Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона |
|---|
|
Стабілітрон КС582Г
#11419
|
23536 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності, прецизійні. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 720мВт | 80шт. | — | — | — | — | 82V | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС630А
#11420
|
23537 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС630А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 130 В діапазоні струмів стабілізації 5...38 мА. | 3 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 130V | ks620 | |||||||||
|
Стабілітрон КС407Г
#11426
|
23543 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Стабілітрон кремнієвий, планарний, середньої потужності. Основні технічні параметри стабілітрону КС407Г: • Номінальна напруга стабілізації: 5,1 при Iст 20 мА; • Розкид напруги стабілізації: 4,8...5,4 В; • Диференціальний опір стабілітрону: 17 Ом при Іст 20 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 59 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+85 °С. | 0.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | |||||||||
|
Тиристор КУ202Б
#11428
|
23545 | — | — |
20 грн.
|
— | Постійна максимальна зворотна напруга 25 В Постійна максимальна напруга в закритому стані 25 В Постійний імпульсний струм у відкритому стані – 30 А Повторний імпульсний струм у відкритому стані 10 А Напруга у відкритому стані Постійна напруга управління, що не відпирає, >=0,2 В Постійний струм у закритому стані Постійний зворотний струм Постійний струм управління, що відмикає Постійна напруга управління, що відмикає Критична швидкість наростання напруги у закритому стані 5 В/мкс Час увімкнення Час вимкнення | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ503Г
#11439
|
23566 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ209Д
#11440
|
23567 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ209М
#11441
|
23568 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ209А
#11442
|
23569 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | — | 120 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ209Ж
#11444
|
23572 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 45В | 350мА | — | 60 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ3102ГМ
#11445
|
23573 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 250мВт | 1000шт. | 20В | 200мА | — | 1000 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ209Г
#11447
|
23575 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 30В | 350мА | — | 60 | — | — | ||||||||||
|
Транзистор BU508AFI
#11448
|
23576 | ST MICROELECTRONICS | — |
32 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO3P | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 50Вт | 30шт. | 1.5кВ | 8А | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема SN74LS10N
#11449
|
23579 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
10 грн.
|
|
— | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема 541РТ2 Au
#11457
|
23587 | СНГ | — |
162 грн.
|
|
— | Постійний пристрій з можливістю одноразового програмування інформаційною ємністю 16Кбіт (2048 х 8 біт). | 1.5 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Пам'ять | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23623 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
29 грн.
|
|
— | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Інтерфейси | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Оптопара TLP281-4GB
#11488
|
23624 | TOSHIBA | — |
43 грн.
|
|
— | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема MIC29302WU TR
#11489
|
23625 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
103 грн.
|
|
— | 2.5 | TO263-5 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема 88E6095-TAH1 A3P
#11490
|
23627 | MARVELL | — |
345 грн.
|
|
— | 2.5 | QFP176 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема BCM5347MA1KPBG
#11491
|
24730 | BROADCOM | — |
612 грн.
|
|
— | — | 9.2 | BGA | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | 24шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Симистор BTA08-600B
#11492
|
23631 | ST MICROELECTRONICS | — |
13 грн.
|
|
— | 2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 600V | 8A | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Оптопара LTV-357T
#11504
|
23738 | Lite-On Semiconductor | — |
6 грн.
|
|
— | 0.3 | Gull wing 4 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
7ГЕ2А-К стабістор селеновий
#11560
|
23797 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | 7ГЕ2А-К стабістор селеновий Uст = 1,3-1,6В, Iст. = 1мА. | 0.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 1V45 | — | |||||||||
|
Мікросхема TX-2B
#11566
|
— | Silan Semiconductor | — |
24 грн.
|
|
— | DIP14(1.5-5V; 2mA) контролер ДК на п'ять функцій | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема MSP430F1121AIDW
#11567
|
30007 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
32 грн.
|
|
— | 16-bit RISC mixed signal MK, DC...4.15/8MHz, 2KB+256x8 Flash, 256B RAM. | 0.8 | SO20 | — | — | SMD | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема STM32F100C8T6B
#11568
|
30028 | ST MICROELECTRONICS | — |
65 грн.
|
|
— | 32-біт мікроконтролера з 64KB,24MHz. | 1.2 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — |