Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Симистор BTA140-800
#5627
|
21140 | NXP | 99 шт |
26 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 25A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21648 | TEXAS INSTRUMENTS | 99 шт |
17 грн.
|
|
0.7 | SO20 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | 38шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема TNY275GN
#13662
|
25828 | Power Integrations | 99 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 24599 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. | 2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 20В | 120мА | 120МГц | 120 | — | — | |||||||||||
Мікросхема КМ555ІР15
#9763
|
21285 | СНГ | 98 шт |
6 грн.
|
|
Регістр чотирирозрядний з буферною шиною та трьома станами виходів. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2N5962
#10480
|
22514 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,20 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 625мВт | 1000шт. | 45В | 100мА | — | 1400 | — | — | |||||||||||
| 23394 | BL Galaxy Electrical | 98 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 250V | — | ||||||||||||
Транзистор МП10
#13698
|
25858 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 10...30; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | — | — | ||||||||||
Діод 1N4448WS-7-F
#16861
|
29108 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,50 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | SOD123 | 75V | 250mA | — | Швидкий | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Транзистор YGW40N65F1
#17177
|
29427 | luxin-semi | 98 шт |
95 грн.
|
|
6.5 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | 188Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | — | — | |||||||||||
| 20167 | VISHAY | 97 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 75V | — | |||||||||||
| 23388 | VISHAY | 97 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||||
| 20181 | VISHAY | 96 шт |
4 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 51V | — | |||||||||||
| 23374 | Taychipst | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 30V | — | ||||||||||||
| 25881 | Taychipst | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 82V | — | ||||||||||||
| 23390 | VISHAY | 96 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 150V | — | ||||||||||||
Мікросхема КМ555КП15
#4061
|
22014 | СНГ | 95 шт |
5 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми КМ555КП15 являють собою восьмиходовий селектор-мультиплексор з трьома стійкими станами. Містять 148 інтегральних елементів. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20198 | VISHAY | 95 шт |
9 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 440V | — | |||||||||||
Мікросхема І1533ЛЕ1
#9814
|
21397 | СНГ | 95 шт |
21 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2АБО-НЕ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23384 | Taychipst | 95 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 75V | — | ||||||||||||
| 23387 | VISHAY | 95 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 100V | — | ||||||||||||
| 26556 | СНГ | 95 шт |
6 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І-НЕ з високою здатністю навантаження. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Диод MUR4100ERLG
#17234
|
29487 | ON SEMICONDUCTOR | 95 шт |
20 грн.
|
|
1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 1000V | 4А | — | Швидкий | — | — | 1500шт. | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Транзистор КТ807Б
#11375
|
23486 | СНГ | 94 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. | 2.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 10Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 100 | — | — | ||||||||||
| 20160 | MIC | 93 шт |
10 грн.
|
|
1.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 2A | — | Швидкий | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||||
Мікросхема TNY279GN
#13666
|
25834 | Power Integrations | 93 шт |
36 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К155РЕ23
#958
|
21288 | СНГ | 92 шт |
6 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155РЕ23 являють собою постійний пристрій (ПЗУ) ємністю 1024 біт (з організацією 256x4) з використанням як перетворювач двійкового коду код арифметичних знаків і цифр. Містить 1620 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-2, маса трохи більше 2 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155РЕ23: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К155РЕ24
#959
|
21287 | СНГ | 92 шт |
8 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155РЕ24 являють собою постійний пристрій (ПЗУ) ємністю 1024 біт (з організацією 256 х 4) з використанням як перетворювач двійкового коду в код додаткових знаків. Містить 1620 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-2, маса трохи більше 2 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155РЕ24: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема TL494IN
#3267
|
21122 | TEXAS INSTRUMENTS | 92 шт |
20 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема 88E3083-LKJ1
#4144
|
20636 | MARVELL | 92 шт |
290 грн.
|
|
3 | QFP128 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | — | 72шт. | — | — | — | — | — | — |
