Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
24452 СНГ —
25 грн.
50+22,50 грн.
200+20 грн.
500+17,50 грн.
— Діоди Д214 кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. 13 — — — Гвинт КДЮ-11 100V 10A — — Випрямний — — — — 40шт. — — — — — — одиночний
24464 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистор КП327А кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу 0.3 — КТ-29 Польовий SMD — — — — — — МОП n-канальний 14В 30мА 200мВт 100шт. — — — — — — —
24591 First —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— 2.5 — TO220 Польовий DIP — — — — — — МОП n-канальний 60В 150А 220Вт 50шт. — — — — — — —
24592 СНГ —
20 грн.
— Тиристори кремнієві КУ202И планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 — — — Гвинт — 200V 10A — — — — — — — 40шт. — — — — — — —
24594 СНГ —
15 грн.
— Основні технічні параметри тиристора 2У201Л: • Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 300 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 11 — — — Гвинт — 300V — 30A — — — — — — 40шт. — — — — — — —
24595 СНГ —
20 грн.
— Основні технічні параметри тиристора 2У201И: • Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 11 — — — Гвинт — 200V — 30A — — — — — — 40шт. — — — — — — —
24601 СНГ —
90 грн.
— Т25-7 Тиристор низькочастотний штирьового виконання. Тиристори Т25-7 призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц. Випускаються у корпусі з гнучким висновком. Максимально допустимий середній прямий струм у відкритому стані – 25 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 700 В Охолодження повітря природне або примусове. Позначення типономіналу наводяться на корпусі. Габаритні розміри: - загальна довжина – 150 мм - Довжина шпильки - 16 мм - різьблення - М10. 135 — — — Гвинт — 700V 25A — — — — — — — 1 шт. — — — — — — —
24602 СНГ —
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
— Основні технічні характеристики діода Д232А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. 11 — — — Гвинт КДЮ-11 400V 10A — — Випрямний — — — — 40шт. — — — — — — одиночний
24605 СНГ —
9 грн.
50+8,10 грн.
200+7,20 грн.
500+6,30 грн.
— Основні технічні характеристики діода 2Д202Д: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 200 В. 5 — — — Гвинт КДЮ-11 200V 5A — — Випрямний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний
24609 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 40 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5,1 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 400 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 5 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400 В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 15...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 270 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. 22 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 40Вт 20шт. 400В 5А — 100 — — —
24610 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 15. 34 — — Біполярний DIP — — — — — — PNP — — 60Вт 10 шт. 65В 12А — 15 — — —
24616 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистор КТ816В кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 — TO126 Біполярний DIP — — — — — — PNP — — 25Вт 200шт. 60В 3А 3МГц 25 — — —
24618 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— К574УД1Б Мікросхеми виготовлені за суміщеною біполярно-польовою технологією (BIFET). Мікросхеми К574УД1Б є швидкодіючим операційним підсилювачем з великим вхідним опором. Призначені для побудови схем вибірки та зберігання, високоомних широкосмугових підсилювачів та компараторів, широкосмугових генераторів з великою вихідною напругою. Не мають внутрішньої частоти корекції. 1 — — — DIP — — — — Підсилювачі — — — — — 50шт. — — — — — — —
24620 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
— Стабілітрони Д814Д кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 11,5-14,0 В діапазоні струмів стабілізації 3...24 мА. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. Тип стабілітрона наводиться на корпусі. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 340мВт 200шт. — — — — 13V — —
24621 СНГ —
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
— Стабілітрони 2С133А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...81 мА. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 200шт. — — — — 3V3 — —
24624 СНГ —
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
— Стабілітрони 2С168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА. 0.2 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 500шт. — — — — 6V8 — —
24625 СНГ —
40 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
250+30 грн.
— Стабілітрони 2С156А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 3...55 мА. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 100шт. — — — — 5V6 — —
24626 СНГ —
20 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
250+15 грн.
— Основні технічні параметри стабілітрона Д818Д: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,002%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 100шт. — — — — 9V kd-8 —
27628 СНГ —
270 грн.
10+256,50 грн.
50+243 грн.
100+216 грн.
— Мікросхема К142ЕН6А є двополярним стабілізатором напруги з фіксованою вихідною напругою ±15 В і струмом навантаження 200 мА. При експлуатації допускається підключення навантаження до одного або одночасно до двох входів (каналів) мікросхеми. 2.5 — — — SMD — — — — живлення — — — — — 5 штук. — — — — — — —
24643 СНГ —
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 16 — kt-9 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 50Вт 20шт. 200В 8А 3МГц 10 — — —
24644 СНГ —
15 грн.
— Тиристори кремнієві КУ202Д1 планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. 2.1 — — — DIP — 100V 10A — — — — — — — 50шт. — — — — — — —
24645 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Мікросхеми КР544УД1А є операційними диференціальними підсилювачами з високим вхідним опором і низьким рівнем вхідних струмів, з внутрішньою частотною корекцією, що забезпечує стійку роботу при будь-яких режимах негативного зворотного зв'язку, включаючи режими інтеграторів і повторювачів напруги. 0.5 DIP8 — — DIP — — — — Підсилювачі — — — — — 200шт. — — — — — — —
24646 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний. 0.7 — TO126 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 10Вт 200шт. 250В 100мА 90МГц 25 — — —
24647 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзистор КТ817А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 — TO126 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 25Вт 200шт. 40В 3А 3МГц 40 — — —
24648 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистор КТ817В кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 — TO126 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 25Вт 200шт. 60В 3А 3МГц 40 — — —
24649 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 — КТ-1 Польовий DIP — — — — — — МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — — — — —
24651 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА (50В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 100...250; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 10 дБ на частоті 1 кГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 100 пс. 0.34 — КТ-1 — DIP — — — — — — NPN — — 250мВт 100шт. 50В 200мА 300МГц 250 — — —
24652 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 1МГц 100 — — —
24653 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистори П28 – германієві, підсилювальні, малої потужності низькочастотні, з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1КГц, структури – pnp. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 5МГц 200 — — —
24654 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистори МП37 германієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30 — — —