Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Діод КД105Б (тип2)
#9889
|
21674 | СНГ | 6804 шт |
1 грн.
|
|
Діоди кремнієві, дифузійні. Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | 400V | 300mA | — | — | Випрямний | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Стабілітрон КС413Б
#9797
|
21368 | СНГ | 6576 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон КС413Б кремнієвий дифузійно-планарний, призначений для стабілізації та обмеження напруги. Кліматичне виконання - В, категорія розміщення - 3 Тип корпусу: КД-2 Маса приладів трохи більше 0,15 р. Технічні умови: аА0.336.773 ТУ. Основні технічні параметри стабілітрону КС413Б: • Номінальна напруга стабілізації: 4,3; • Розкид напруги стабілізації: 4,1...4,5 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,01 -0,05 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 20 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 70 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,34 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 200шт. | — | — | — | — | 4V3 | DO-35 | — | — | ||||||||||
| 21207 | СНГ | 6342 шт |
10 грн.
|
|
Здвоєний (двоканальний) операційний підсилювач середньої точності з внутрішньою частотною корекцією та захистом входу від короткого замикання. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К555ЛА2
#675
|
21694 | СНГ | 6273 шт |
5 грн.
|
|
Логічний елемент 8І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 2Д202Р (=КД202Р)
#10770
|
22840 | СНГ | 6249 шт |
10 грн.
|
|
Діоди 2Д202Р кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип діода та схема з'єднання електродів з висновками наводяться на корпусі. Маса діода трохи більше 5,2 р, з комплектуючими деталями трохи більше 7 р. Тип корпусу: КДЮ-11-2. Технічні умови: УЖ3.362.035 ТУ. Основні технічні характеристики діода 2Д202Р: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 600 В | 5.2 | — | — | — | Гвинт | КД-11 | 600V | 5A | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 20140 | ST MICROELECTRONICS | 5785 шт |
1 грн.
|
|
75V*0,2A | 0.11 | — | — | — | DIP | DO-35 | 75V | 200mA | — | — | Імпульсний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Варикап Д901Д
#15992
|
28226 | СНГ | 5411 шт |
5 грн.
|
Основні технічні параметри варикапу Д901Д: • Сд min - Загальна місткість мінімальна: 34 пФ при Uобр 4 В; • Сд max – Загальна ємність максимальна: 44 пФ при Uобр 4 В; • Qв – Добротність варикапа: 25; • Iобр - Постійний зворотний струм: 1 мкА при Uобр 80 В; • Uo6p - Постійна зворотна напруга: 80 В; • Токр – Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 1 | — | — | — | DIP | КД-8 | — | — | — | — | Варікап | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Стабілітрон BZV85-C5V6
#9766
|
21308 | PHILIPS | 5137 шт |
2 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1.3Вт | 5000шт. | — | — | — | — | 5V6 | DO-41 | — | — | |||||||||||
Стабілітрон Д817В
#14013
|
26192 | СНГ | 4988 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 82В. Основні технічні параметри стабілітрона Д817В: • Розкид напруги стабілізації: 74... 90 В при Іст 50 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,14%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±6%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 45 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 60 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 82V | ks620 | — | — | ||||||||||
| 29016 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 4962 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | — | — | — | — | Захисний | — | 400Вт | 7500шт. | — | — | — | — | — | — | 39V | — | ||||||||||||
Діод НВЧ 3А121А
#9804
|
21385 | СНГ | 4865 шт |
46 грн.
|
|
Основні технічні параметри НВЧ діода 3А121А: • Робоча частота: трохи більше 40 ГГц; • Втрати перетворення: трохи більше 9 дБ; • Випрямлений струм: 0,3...1,4 мА; • Нормований коефіцієнт шуму: трохи більше 9 дБ; • Коефіцієнт стоячої хвилі за напругою: трохи більше 3; • Вихідний опір: 200...600 Ом; • Постійна пряма напруга: 0,55...1,2 В; • Імпульсна падаюча потужність: 100 мВт; • Температура довкілля: -60...+85°С; • Мінімальне напрацювання: 50000 год; | 0.0015 | — | — | — | SMD | КД-124 | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 25393 | СНГ | 4546 шт |
4 грн.
|
|
Чотири двонаправлені перемикачі | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К555ТВ6
#7366
|
21306 | СНГ | 4511 шт |
4 грн.
|
|
Два JK-тригери зі скиданням. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 2Д202В (=КД202В)
#12224
|
24603 | СНГ | 4494 шт |
9 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода 2Д202В: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 100 В. | 5 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 100V | 5A | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема КР1582ІП1
#9870
|
21649 | СНГ | 4380 шт |
58 грн.
|
|
Мікросхема являє собою схему (ВІС LU) обробки сигналів керування та взаємодії автоматичних телефонних станцій (АТС) і призначена для логічної та тимчасової обробки сигналів керування та взаємодії, що передаються між АТС по сполучних лініях, ущільненою апаратурою ІКМ-30. БІС є універсальною для різних типів, що входять в апаратуру ІКМ-30 узгоджувальних пристроїв (CV): вихідних СІ та вхідних СВ, а також для різних режимів включення СУ в сполучні лінії (місцеві, міжміські, декадно-крокові, координатні). Вибір режимів роботи здійснюється подачею відповідних рівнів на входи зміни режиму МО та входи вибору режиму СІ/СВ CS. Крім логічної обробки СІВ та формування вихідних керуючих сигналів, TF, EBL, БІС здійснює функцію утримання розмовного тракту при збоях та аваріях в апаратурі ЦСП, а також реалізує функції тимчасової селекції сигналів та корекції тривалості імпульсів набору номера. Усі види тимчасової обробки сигналів здійснюються цифровими методами, що значно підвищує стабільність параметрів. | 3 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 15шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Варикап КВ122АТ2
#15532
|
27771 | СНГ | 4188 шт |
3 грн.
|
Варикап КВ122АТ2. Підібрано комплектами по 3 шт. | 0.06 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | Варікап | — | — | 300шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діодне складання КДС523ВР
#15848
|
28081 | СНГ | 4122 шт |
4 грн.
|
|
Діодне складання, що складається з чотирьох кремнієвих, планарно-епітаксіальних імпульсних діодів, з окремими висновками. | 1.1 | — | — | — | DIP | — | 50V | 20mA | — | — | Імпульсний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання | ||||||||||
| 27025 | СНГ | 3895 шт |
15 грн.
|
Принцип дії: на геркон одягнений феромагніт із металевими пластинами, при підвищенні температури навколишнього середовища пластини нагріваються, нагрівається феромагніт. При нагріванні магнітні властивості поступово губляться. За певної температури виходить повна втрата магнітних властивостей, контакти геркона розмикаються. Технічні характеристики: Температура спрацьовування – 70°С. Опір датчика в черговому режимі – не більше 0,5 Ом. Опір датчика в режимі «Пожежа» – не менше 200 кОм. | 2.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Стабілітрон КС139А стек.
#11424
|
23541 | СНГ | 3705 шт |
2 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, дифузійно-сплавний, малої потужності. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 500шт. | — | — | — | — | 3V9 | kd-4 | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д815А1
#9875
|
21654 | СНГ | 3658 шт |
6 грн.
|
|
— | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 6V2 | ks620 | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ155ЛА4
#755
|
21232 | СНГ | 3644 шт |
5 грн.
|
|
3 логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21411 | СНГ | 3607 шт |
2 грн.
|
|
Діодне складання, що складається кожна з двох кремнієвих планарно-епітаксіальних імпульсних діодів з окремими висновками. Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. | 0.25 | — | — | — | SMD | — | 50V | 20mA | 200mA | — | Імпульсний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання | |||||||||||
Транзистор КТ315А
#6837
|
22799 | СНГ | 3459 шт |
2 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. | 0.25 | — | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 800 шт. | 25В | 100мА | 250МГц | 120 | — | — | — | — | ||||||||||
| 28743 | СНГ | 3456 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори 1Т313Б ОС германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот і пристроях, що перемикають. | 1.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 15В | 30мА | 450МГц | 75 | — | — | — | — | |||||||||||
Стабілітрон КС175А2
#11422
|
23539 | СНГ | 3432 шт |
1,50 грн.
|
|
— | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 200шт. | — | — | — | — | 7V5 | kd2 | — | — | ||||||||||
Транзистор МП21В
#3479
|
23014 | СНГ | 3425 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21В германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 40В | 100мА | 1,5МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||||
Діод НВЧ 2А523А-4
#13748
|
25916 | СНГ | 3402 шт |
142 грн.
|
|
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу PIN. Призначені для застосування в перемикаючих пристроях дециметрового та сантиметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію та захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею та роси, зниженого та підвищеного тиску. Випускаються у безкорпусному виконанні з жорсткими висновками на кристалотримачі із захисним покриттям. Маркуються: 2А523А-4 – однією чорною точкою у позитивного електрода. Основні технічні параметри НВЧ діода 2А523А-4: • Критична частота перемикання діода: щонайменше 200 ГГц; • Безперервна потужність, що розсіюється: 20 Вт; • Постійний прямий струм: трохи більше 300 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 4мА; • Пряма напруга на діоді: не більше 1,2 В; • Постійна зворотна напруга: не більше 200 В; • Нагромаджений заряд діода: трохи більше 220 нКл; • Прямий опір втрат: не більше 0,5 Ом; • Загальна ємність діода: трохи більше 1,5 пФ; • Температура довкілля: -60...+125 °С; • Мінімальне напрацювання: 25000 год. | 0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Радіолампа 2Д1С
#11635
|
23865 | СНГ | 3398 шт |
25 грн.
|
|
Вимірювальний діод з оксидним катодом непрямого напруження. Призначений для детектування коливань НВЧ в апаратурі спеціального призначення. | 5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод BAT46
#9815
|
21398 | ST MICROELECTRONICS | 3128 шт |
1,50 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | DO-35 | 100V | 150mA | 750mA | — | Шотки | — | — | 4000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
| 29200 | ROHM SEMICONDUCTOR | 3000 шт |
4,50 грн.
|
|
0.1 | — | SOT-346 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP+R | 200мВт | 3000шт. | 50В | 100мА | 250МГц | — | — | — | — | — |
