Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
|
Лампа модуляторна ГМИ-6
#11983
|
24272 | — | — |
120 грн.
|
|
— | Імпульсний модуляторний подвійний зошит ГМІ-6 для роботи в імпульсних модуляторах стаціонарних та пересувних пристроїв. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Лампа 6П45С
#11984
|
24273 | — | — |
200 грн.
|
|
— | Вихідний променевий зошит. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Діод КД503Б
#11986
|
24275 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Призначені для застосування як перемикаючі елементи в імпульсних швидкодіючих пристроях наносекундного діапазону. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. | 0.25 | — | — | — | DIP | КД-121 | 30V | 20mA | — | — | Імпульсний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Радіолампа 6Ж4П
#12157
|
24450 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | 6Ж4П Високочастотний пентод. Призначений для посилення напруги високої частоти. | 13 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Діод Д214
#12160
|
24452 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Діоди Д214 кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. | 13 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 100V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Транзистор КП327А (=BF961)
#12172
|
24464 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КП327А кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу | 0.3 | — | КТ-29 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 14В | 30мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор FIR150N06P
#12214
|
24591 | First | — |
22 грн.
|
|
— | 2.5 | — | TO220 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 60В | 150А | 220Вт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Тиристор КУ202И
#12215
|
24592 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ202И планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 200V | 10A | — | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Тиристор 2У201Л (=КУ201Л)
#12217
|
24594 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Основні технічні параметри тиристора 2У201Л: • Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 300 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 300V | — | 30A | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Тиристор 2У201И (=КУ201И)
#12218
|
24595 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Основні технічні параметри тиристора 2У201И: • Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 200V | — | 30A | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Тиристор силовий Т25-7
#12222
|
24601 | СНГ | — |
90 грн.
|
— | Т25-7 Тиристор низькочастотний штирьового виконання. Тиристори Т25-7 призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц. Випускаються у корпусі з гнучким висновком. Максимально допустимий середній прямий струм у відкритому стані – 25 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 700 В Охолодження повітря природне або примусове. Позначення типономіналу наводяться на корпусі. Габаритні розміри: - загальна довжина – 150 мм - Довжина шпильки - 16 мм - різьблення - М10. | 135 | — | — | — | Гвинт | — | 700V | 25A | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Діод Д232А
#12223
|
24602 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д232А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. | 11 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 400V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод 2Д202Д (=КД202Д)
#12226
|
24605 | СНГ | — |
9 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода 2Д202Д: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 200 В. | 5 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 200V | 5A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Транзистор 2Т809А (=КТ809А)
#12230
|
24609 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 40 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5,1 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 400 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 5 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400 В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 15...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 270 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 40Вт | 20шт. | 400В | 5А | — | 100 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор П210А
#12231
|
24610 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 15. | 34 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 60Вт | 10 шт. | 65В | 12А | — | 15 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ816В
#12237
|
24616 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ816В кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 25 | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема К574УД1Б Au
#12238
|
24618 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | К574УД1Б Мікросхеми виготовлені за суміщеною біполярно-польовою технологією (BIFET). Мікросхеми К574УД1Б є швидкодіючим операційним підсилювачем з великим вхідним опором. Призначені для побудови схем вибірки та зберігання, високоомних широкосмугових підсилювачів та компараторів, широкосмугових генераторів з великою вихідною напругою. Не мають внутрішньої частоти корекції. | 1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Стабілітрон Д814Д
#12240
|
24620 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Стабілітрони Д814Д кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 11,5-14,0 В діапазоні струмів стабілізації 3...24 мА. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. Тип стабілітрона наводиться на корпусі. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 200шт. | — | — | — | — | 13V | — | — | |||||||
|
Стабілітрон 2С133А (=КС133А)
#12241
|
24621 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С133А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...81 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 200шт. | — | — | — | — | 3V3 | — | — | |||||||
| 24624 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 500шт. | — | — | — | — | 6V8 | — | — | ||||||||
| 24625 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С156А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 3...55 мА. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 5V6 | — | — | ||||||||
|
Стабілітрон Д818Д
#12244
|
24626 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабілітрона Д818Д: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,002%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | |||||||
|
Мікросхема К142ЕН6А (К16) Au
#12246
|
27628 | СНГ | — |
270 грн.
|
|
— | Мікросхема К142ЕН6А є двополярним стабілізатором напруги з фіксованою вихідною напругою ±15 В і струмом навантаження 200 мА. При експлуатації допускається підключення навантаження до одного або одночасно до двох входів (каналів) мікросхеми. | 2.5 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 5 штук. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ812В
#12261
|
24643 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 16 | — | kt-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 20шт. | 200В | 8А | 3МГц | 10 | — | — | — | |||||||
|
Тиристор КУ202Д1
#12262
|
24644 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ202Д1 планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. | 2.1 | — | — | — | DIP | — | 100V | 10A | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема КР544УД1А
#12263
|
24645 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР544УД1А є операційними диференціальними підсилювачами з високим вхідним опором і низьким рівнем вхідних струмів, з внутрішньою частотною корекцією, що забезпечує стійку роботу при будь-яких режимах негативного зворотного зв'язку, включаючи режими інтеграторів і повторювачів напруги. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ940Б
#12264
|
24646 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 200шт. | 250В | 100мА | 90МГц | 25 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ817А
#12265
|
24647 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 40В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ817В
#12266
|
24648 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817В кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КП303Е Au
#12267
|
24649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |