Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
| 21028 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 89 шт |
38 грн.
|
|
2.8 | TO220F-4 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Мікросхема КР580ВИ53
#7450
|
21688 | СНГ | 89 шт |
18 грн.
|
|
Триканальний програмований пристрій тимчасових інтервалів (таймер), призначений для роботи мікропроцесорних систем в режимі реального часу. Реалізовані у вигляді трьох незалежних 16-розрядних каналів із загальною схемою управління. | 3.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Таймери | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор 2N2222A
#9670
|
20876 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 89 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 625мВт | 1000шт. | 40В | 600мА | 300МГц | 100 | — | — | — | — | |||||||||||
| 22313 | TOSHIBA | 89 шт |
16 грн.
|
|
1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Діод 2Д202Ж (=КД202Ж)
#12225
|
24604 | СНГ | 89 шт |
9 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода 2Д202Ж: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 300 В. | 5 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 210V | 5A | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
|
Мікросхема К170АА3
#14138
|
26324 | СНГ | 89 шт |
6 грн.
|
|
Формувач струму на 0,5 А. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема TNY279PN
#3281
|
20929 | Power Integrations | 88 шт |
36 грн.
|
|
0.5 | DIP-8B | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Мікросхема КР1435УД2
#10337
|
22324 | СНГ | 88 шт |
11 грн.
|
|
Чотирьох операційний підсилювач середньої точності, з внутрішньою частотною корекцією. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема К145КТ2
#13593
|
25745 | СНГ | 88 шт |
12 грн.
|
|
6-канальний струмовий (тактовий) ключ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 29115 | HANSCHIP semiconductor | 88 шт |
14 грн.
|
|
0.25 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 29426 | CR MICRO | 88 шт |
112 грн.
|
|
6.5 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | 403Вт | 25шт. | 600В | 60А | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Мікросхема К155ЛА6
#4066
|
21256 | СНГ | 87 шт |
10 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155ЛА6 є 2 логічних елементи 4І-НЕ з великим коефіцієнтом розгалуження по виходу. Містять 34 інтегральні елементи. Корпус типу 201.14-1, маса трохи більше 1 р. Гранично допустимі режими експлуатації К155ЛА6: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22112 | СНГ | 87 шт |
6 грн.
|
|
Шестирозрядний регістр із паралельним входом. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21679 | СНГ | 87 шт |
6 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23380 | Taychipst | 87 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 43V | — | ||||||||||||
| 23399 | VISHAY | 87 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 440V | — | ||||||||||||
|
Мікросхема К176ИЕ3
#830
|
21321 | СНГ | 86 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхема К176ІЕ3 є лічильник по модулю 6 з дешифратором для виведення інформації на семисегментний індикатор. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема TNY254PN
#3271
|
25817 | Power Integrations | 86 шт |
31 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Тиристор BT151-800R
#8977
|
20542 | NXP | 86 шт |
18 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 7.5A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23378 | Taychipst | 86 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 36V | — | ||||||||||||
|
Стабілітрон Д818В
#12245
|
24627 | СНГ | 86 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона Д818В: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,010%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | — | ||||||||||
| 26512 | СНГ | 86 шт |
14 грн.
|
|
Схема пріоритетного переривання. | 4 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор КТ818В
#10791
|
22980 | СНГ | 85 шт |
18 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 60Вт | 100шт. | 70В | 10А | 3МГц | 15 | — | — | — | — | ||||||||||
| 23370 | Taychipst | 85 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 22V | — | ||||||||||||
| 29400 | TEXAS INSTRUMENTS | 85 шт |
117 грн.
|
|
0.06 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 20657 | TEXAS INSTRUMENTS | 84 шт |
11 грн.
|
|
0.5 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Мікросхема TL494IN
#3267
|
21122 | TEXAS INSTRUMENTS | 84 шт |
20 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Оптопара PS2501L smd
#4084
|
22739 | NEC | 84 шт |
12 грн.
|
|
0.3 | SO4 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Діодний міст KBPC5010
#9022
|
20572 | SEP | 84 шт |
40 грн.
|
|
1000V;50A | 17.5 | — | — | — | DIP | — | 1000V | 50A | — | Діодний міст | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 29428 | luxin-semi | 84 шт |
118 грн.
|
|
6.5 | — | TO247 | IGBT | — | — | — | — | — | — | — | 312Вт | 30шт. | 650В | 60А | — | — | — | — | — | — |