Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
| 22171 | СНГ | 83 шт |
8 грн.
|
|
Формувач номера каналу на екрані ТВ-приймача. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема TL494CN
#3265
|
21183 | TEXAS INSTRUMENTS | 83 шт |
15 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23377 | Taychipst | 83 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 36V | — | ||||||||||
Оптопара ОЭП-12
#13952
|
26132 | СНГ | 83 шт |
25 грн.
|
|
ОЭП-12 Оптопари резисторні. Призначені для ключових та аналогових пристроїв. Випромінювач оптопари є лампою розжарювання, приймач фоторезистор на основі селенистого кадмію. | 2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 84шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3107К
#6836
|
22261 | СНГ | 82 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | — | — | — | — | |||||||||
Тиристор BT151-650R
#9665
|
21478 | NXP | 82 шт |
15 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 650V | 7.5A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон КС409А
#10108
|
21847 | СНГ | 82 шт |
4 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, пленарний, середньої потужності. Призначений для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 1...48 мА. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 200шт. | — | — | — | — | 5V6 | kd2 | — | — | ||||||||
| 26317 | СНГ | 82 шт |
6 грн.
|
|
Шестирозрядний регістр із паралельним входом. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П417
#16885
|
29132 | СНГ | 82 шт |
10 грн.
|
|
Германієві дифузійні високочастотні (200 МГц) pnp транзистори малої потужності. | 1.8 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 200МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К155ЛП7
#991
|
22122 | СНГ | 81 шт |
10 грн.
|
|
2 логічні елементи 2І-НЕ із загальним входом та двома потужними транзисторами. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод КД503А
#12082
|
24370 | СНГ | 81 шт |
2 грн.
|
|
Призначені для застосування як перемикаючі елементи в імпульсних швидкодіючих пристроях наносекундного діапазону. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. | 0.25 | — | — | — | DIP | КД-121 | 30V | 20mA | — | — | Імпульсний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема IP1001 LF
#12584
|
24921 | IC Plus | 81 шт |
67 грн.
|
|
0.4 | QFN64 | — | — | SMD | — | — | — | — | Ethernet | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема CD4024BM
#9661
|
20862 | TEXAS INSTRUMENTS | 80 шт |
7 грн.
|
|
0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23397 | VISHAY | 80 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 350V | — | ||||||||||
Транзистор КТ313А1
#11374
|
23485 | СНГ | 80 шт |
3 грн.
|
|
Транзистори кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 1000шт. | 50В | 350мА | 200МГц | 120 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема ЕА1533ІР23
#11454
|
23584 | СНГ | 80 шт |
64 грн.
|
|
8-розрядний регістр на D-тригерах із динамічним входом. | 0.6 | SO20 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 75шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема MAX3232CSE+
#13557
|
25691 | Maxim Integrated | 80 шт |
29 грн.
|
|
0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ503Б
#11437
|
23564 | СНГ | 79 шт |
5 грн.
|
|
Транзистори КТ503Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | ||||||||
| 20155 | VISHAY | 78 шт |
6,80 грн.
|
|
1.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 400V | 3.0A | — | — | Швидкий | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 24599 | СНГ | 78 шт |
8 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. | 2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 20В | 120мА | 120МГц | 120 | — | — | — | — | |||||||||
| 20724 | ST MICROELECTRONICS | 78 шт |
12 грн.
|
|
Стабілізатор 5V/1,5A | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23376 | Taychipst | 78 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 33V | — | ||||||||||
| 24033 | СНГ | 78 шт |
334 грн.
|
|
Диференціальний підсилювач формування групового сигналу. | 5.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР1008ВЖ6
#14334
|
26541 | СНГ | 78 шт |
36 грн.
|
|
Мікросхема КР1008ВЖ6 - призначена для прийому, обробки та запам`ятовування інформації з клавіатури, створення керуючих імпульсів для телефонних апаратів з кнопковим номеронабирачем та тональним чи імпульсним способом набору номера. | 2 | DIP22 | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 62шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26555 | СНГ | 78 шт |
8 грн.
|
|
4-розрядний зсувний регістр. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К176ИЕ8
#837
|
21322 | СНГ | 77 шт |
8 грн.
|
|
Десятковий лічильник із дешифратором. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод КД411АМ
#3414
|
22961 | СНГ | 77 шт |
4 грн.
|
|
Діод кремнієвий, дифузійний, швидкодіючий. | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 700V | 2A | — | — | Швидкий | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема 1533КП11А (нік.)
#11472
|
23604 | СНГ | 77 шт |
95 грн.
|
|
Чотирирозрядний селектор 2-1 із трьома стійкими станами, без інверсії вхідної інформації. | 0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод 2Д201В (=КД201В)
#12956
|
25227 | СНГ | 77 шт |
30 грн.
|
|
Діоди 2Д201В кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. | 13 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 200V | 5A | 15A | — | Випрямний | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Транзистор КТ626А
#16467
|
28714 | СНГ | 77 шт |
10 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора КТ626А: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 75 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (30В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...260; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 150 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 500 пс. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 6Вт | 500шт. | 45В | 500мА | 70МГц | 40 | — | — | — | — |
