Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
| 23974 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Неонова лампа ТН-0,3-3 застосовується як індикаторні, сигнальні елементи в різних електротехнічних і радіотехнічних пристроях. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 533КП15 Au
#11789
|
24018 | СНГ | — |
34 грн.
|
|
— | Восьмивходовий селектор-мультиплексор із трьома стійкими станами. | 0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т625АМ-2
#11805
|
24034 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т625АМ-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у імпульсних пристроях герметизованої апаратури. Безкорпусні із захисним покриттям та гнучкими висновками. | 1.6 | — | — | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 1Вт | 100шт. | 40В | 1А | 200МГц | 120 | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т331В-1
#11807
|
24036 | СНГ | — |
38 грн.
|
|
— | Кремнієві епітаксійно-планарні npn безкорпусні високочастотні транзистори. | 1.6 | — | — | Біполярний | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | — | 50шт. | — | — | — | 180 | — | — | — | |||||||
Мікросхема 218ГГ1-Н
#11811
|
224041 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Автоколивальний мультивібратор. | 3 | — | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема 129НТ1Б-1
#11814
|
24044 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Диференціальна пара транзисторів. | 2.5 | — | — | — | SMD | — | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор П701
#11874
|
24126 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистори П701 кремнієві сплавно-дифузійні структури npn низькочастотні підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 20шт. | 40В | 500мА | 20МГц | 40 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ3107Г
#11876
|
24129 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3107Л
#11877
|
24130 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 20В | 200мА | 200МГц | 800 | — | — | — | ||||||||
Транзистор П702
#11878
|
24131 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Транзистори П702 кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перемикаючих пристроях, перетворювачах та стабілізаторах постійної напруги. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 40Вт | 20шт. | 60В | 2А | 4МГц | 25 | — | — | — | |||||||
Діод Д226
#11880
|
24133 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д226: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбр 400 В. | 2 | — | — | — | DIP | — | 400V | 300mA | — | Випрямний | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод Д104А
#11881
|
24134 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д104А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 30 мА; • fд – робоча частота діода: 150 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 1 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,5 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,7 пФ при Uoбp 0,3 Ст. | 0.5 | — | — | — | DIP | D104 | 100V | 30mA | — | Імпульсний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод КД522Б
#11882
|
24135 | СНГ | — |
1 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода КД522Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 100 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 2 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,004 мкс; • Сд - Загальна ємність: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 50V | 100mA | — | Імпульсний | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Стабілітрон Д815Г
#11883
|
24136 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 10В Основні технічні параметри стабілітрона Д815Г: • Розкид напруги стабілізації: 9... 11 В при Іст 500 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,08%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 1,8 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 800 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 10V | ks620 | — | |||||||
Діод Д303
#11884
|
24137 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Діод германієвий сплавний. | 10.5 | — | — | — | Гвинт | — | 150V | 3.0A | — | Випрямний | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод Д103А
#11888
|
24141 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди кремнієві Д103А, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. | 0.4 | — | — | — | DIP | D104 | 30V | 30mA | — | Високочастотний | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Транзистор П308
#11954
|
24243 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистори П308 кремнієві планарні npn перемикальні малочастотні малопотужні. Призначені для застосування у схемах перемикання та перетворювачів постійної напруги. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 120В | 30мА | 20МГц | 90 | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т602Б (=КТ602Б)
#11955
|
24244 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | КТ602Б Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів. | 3.2 | — | КТЮ-3-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 2.8Вт | 100шт. | 100В | 75мА | 150МГц | 220 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ608Б
#11956
|
24245 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КТ608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 160 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ604АМ
#11957
|
24246 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | КТ604АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 3Вт | 200шт. | 250В | 200мА | 40МГц | 40 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ639Д
#11958
|
24247 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних та перемикаючих пристроях, в кінцевих пристроях ЕОМ. | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 1Вт | 100шт. | 60В | 1.5А | 80МГц | 160 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ611АМ
#11959
|
24248 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | КТ611АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах. | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 3Вт | 100шт. | 180В | 100мА | 60МГц | 40 | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т607А-4
#11960
|
24249 | СНГ | — |
160 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т607А-4 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn генераторні. Призначені для застосування в генераторах та підсилювачах у герметизованій апаратурі. | 0.4 | — | — | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 1.5Вт | 8шт. | 35В | 150мА | 0,7МГц | — | — | — | — | |||||||
Транзистор 2П903В (=КП903В)
#11966
|
24255 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Транзистори 2П903В кремнієві епітаксійно-планарні польові з каналом n-типу і затвором у вигляді зміщеного назад pn переходу високочастотні універсальні. | 4.5 | — | КТ-4-2 | Польовий | Гвинт | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 20В | 700мА | 6Вт | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Тиристор силовий Т50-11-133
#11971
|
24260 | СНГ | — |
120 грн.
|
— | Тиристори Т50-11 призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц, а також напівпровідникових перетворювачів електроенергії, безконтактних комутаційних пристроях. | 180 | — | — | — | Охолоджувач | — | 1100V | 50A | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод Д106
#11981
|
24270 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Мікроплавні, кремнієві, універсальні. Призначені для застосування у системах АРУ, дискримінаторах, відеопідсилювачах. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 30V | 30mA | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Лампа модуляторна ГМИ-6
#11983
|
24272 | — | — |
120 грн.
|
|
— | Імпульсний модуляторний подвійний зошит ГМІ-6 для роботи в імпульсних модуляторах стаціонарних та пересувних пристроїв. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Лампа 6П45С
#11984
|
24273 | — | — |
200 грн.
|
|
— | Вихідний променевий зошит. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Діод КД503Б
#11986
|
24275 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Призначені для застосування як перемикаючі елементи в імпульсних швидкодіючих пристроях наносекундного діапазону. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. | 0.25 | — | — | — | DIP | КД-121 | 30V | 20mA | — | Імпульсний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Радіолампа 6Ж4П
#12157
|
24450 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | 6Ж4П Високочастотний пентод. Призначений для посилення напруги високої частоти. | 13 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |
