Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Призначення | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона |
|---|
Мікросхема SN74LS123N
#11383
|
23494 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
17 грн.
|
|
— | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | Логіка | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23495 | MPN | — |
12 грн.
|
|
— | Два чотириканальні формувачі з трьома станами на виході. | 1.6 | DIP20 | — | — | DIP | Логіка | — | — | — | — | 18шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон BZV85-C12V
#11385
|
23496 | PHILIPS | — |
2 грн.
|
|
— | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1.3Вт | 5000шт. | — | — | — | — | 12V | DO-41 | ||||||||
Стабілітрон Д814Г1
#11387
|
23498 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | Стабілітрони Д814Г1 кремнієві, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 100-120 В. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 340мВт | 500шт. | — | — | — | — | 11V | kd2 | |||||||
| 23505 | — | — |
12 грн.
|
— | Основні технічні параметри варикапу КВ121А: Сд min-Загальна місткість мінімальна: 4,3 пФ при Uобр 25 В; Сд max -Загальна ємність максимальна: 6 пФ при Uобр 25 В; Qв-Добротність варикапа: 200; Iобр-Постійний зворотний струм: 0,5 мкА при Uобр 28 В; Uopp-Постійна зворотна напруга: 30 В; Діапазон робочих температур: -40...+100 °С. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема UA78L05C
#11396
|
23507 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
10 грн.
|
|
— | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | живлення | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 298ФН13
#11397
|
23508 | СНГ | — |
64 грн.
|
|
— | ФНЧ 2-го порядку за класичною схемою на емітерному повторювачі. | 7.5 | — | — | — | DIP | Фільтри | — | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КМ1816ВЕ48 Au
#11398
|
23509 | СНГ | — |
162 грн.
|
|
— | Мікросхема КМ1816ВЕ48 є однокристальною 8-розрядною мікро-ЕОМ з ППЗУ з УФ стиранням інформації ємністю 8 кбіт (1024x8). | 5.7 | DIP40 | — | — | DIP | Процесори | — | — | — | — | 5 штук. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Стабілітрон 2С119А (=КС119А)
#11399
|
23510 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабістора 2С119А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,9 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,42...-0,2%/°С; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,18 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 180мВт | 100шт. | — | — | — | — | 1V9 | kd-8 | |||||||
Стабілітрон 2С510А (=КС510А)
#11400
|
23511 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С510А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 10 В діапазоні струмів стабілізації 1...79 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 10V | kd-8 | |||||||
Стабілітрон 2С920А (=КС920А)
#11402
|
23513 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С920А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 120 В діапазоні струмів стабілізації 5...42 мА. | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 120V | ks620 | |||||||
Мікросхема КМ133ЛА7
#11407
|
23524 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | 2 чотиривходові схеми І-НЕ з відкритим колекторним виходом та підвищеною здатністю навантаження (елементи індикації). | 0.3 | SO14 | — | — | SMD | Логіка | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП303Е Ni
#11408
|
23525 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП307Е Au
#11409
|
23526 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | МОП n-канальний | 27В | 25мА | 250мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема 541РТ1 Ni
#11413
|
23530 | СНГ | — |
75 грн.
|
|
— | Біполярна ОЗУ виконана на основі інтегрально-інжекційної логіки. Мікросхеми 541РТ1 являють собою одноразово програмований постійний пристрій ємністю 1 кбіт (256 х 4). Сумісні по входу та виходу з ТТЛ-схемами. Функціональна схема включає в себе вхідні схеми адреси, дешифратор, мультиплексор, схеми управління, вихідні схеми та накопичувач 32 х 32. | 0.9 | SO16 | — | — | SMD | Пам`ять | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Стабілітрон КС107А стек.
#11418
|
23535 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | • Номінальна напруга стабілізації: 0.7 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,3%/°; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 125мВт | 300шт. | — | — | — | — | 0.7V | kd2 | |||||||
Стабілітрон КС582Г
#11419
|
23536 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності, прецизійні. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 720мВт | 80шт. | — | — | — | — | 82V | — | |||||||
Стабілітрон КС630А
#11420
|
23537 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС630А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 130 В діапазоні струмів стабілізації 5...38 мА. | 3 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 130V | ks620 | |||||||
Стабілітрон КС407Г
#11426
|
23543 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Стабілітрон кремнієвий, планарний, середньої потужності. Основні технічні параметри стабілітрону КС407Г: • Номінальна напруга стабілізації: 5,1 при Iст 20 мА; • Розкид напруги стабілізації: 4,8...5,4 В; • Диференціальний опір стабілітрону: 17 Ом при Іст 20 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 59 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+85 °С. | 0.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | |||||||
Тиристор КУ202Б
#11428
|
23545 | — | — |
20 грн.
|
— | Постійна максимальна зворотна напруга 25 В Постійна максимальна напруга в закритому стані 25 В Постійний імпульсний струм у відкритому стані – 30 А Повторний імпульсний струм у відкритому стані 10 А Напруга у відкритому стані Постійна напруга управління, що не відпирає, >=0,2 В Постійний струм у закритому стані Постійний зворотний струм Постійний струм управління, що відмикає Постійна напруга управління, що відмикає Критична швидкість наростання напруги у закритому стані 5 В/мкс Час увімкнення Час вимкнення | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | |||||||
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | |||||||
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | |||||||
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | |||||||
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | |||||||
Транзистор КТ503Г
#11439
|
23566 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | |||||||
Транзистор КТ209Д
#11440
|
23567 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 | — | — | ||||||||
Транзистор КТ209М
#11441
|
23568 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 | — | — | ||||||||
Транзистор КТ209А
#11442
|
23569 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | — | 120 | — | — | ||||||||
Транзистор КТ209К
#11443
|
23571 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 45В | 350мА | — | 160 | — | — |
