Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
23849 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзистори КП303В кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт.
23913 СНГ
160 грн.
50+144 грн.
200+128 грн.
500+112 грн.
Д161-200-12 Діод кремнієвий дифузійний. Призначений для роботи в ланцюгах статичних перетворювачів електроенергії постійного та змінного струмів на частотах до 2 кГц. Випускаються в металокерамічному корпусі з гнучким висновком, прямою та зворотною (зі знаком Х) полярностей. У діодів прямої полярності анодом є основа корпусу, зворотної полярності - гнучкий висновок. Середній прямий струм – 200 А Повторювана імпульсна зворотна напруга - 1200 В Охолодження повітря природне або примусове. 270 DIP 1200V 200А Випрямний 1 шт. одиночний
23914 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 140
23919 СНГ
25 грн.
50+22,50 грн.
200+20 грн.
500+17,50 грн.
Стовп із кремнієвих, сплавних діодів, випрямляючий. Призначений для перетворення змінної напруги частотою 1 кГц. 34 Гвинт 4kV 50mA Високовольтний 24шт. одиночний
23974 СНГ
10 грн.
10+9 грн.
20+8,50 грн.
50+8 грн.
Неонова лампа ТН-0,3-3 застосовується як індикаторні, сигнальні елементи в різних електротехнічних і радіотехнічних пристроях. 2.5 DIP 100шт.
24018 СНГ
34 грн.
10+32,30 грн.
50+30,60 грн.
100+27,20 грн.
Восьмивходовий селектор-мультиплексор із трьома стійкими станами. 0.7 SO16 SMD Логіка 30шт.
24034 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзистори 2Т625АМ-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у імпульсних пристроях герметизованої апаратури. Безкорпусні із захисним покриттям та гнучкими висновками. 1.6 Біполярний SMD NPN 1Вт 100шт. 40В 200МГц 120
24036 СНГ
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Кремнієві епітаксійно-планарні npn безкорпусні високочастотні транзистори. 1.6 Біполярний NPN 50шт. 180
224041 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Автоколивальний мультивібратор. 3 DIP Логіка 30шт.
24044 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Диференціальна пара транзисторів. 2.5 SMD Транзисторне складання 120шт.
24126 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори П701 кремнієві сплавно-дифузійні структури npn низькочастотні підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 Біполярний DIP NPN 10Вт 20шт. 40В 500мА 20МГц 40
24129 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220
24130 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 20В 200мА 200МГц 800
24131 СНГ
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
Транзистори П702 кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перемикаючих пристроях, перетворювачах та стабілізаторах постійної напруги. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 40Вт 20шт. 60В 4МГц 25
24133 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
200+4,80 грн.
500+4,20 грн.
Основні технічні характеристики діода Д226: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбр 400 В. 2 DIP 400V 300mA Випрямний 200шт. одиночний
24134 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Основні технічні характеристики діода Д104А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 30 мА; • fд – робоча частота діода: 150 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 1 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,5 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,7 пФ при Uoбp 0,3 Ст. 0.5 DIP D104 100V 30mA Імпульсний 100шт. одиночний
24135 СНГ
1 грн.
50+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Основні технічні характеристики діода КД522Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 100 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 2 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,004 мкс; • Сд - Загальна ємність: 4 пФ. 0.2 DIP КД-2 50V 100mA Імпульсний 500шт. одиночний
24136 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 10В Основні технічні параметри стабілітрона Д815Г: • Розкид напруги стабілізації: 9... 11 В при Іст 500 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,08%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 1,8 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 800 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 4.2 Гвинт 8Вт 100шт. 10V ks620
24137 СНГ
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
Діод германієвий сплавний. 10.5 Гвинт 150V 3.0A Випрямний 30шт. одиночний
24141 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди кремнієві Д103А, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. 0.4 DIP D104 30V 30mA Високочастотний 200шт. одиночний
24243 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори П308 кремнієві планарні npn перемикальні малочастотні малопотужні. Призначені для застосування у схемах перемикання та перетворювачів постійної напруги. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 250мВт 100шт. 120В 30мА 20МГц 90
24244 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
КТ602Б Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів. 3.2 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 220
24245 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори КТ608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
24246 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 40
24247 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних та перемикаючих пристроях, в кінцевих пристроях ЕОМ. 1 TO126 Біполярний DIP PNP 1Вт 100шт. 60В 1.5А 80МГц 160
24248 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
КТ611АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 100шт. 180В 100мА 60МГц 40
24249 СНГ
160 грн.
10+152 грн.
50+144 грн.
100+128 грн.
Транзистори 2Т607А-4 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn генераторні. Призначені для застосування в генераторах та підсилювачах у герметизованій апаратурі. 0.4 Біполярний SMD NPN 1.5Вт 8шт. 35В 150мА 0,7МГц
24255 СНГ
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
Транзистори 2П903В кремнієві епітаксійно-планарні польові з каналом n-типу і затвором у вигляді зміщеного назад pn переходу високочастотні універсальні. 4.5 КТ-4-2 Польовий Гвинт МОП n-канальний 20В 700мА 6Вт 20шт.
24260 СНГ
120 грн.
Тиристори Т50-11 призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц, а також напівпровідникових перетворювачів електроенергії, безконтактних комутаційних пристроях. 180 Охолоджувач 1100V 50A 1 шт.
24270 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Мікроплавні, кремнієві, універсальні. Призначені для застосування у системах АРУ, дискримінаторах, відеопідсилювачах. 0.3 DIP D104 30V 30mA Випрямний 100шт. одиночний