Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
| 29344 | LITTELFUSE | 3000 шт |
4 грн.
|
|
0.043 | — | — | — | SMD | SOD123 | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 200Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | 7.5V | — | ||||||||||
Транзистор МП25А
#10815
|
23008 | СНГ | 2993 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор МП25А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 40В | 150мА | — | 50 | — | — | — | — | ||||||||
Діодний міст КЦ405Б
#14125
|
26306 | СНГ | 2992 шт |
7 грн.
|
Основні технічні характеристики діода КЦ405Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 500 В. | 5.2 | — | — | — | DIP | — | 500V | 1A | — | — | Діодний міст | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діод Д220
#8890
|
26713 | СНГ | 2991 шт |
2 грн.
|
|
Діод кремнієвий, сплавний, імпульсний. Основні технічні характеристики діода Д220: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 0,5 А; • Сд - Загальна ємність: 15 пФ при Uoбp 5; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 при Inp 50 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбр 50 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 50V | 50mA | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
| 29024 | INFINEON TECHNOLOGIES | 2944 шт |
140 грн.
|
|
0.12 | VQFN-32 | — | — | SMD | — | — | — | — | ИС аутентификации | — | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС531В1
#14486
|
26698 | СНГ | 2850 шт |
3 грн.
|
|
Стабілітрони КС531В1 кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для використання як джерела опорної напруги 31,0 В. Основні технічні параметри стабілітрону КС531В1: • Номінальна напруга стабілізації: 31 В при Іст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,005%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 90 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 15 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -50...+100 °С. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 31V | TO-92-2 | — | — | ||||||||
Діод 1N4006
#16670
|
28909 | VISHAY | 2840 шт |
2 грн.
|
|
1000V*1A | 0.34 | — | — | — | DIP | DO-41 | 800V | 1A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Діод КД209А оранж.
#14035
|
26214 | СНГ | 2805 шт |
1 грн.
|
|
Діоди КД209А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1 кГц. | 0.3 | — | — | — | DIP | КД-5А | 400V | 700mA | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Діод BAT54 (L4)
#12749
|
25103 | NXP | 2712 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | SOT-23 | 30V | 200mA | — | — | Шотки | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д223
#3409
|
22785 | СНГ | 2641 шт |
2 грн.
|
|
Макс. допустима зворотна напруга, В: 50 Максимальний постійний прямий струм, ма: 50 | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 50V | 50mA | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Стабілітрон Д815Е
#11452
|
23582 | СНГ | 2366 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрони Д815Е кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності 15В. Основні технічні параметри стабілітрона Д815Е: • Розкид напруги стабілізації: 13,3... 16,4 при Iст 500 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,1%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 2,5 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 550 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 15V | ks620 | — | — | ||||||||
| 20141 | NXP | 2297 шт |
0,60 грн.
|
|
70V 0,2A | 0.1 | — | — | — | SMD | SOT-23 | 70V | 215mA | — | — | Імпульсний | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | подвійний загальний катод | |||||||||
Мікросхема КР1008ВЖ7
#9803
|
21383 | СНГ | 2208 шт |
6,50 грн.
|
|
Електронний номеронабирач для телефонів з імпульсним способом набору номера та запам'ятовуванням останнього номера. | 2.5 | DIP22 | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 64шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон BZV55C3V9
#11450
|
23580 | PHILIPS | 2188 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон BZV55C3V9 SOD-80 3V9 0,5W | 0.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 2500шт. | — | — | — | — | 3V9 | SOD-80 | — | — | ||||||||
Стабілітрон КС650А
#11185
|
23308 | СНГ | 2157 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрони КС650А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 150 В діапазоні струмів стабілізації 2,5...33 мА. Основні технічні параметри стабілітрона КС650А: • Номінальна напруга стабілізації: 150 В при Іст 25 мА; • Розкид напруги стабілізації: 135...165 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 270 Ом при Іст 25 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 2,5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт. | 1.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 150V | ks620 | — | — | ||||||||
Стабілітрон BZT52C15
#17010
|
29261 | DIODES INCORPORATED | 2131 шт |
2 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 3000шт. | — | — | — | — | 15V | SOD-123 | — | — | |||||||||
| 23973 | СНГ | 2121 шт |
8 грн.
|
|
Неонова лампа ТН-0,2-2 застосовується як індикаторні, сигнальні елементи в різних електротехнічних і радіотехнічних пристроях. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон КС211Ж
#10377
|
22384 | СНГ | 2116 шт |
1,50 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, планарний, малої потужності. | 0.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 400шт. | — | — | — | — | 11V | kd2 | — | — | ||||||||
Діод BAT54C (WW1)
#12750
|
25104 | NXP | 2116 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | — | — | — | SMD | SOT-23 | 30V | 200mA | — | — | Шотки | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | подвійний загальний катод | |||||||||
Транзистор КП303И Ni
#14463
|
26675 | СНГ | 2090 шт |
11 грн.
|
|
Транзистори КП303И кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Основні технічні характеристики транзистора КП303И: • Структура транзистора: з pn-переходом та n-каналом; • Рсі max - потужність, що розсіюється, стік-витік: 200 мВт; • Uзі отс - напруга відсічення транзистора - напруга між затвором і витоком: 0,5...2 В; • Uсі max - Максимальна напруга сток-витік: 25 В; • Uзс max - Максимальна напруга затвор-стік: 30 В; • Uзі max - Максимальна напруга затвор-витік: 30 В; • Iс - Струм стоку (постійний): 20 мА; • Iс поч - Початковий струм стоку: 1,5 ... 5 мА; • S - Крутизна характеристики: 2...6 мА/В; • С11і – Вхідна ємність транзистора – ємність між затвором та витоком: не більше 6 пФ; • С12і - Ємність зворотного зв`язку у схемі із загальним витоком при короткому замиканні на вході змінного струму: не більше 2 пФ. | 0.4 | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20142 | NXP | 2069 шт |
0,80 грн.
|
|
2 Діода 70V 215mA | 0.1 | — | — | — | SMD | SOT-23 | 75V | 215mA | — | — | Імпульсний | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | 2 послідовні діоди | |||||||||
Діод КД521В
#3473
|
23549 | СНГ | 2069 шт |
1 грн.
|
|
Тип діода імпульсний Максимальна постійна зворотна напруга, 50 Максимальний прямий (випрямлений за півперіод) струм А 0.05 Спосіб монтажу в отвір Максимальний час відновлення, мкс 0.004 Максимальний зворотний струм, мкА 1 Максимальна пряма напруга, 1 при Iпр., А 0.05 Загальна ємність,Сд.пФ 4 Робоча температура,С -60...125 Корпус kd 3 | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 50V | 50mA | 500mA | — | Імпульсний | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема К555ЛА4
#680
|
21372 | СНГ | 2048 шт |
4 грн.
|
|
Три логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561КТ3
#3946
|
26500 | СНГ | 2043 шт |
7 грн.
|
|
Чотири двонаправлені перемикачі. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ801А
#9884
|
21664 | СНГ | 1989 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори КТ801А кремнієві сплавно-дифузійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування в кадровій та малі розгортки, джерелах вторинного електроживлення. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Маса транзистора трохи більше 4 р. Тип корпусу КТЮ-3-9. | 3.5 | — | КТЮ-3-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 5Вт | 200шт. | 80В | 2А | 10МГц | 50 | — | — | — | — | ||||||||
Діод MURS360T3G (=U3J)
#11486
|
23621 | ON SEMICONDUCTOR | 1923 шт |
7 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | SMD | DO-214AB | 600V | 3.0A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Транзистор МП14А
#10829
|
23025 | СНГ | 1909 шт |
7 грн.
|
|
Транзистор МП14А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 20мА | 1МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон Д816В
#11969
|
24258 | СНГ | 1909 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 33В Основні технічні параметри стабілітрона Д816В: • Розкид напруги стабілізації: 29,5...36 В при Іст 150 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,12%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±5%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрона: 10 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 150 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 33V | ks620 | — | — | ||||||||
Варикап КВ109Г
#14279
|
26478 | СНГ | 1907 шт |
2,50 грн.
|
Варикапи КВ109Г кремнієві, епітаксійно-планарні, підстроювальні. Призначені для застосування у схемах підстроювання частоти резонансних підсилювачів. Основні технічні параметри варикапу КВ109Г: • Сд min - Загальна місткість мінімальна: 8 пФ при Uобр 3 В; • Сд max – Загальна ємність максимальна: 17 пФ при Uобр 3 В; • Qв – Добротність варикапа: 160; • Iобр - Постійний зворотний струм: 0,5 мкА при Uобр 25 В; • Uo6p - Постійна зворотна напруга: 25 В; • Pnp - Пряма потужність, що розсіюється: 5 мВт; • Токр – Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+85 °С. | 0.06 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | Варікап | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діод КД208А (крапля зел.)
#14415
|
26624 | СНГ | 1866 шт |
1 грн.
|
|
Діоди КД208А кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,0 кГц. Основні технічні характеристики діода КД208А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1,5 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 100 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | 100V | 1.5A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний |
