Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга пробою Конструкція діода
21838 СНГ 101 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Стабілізатор напруги 15В; 1,0А Корпус: КТ28-2 (TO220) 2.5 TO-220 DIP живлення 200шт.
25873 СНГ 100 шт
5 грн.
50+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
Діоди Д226Б кремнієві, сплавні. Основні технічні характеристики діода Д226Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 300 В. 1 DIP КД-8 400V 300mA Випрямний 200шт. одиночний
22960 СНГ 100 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Основні технічні характеристики діода Д226Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 100 В 2 DIP КД-8 100V 300mA Випрямний 200шт. одиночний
22449 СНГ 100 шт
23 грн.
10+21,85 грн.
50+20,70 грн.
100+18,40 грн.
Чотири RS-тригери (асинхронні) з третім станом на вході. 0.7 SO16 SMD Логіка 100шт.
22537 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 100 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.5 TO92L Біполярний DIP NPN 1Вт 1000шт. 30В 250
23360 Taychipst 100 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 11V
23383 Taychipst 100 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 68V
23385 VISHAY 100 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 82V
23386 Taychipst 100 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 91V
26655 СНГ 100 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Схема, що реалізує набір математичних операцій для мікрокалькулятора. 4.2 SMD Мікроконтролери 70шт.
21140 NXP 99 шт
26 грн.
10+23,40 грн.
50+20,80 грн.
2.8 DIP TO-220 800V 25A 50шт.
21648 TEXAS INSTRUMENTS 99 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.7 SO20 SMD Логіка 38шт.
25828 Power Integrations 99 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
0.5 SMD-8B SMD живлення 50шт.
26929 СНГ 99 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 40; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 30В 0,15МГц 40
24599 СНГ 98 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 2 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 20В 120мА 120МГц 120
21285 СНГ 98 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Регістр чотирирозрядний з буферною шиною та трьома станами виходів. 1.1 DIP16 DIP Логіка 100шт.
22514 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 98 шт
1,20 грн.
10+1,14 грн.
50+1,08 грн.
100+0,96 грн.
500+0,84 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 625мВт 1000шт. 45В 100мА 1400
23394 BL Galaxy Electrical 98 шт
3,50 грн.
10+3,32 грн.
30+3,15 грн.
50+2,80 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 250V
25858 СНГ 98 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 10...30; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
29427 luxin-semi 98 шт
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP 188Вт 30шт. 650В 40А
20167 VISHAY 97 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
30+4,50 грн.
50+4 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Захисний 1.5кВт 200шт. 75V
21679 СНГ 97 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Чотири логічні елементи 2І. 1.1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
23380 Taychipst 97 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 43V
23388 VISHAY 97 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 100V
23486 СНГ 97 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. 2.5 Біполярний DIP NPN 10Вт 100шт. 100В 500мА 5МГц 100
24637 СНГ 97 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Основні технічні характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 20 Ом. 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 50
20181 VISHAY 96 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
DO-201 1.1 DIP DO-201AD Захисний 1.5кВт 200шт. 51V
23374 Taychipst 96 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 30V
25881 Taychipst 96 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 82V
23390 VISHAY 96 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 150V