUMENTS | 99 шт |
17 грн.
|
|
0.7 | SO20 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | 38шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Мікросхема TNY275GN
#13662
|
25828 | Power Integrations | 99 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 99 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 40; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,25 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | — | — | ||||||||||
| 24599 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. | 2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 20В | 120мА | 120МГц | 120 | — | — | |||||||||||
|
Мікросхема КМ555ІР15
#9763
|
21285 | СНГ | 98 шт |
6 грн.
|
|
Регістр чотирирозрядний з буферною шиною та трьома станами виходів. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор 2N5962
#10480
|
22514 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,20 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 625мВт | 1000шт. | 45В | 100мА | — | 1400 | — | — | |||||||||||
| 23394 | BL Galaxy Electrical | 98 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 250V | — | ||||||||||||
|
Транзистор МП10
#13698
|
25858 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 10...30; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор YGW40N65F1
#17177
|
29427 | luxin-semi | 98 шт |
95 грн.
|
|
6.5 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | 188Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | |||||||||||
| 20167 | VISHAY | 97 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 75V | — | |||||||||||
| 21679 | СНГ | 97 шт |
6 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23380 | Taychipst | 97 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 43V | — | ||||||||||||
| 23388 | VISHAY | 97 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||||
|
Транзистор КТ807Б
#11375
|
23486 | СНГ | 97 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. | 2.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 10Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 100 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор МП42А
#12255
|
24637 | СНГ | 97 шт |
6 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 20 Ом. | 1.6 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 50 | — | — | ||||||||||
| 20181 | VISHAY | 96 шт |
4 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 51V | — | |||||||||||
| 23374 | Taychipst | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 30V | — | ||||||||||||
| 25881 | Taychipst | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 82V | — | ||||||||||||
| 23390 | VISHAY | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 150V | — |