Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Конструкція діода
24244 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
КТ602Б Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів. 3.2 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 220
24245 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори КТ608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
24246 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 40
24247 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних та перемикаючих пристроях, в кінцевих пристроях ЕОМ. 1 TO126 Біполярний DIP PNP 1Вт 100шт. 60В 1.5А 80МГц 160
24248 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
КТ611АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 100шт. 180В 100мА 60МГц 40
24249 СНГ
160 грн.
10+152 грн.
50+144 грн.
100+128 грн.
Транзистори 2Т607А-4 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn генераторні. Призначені для застосування в генераторах та підсилювачах у герметизованій апаратурі. 0.4 Біполярний SMD NPN 1.5Вт 8шт. 35В 150мА 0,7МГц
24255 СНГ
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
Транзистори 2П903В кремнієві епітаксійно-планарні польові з каналом n-типу і затвором у вигляді зміщеного назад pn переходу високочастотні універсальні. 4.5 КТ-4-2 Польовий Гвинт МОП n-канальний 20В 700мА 6Вт 20шт.
24260 СНГ
120 грн.
Тиристори Т50-11 призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц, а також напівпровідникових перетворювачів електроенергії, безконтактних комутаційних пристроях. 180 Охолоджувач 1100V 50A 1 шт.
24270 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Мікроплавні, кремнієві, універсальні. Призначені для застосування у системах АРУ, дискримінаторах, відеопідсилювачах. 0.3 DIP D104 30V 30mA Випрямний 100шт. одиночний
24272
120 грн.
10+108 грн.
20+102 грн.
50+96 грн.
Імпульсний модуляторний подвійний зошит ГМІ-6 для роботи в імпульсних модуляторах стаціонарних та пересувних пристроїв.
24273
200 грн.
10+180 грн.
20+170 грн.
50+160 грн.
Вихідний променевий зошит.
24275 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Призначені для застосування як перемикаючі елементи в імпульсних швидкодіючих пристроях наносекундного діапазону. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. 0.25 DIP КД-121 30V 20mA Імпульсний 100шт. одиночний
24450 СНГ
28 грн.
10+25,20 грн.
20+23,80 грн.
50+22,40 грн.
6Ж4П Високочастотний пентод. Призначений для посилення напруги високої частоти. 13 DIP 100шт.
24452 СНГ
25 грн.
50+22,50 грн.
200+20 грн.
500+17,50 грн.
Діоди Д214 кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. 13 Гвинт КДЮ-11 100V 10A Випрямний 40шт. одиночний
24464 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор КП327А кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу 0.3 КТ-29 Польовий SMD МОП n-канальний 14В 30мА 200мВт 100шт.
24591 First
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
2.5 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 60В 150А 220Вт 50шт.
24592 СНГ
20 грн.
Тиристори кремнієві КУ202И планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 Гвинт 200V 10A 40шт.
24594 СНГ
15 грн.
Основні технічні параметри тиристора 2У201Л: • Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 300 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 11 Гвинт 300V 30A 40шт.
24595 СНГ
20 грн.
Основні технічні параметри тиристора 2У201И: • Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 11 Гвинт 200V 30A 40шт.
24601 СНГ
90 грн.
Т25-7 Тиристор низькочастотний штирьового виконання. Тиристори Т25-7 призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц. Випускаються у корпусі з гнучким висновком. Максимально допустимий середній прямий струм у відкритому стані – 25 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 700 В Охолодження повітря природне або примусове. Позначення типономіналу наводяться на корпусі. Габаритні розміри: - загальна довжина – 150 мм - Довжина шпильки - 16 мм - різьблення - М10. 135 Гвинт 700V 25A 1 шт.
24602 СНГ
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основні технічні характеристики діода Д232А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. 11 Гвинт КДЮ-11 400V 10A Випрямний 40шт. одиночний
24605 СНГ
9 грн.
50+8,10 грн.
200+7,20 грн.
500+6,30 грн.
Основні технічні характеристики діода 2Д202Д: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 200 В. 5 Гвинт КДЮ-11 200V 5A Випрямний 100шт. одиночний
24609 СНГ
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 40 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5,1 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 400 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 5 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400 В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 15...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 270 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 40Вт 20шт. 400В 100
24610 СНГ
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 15. 34 Біполярний DIP PNP 60Вт 10 шт. 65В 12А 15
24616 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор КТ816В кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 25Вт 200шт. 60В 3МГц 25
24618 СНГ
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
К574УД1Б Мікросхеми виготовлені за суміщеною біполярно-польовою технологією (BIFET). Мікросхеми К574УД1Б є швидкодіючим операційним підсилювачем з великим вхідним опором. Призначені для побудови схем вибірки та зберігання, високоомних широкосмугових підсилювачів та компараторів, широкосмугових генераторів з великою вихідною напругою. Не мають внутрішньої частоти корекції. 1 DIP Підсилювачі 50шт.
24620 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрони Д814Д кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 11,5-14,0 В діапазоні струмів стабілізації 3...24 мА. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. Тип стабілітрона наводиться на корпусі. 0.8 DIP 340мВт 200шт. 13V
24621 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабілітрони 2С133А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...81 мА. 0.8 DIP 300мВт 200шт. 3V3
24624 СНГ
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Стабілітрони 2С168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА. 0.2 DIP 300мВт 500шт. 6V8
24625 СНГ
40 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
250+30 грн.
Стабілітрони 2С156А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 3...55 мА. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 5V6